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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V 30V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K

DMT31M8LFVWQ-13
Diodes Incorporated
1: S/ 6.41
2,980En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
DMT31M8LFVWQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT31M8LFVWQ-13

Nuevo producto

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V 30V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K

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Hoja de datos

2,980En existencias

Cinta cortada

S/ 6.41

S/ 4.02

S/ 2.67

S/ 2.10

S/ 1.90

Envase tipo carrete

S/ 1.69

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerDI3333-8

N-Channel

1 Channel

30 V

24 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

43.1 nC

- 55 C

+ 150 C

3.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 40 V, 8.0 A, 0.0118 ohm at 10V, DFN2020B(WF)

XSM6K519NW,LXHF
Toshiba
1: S/ 4.26
2,985En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
XSM6K519NW,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-XSM6K519NWLXHF

Nuevo producto

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 40 V, 8.0 A, 0.0118 ohm at 10V, DFN2020B(WF)

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2,985En existencias

Cinta cortada

S/ 4.26

S/ 2.66

S/ 1.73

S/ 1.33

Envase tipo carrete

S/ 1.05

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

DFN-6

N-Channel

1 Channel

40 V

8 A

17.8 mOhms

20 V

2.5 V

6.5 nC

+ 175 C

4.3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V 40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K

DMTH41M2SPSQ-13
Diodes Incorporated
1: S/ 16.81
994En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH41M2SPSQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH41M2SPSQ-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V 40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K

Hoja de datos

994En existencias

Cinta cortada

S/ 16.81

S/ 11.01

S/ 8.00

S/ 7.10

S/ 6.88

Envase tipo carrete

S/ 6.28

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

PowerDI5060-8

N-Channel

1 Channel

40 V

225 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

138 nC

- 55 C

+ 175 C

3.4 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1023 N-CH 25V 320A

PSMNR56-25YLEX
Nexperia
1: S/ 16.90
1,683En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMNR56-25YLEX

N.º de artículo de Mouser
771-PSMNR56-25YLEX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1023 N-CH 25V 320A

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Hoja de datos

1,683En existencias

Cinta cortada

S/ 16.90

S/ 11.05

S/ 8.64

S/ 7.27

S/ 6.62

Envase tipo carrete

S/ 5.46

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

LFPAK-56E-4

N-Channel

1 Channel

25 V

320 A

630 uOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

333 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET

STD80N340K6
STMicroelectronics
1: S/ 18.53
2,525En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD80N340K6

N.º de artículo de Mouser
511-STD80N340K6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET

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2,525En existencias

Cinta cortada

S/ 18.53

S/ 12.21

S/ 8.64

S/ 7.91

S/ 7.40

Envase tipo carrete

S/ 7.40

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

12 A

340 mOhms

- 10 V, 10 V

3 V

17.8 nC

- 55 C

+ 150 C

92 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel enhancement mode logic level 40V 0.8mOhm 360A STripFET F8 Power MOSFET

STL320N4LF8
STMicroelectronics
1: S/ 12.81
4,580En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL320N4LF8

N.º de artículo de Mouser
511-STL320N4LF8

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel enhancement mode logic level 40V 0.8mOhm 360A STripFET F8 Power MOSFET

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Hoja de datos

4,580En existencias

Cinta cortada

S/ 12.81

S/ 8.08

S/ 6.02

S/ 5.12

S/ 4.47

Envase tipo carrete

S/ 4.43

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

40 V

360 A

800 uOhms

- 20 V, 20 V

2 V

43 nC

- 55 C

+ 175 C

188 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3

BSS314PEH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/ 1.68
28,680En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSS314PEH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSS314PEH6327XTS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3

Hoja de datos

28,680En existencias

Más información disponible

Cinta cortada

S/ 1.68

S/ 1.01

S/ 0.636

S/ 0.477

Envase tipo carrete

S/ 0.34

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

1.5 A

107 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

2.9 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPF012N06NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/ 18.06
892En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPF012N06NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF012N06NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

892En existencias

Cinta cortada

S/ 18.06

S/ 7.91

S/ 7.14

Envase tipo carrete

S/ 7.14

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

60 V

282 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

155 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 39A N-CH MOSFET

R6013VNXC7G
ROHM Semiconductor
1: S/ 7.83
1,903En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6013VNXC7G

N.º de artículo de Mouser
755-R6013VNXC7G

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 39A N-CH MOSFET

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Hoja de datos

1,903En existencias

S/ 7.83

S/ 6.88

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

600 V

8 A

300 mOhms

- 30 V, 30 V

6.5 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

54 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 N-CH 60V 120A

RS6L120BGTB1
ROHM Semiconductor
1: S/ 18.83
2,979En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RS6L120BGTB1

N.º de artículo de Mouser
755-RS6L120BGTB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 N-CH 60V 120A

