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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds; 30V Vgs TO-220AB

SIHP100N60E-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/21.89
14,555En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHP100N60E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHP100N60E-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds; 30V Vgs TO-220AB

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S/21.89

S/11.40

S/10.41

S/9.37

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

100 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 25V Vgs PowerPAK SO-8

SIR167DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.65
34,050En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR167DP-T1-GE3

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78-SIR167DP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 25V Vgs PowerPAK SO-8

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S/7.65

S/4.90

S/3.28

S/2.59

S/2.37

Envase tipo carrete

S/2.24

MouseReel Disponible

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: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

P-Channel

1 Channel

30 V

60 A

4.6 mOhms

- 25 V, 25 V

2.5 V

74 nC

- 55 C

+ 150 C

65.8 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIRC18DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.89
42,989En existencias

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SIRC18DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIRC18DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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42,989En existencias

Cinta cortada

S/9.89

S/6.36

S/4.34

S/3.45

S/3.35

Envase tipo carrete

S/3.17

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

60 A

850 uOhms

- 16 V, 20 V

1 V

111 nC

- 55 C

+ 150 C

54.3 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

SQ3457EV-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.56
137,882En existencias

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SQ3457EV-T1_GE3

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78-SQ3457EV-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/4.56

S/2.85

S/1.87

S/1.44

Envase tipo carrete

S/1.13

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MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

30 V

6.8 A

35 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

14 nC

- 55 C

+ 175 C

5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 50A 83W AEC-Q101 Qualified

SQD50P04-13L_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/16.73
11,204En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQD50P04-13L_GE3

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78-SQD50P04-13L_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 50A 83W AEC-Q101 Qualified

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S/16.73

S/11.01

S/7.74

S/6.88

Envase tipo carrete

S/6.54

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

50 A

10 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

80 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ140EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJ140EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ140EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

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S/8.86

S/5.68

S/3.84

S/3.05

S/2.89

Envase tipo carrete

S/2.73

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

40 V

266 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

49.2 nC

- 55 C

+ 175 C

263 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 60V PowerPAK SO-8L

SQJ158EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.77
59,959En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ158EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ158EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

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S/4.77

S/2.98

S/1.95

S/1.51

Envase tipo carrete

S/1.19

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

60 V

23 A

27.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 60-V (D-S) AEC-Q101 Qualified

SQJ464EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.58
76,570En existencias

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SQJ464EP-T1_GE3

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78-SQJ464EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

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S/6.58

S/4.16

S/2.77

S/2.18

S/1.99

Envase tipo carrete

S/1.81

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

60 V

32 A

14 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

44 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ479EP-T1_BE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.61
214,725En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ479EP-T1_BE3

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78-SQJ479EP-T1_BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

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S/7.61

S/4.86

S/3.25

S/2.57

S/2.35

Envase tipo carrete

S/2.21

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

80 V

32 A

33 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

90 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs SOT-23

SI2309CDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.48
119,009En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI2309CDS-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI2309CDS-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs SOT-23

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Cinta cortada

S/3.48

S/2.17

S/1.41

S/1.08

Envase tipo carrete

S/0.826

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

60 V

1.6 A

345 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

2.7 nC

- 55 C

+ 150 C

1.7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs TSOP-6

SI3438DV-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.05
32,987En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI3438DV-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI3438DV-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs TSOP-6

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S/7.05

S/4.52

S/2.99

S/2.36

S/2.15

Envase tipo carrete

S/2.00

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel

1 Channel

40 V

7.4 A

35