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Hoja de datos

2,979En existencias

Cinta cortada

S/ 18.83

S/ 12.26

S/ 8.77

S/ 8.08

S/ 8.04

Envase tipo carrete

S/ 7.53

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

HSOP-8

N-Channel

1 Channel

60 V

150 A

2.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 30V 275A

PSMN1R0-30YLEX
Nexperia
1: S/ 12.64
1,764En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMN1R0-30YLEX

N.º de artículo de Mouser
771-PSMN1R0-30YLEX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 30V 275A

Obtenga más información

Hoja de datos

1,764En existencias

Cinta cortada

S/ 12.64

S/ 8.21

S/ 5.68

S/ 4.69

S/ 4.39

Envase tipo carrete

S/ 4.39

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SOT-669-5

N-Channel

1 Channel

30 V

275 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

224 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 P-CH 60V 5.1A

IRFR9014PBF-BE3
Vishay Semiconductors
1: S/ 8.90
7,900En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFR9014PBF-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-IRFR9014PBF-BE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 P-CH 60V 5.1A

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Hoja de datos

7,900En existencias

S/ 8.90

S/ 4.02

S/ 3.62

S/ 3.04

S/ 2.70

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

5.1 A

500 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

Bulk

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 200V 3.6A P-CH MOSFET

IRFR9220PBF-BE3
Vishay Semiconductors
1: S/ 12.99
7,833En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFR9220PBF-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-IRFR9220PBF-BE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 200V 3.6A P-CH MOSFET

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Hoja de datos

7,833En existencias

S/ 12.99

S/ 8.43

S/ 5.85

S/ 4.90

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

200 V

3.6 A

1.5 Ohms

- 20 V, 20 V

4 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

42 W

Enhancement

Bulk

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJQ148ER-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/ 14.71
4,893En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJQ148ER-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ148ER-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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Hoja de datos

4,893En existencias

Cinta cortada

S/ 14.71

S/ 9.63

S/ 6.71

S/ 5.81

Envase tipo carrete

S/ 5.42

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PowerPAK-8-8LR-8

N-Channel

1 Channel

40 V

373 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

68 nC

- 55 C

+ 175 C

394 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 7.7A DSO-8 OptiMOS 3M

BSO220N03MDGXUMA1
Infineon Technologies
1: S/ 5.20
62,857En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSO220N03MDGXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSO220N03MDGXUMA

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 7.7A DSO-8 OptiMOS 3M

Hoja de datos

62,857En existencias

Cinta cortada

S/ 5.20

S/ 3.25

S/ 2.13

S/ 1.66

S/ 1.51

Envase tipo carrete

S/ 1.23

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

30 V

7.7 A

21.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

7.8 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 0.0125 Ohm typ., 45 A STripFET F7 Power MOSFET

STD47N10F7AG
STMicroelectronics
1: S/ 10.45
18,960En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD47N10F7AG

N.º de artículo de Mouser
511-STD47N10F7AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 0.0125 Ohm typ., 45 A STripFET F7 Power MOSFET

Hoja de datos

18,960En existencias

Cinta cortada

S/ 10.45

S/ 6.75

S/ 4.60

S/ 3.67

Envase tipo carrete

S/ 3.56

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

22 A

18 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

60 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET2 800V

FCH060N80-F155
onsemi
1: S/ 79.38
1,479En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FCH060N80-F155

N.º de artículo de Mouser
512-FCH060N80_F155

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET2 800V

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Hoja de datos

1,479En existencias

S/ 79.38

S/ 56.46

S/ 50.14

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

800 V

58 A

60 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

350 nC

- 55 C

+ 150 C

500 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench

FDMS3669S
onsemi
1: S/ 11.14
42,679En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDMS3669S

N.º de artículo de Mouser
512-FDMS3669S

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench

Hoja de datos

42,679En existencias

Cinta cortada

S/ 11.14

S/ 7.18

S/ 4.95

S/ 3.95

S/ 3.68

Envase tipo carrete

S/ 3.68

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

Power-56-8

N-Channel

2 Channel

30 V

60 A

10 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel PowerTrench MOSFET

FDMS86520L
onsemi
1: S/ 8.26
16,180En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDMS86520L

N.º de artículo de Mouser
512-FDMS86520L

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel PowerTrench MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

16,180En existencias

Cinta cortada

S/ 8.26

S/ 5.98

S/ 4.64

S/ 4.18

Envase tipo carrete

S/ 4.18

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

Power-56-8

N-Channel

1 Channel

60 V

13.5 A

8.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel QFET

FQD8P10TM-F085
onsemi
1: S/ 5.68
31,497En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FQD8P10TM-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FQD8P10TM_F085

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel QFET

Hoja de datos

31,497En existencias

Cinta cortada

S/ 5.68

S/ 4.05

S/ 3.07

S/ 2.46

Envase tipo carrete

S/ 2.46

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

100 V

6.6 A

530 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

AEC-Q101

QFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N Chnl HDMOS

ZXM61N02FTC
Diodes Incorporated
1: S/ 3.01
84,178En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ZXM61N02FTC

N.º de artículo de Mouser
522-ZXM61N02FTC

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N Chnl HDMOS

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SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

20 V

1.7 A

180 mOhms

- 12 V, 12 V

700 mV

3.4 nC

- 55 C

+ 150 C

625 mW

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

DMC3071LVT-7
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DMC3071LVT-7

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621-DMC3071LVT-7

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

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SMD/SMT

TSOT-26-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

3.3 A, 4.6 A

50 mOhms, 95 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V, 2.5 V

4.5 nC, 6.5 nC

- 55 C

+ 150 C

1.1 W

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30 5V-30V,TSOT23,3K

DMG6602SVT-7
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DMG6602SVT-7

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621-DMG6602SVT-7

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: 3,000

SMD/SMT

TSOT-26-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

2.8 A, 3.4 A

100 mOhms, 140 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

9 nC

- 55 C

+ 150 C

840 mW

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch Enh Mode 12Vgss 80A .61W

DMN2011UFDE-7
Diodes Incorporated
1: S/ 4.39
73,616En existencias

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DMN2011UFDE-7

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621-DMN2011UFDE7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch Enh Mode 12Vgss 80A .61W

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SMD/SMT

DFN-2020-6

N-Channel

1 Channel

20 V

11.7 A

15 mOhms

- 12 V, 12 V

1 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

1.97 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-CH MOSFET

DMP10H400SK3-13
Diodes Incorporated
1: S/ 4.52
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N.º de artículo del Fabricante
DMP10H400SK3-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMP10H400SK3-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-CH MOSFET

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

100 V

9 A

240 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

17.5 nC

- 55 C

+ 150 C

42 W

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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YAGEO

1212-8S
1212-8SCD
1212-8SLW
1212-8W
2-10AF1A-9
2-10AG1A
6x5F
8 x 8LR
ACEPACK SMIT-9
APMCA-16
ATPAK-3
BGA-10
BGA-6
CCPAK1212
CCPAK1212-12
CCPAK1212i-12
CSP-6
CSPB1313-4
CSPB1515-4
CSPB2718-6

6 V
8 V
8 V, 8 V
9 V
10 V
10.6 V
12 V
12 V, 20 V
15 V
16 V
16.5 V
18 V
19 V
20 V
20 V, 12 V
20 V, 20 V
20 V, 30 V
20 V, 8 V
21 V, 20 V
22 V

150 uA
250 uA
520 uA
2 mA
2 mA, 4.8 mA
4.8 mA
5 mA
12 mA
13 mA
16 mA, 40 mA
19 mA
20 mA
21 mA
30 mA
35 mA
50 mA
53 mA
54 mA
60 mA
70 mA

290 uOhms
310 uOhms
350 uOhms
360 uOhms
390 uOhms
400 uOhms
410 uOhms
420 uOhms
440 uOhms
450 uOhms
460 uOhms
470 uOhms
480 uOhms
490 uOhms
500 uOhms
510 uOhms
520 uOhms
530 uOhms
540 uOhms
550 uOhms

- 500 mV, 5 V
- 500 mV, 8 V
- 200 mV, 7 V
- 40 V, 40 V
- 31 V, 31 V
- 30 V, - 20 V, 20 V, 30 V
- 30 V, 25 V
- 30 V, 30 V
- 25 V, - 16 V, 16 V, 25 V
- 25 V, - 20 V, 20 V, 25 V
- 25 V, 20 V
- 25 V, 25 V
- 25 V, 30 V
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- 20 V to 20 V
- 20 V, - 12 V, 12 V, 20 V
- 20 V, - 12 V, 16 V, 20 V
- 20 V, 10 V
- 20 V, 12 V

0 V
20 mV
180 mV
220 mV
300 mV
350 mV
350 mV, 1 V
350 mV, 1.4 V
350 mV, 300 mV
400 mV
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420 mV
450 mV
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450 mV, 1.5 V
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180 pC
210 pC
216 pC
223 pC
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260 pC
270 pC
280 pC
290 pC
300 pC
300 pC, 280 pC
304 pC
310 pC
320 pC
330 pC
340 pC
340 pC, 400 pC

290 uW
300 uW
470 uW
700 uW
1 mW
1.04 mW
1.13 mW
1.135 mW
1.2 mW
1.25 mW
1.3 mW
1.67 mW
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5 mW
10.9 mW
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92.5 mW
100 mW
120 mW
125 mW

2N7000
2N7002
2N7002A
2N7002W
ATTOmini
BIMOSFET
Clare
CoolMOS
CoolMOS, HiPerDyn
CoolMOS, ISOPLUS247
CoolSiC
DI003N03SQ2
DI006P02PW
DI008N09SQ
DI010N03PW
DI010N03PW-AQ
DI015N25D1
DI020N06D1
DI020P06PT
DI020P06PT-AQ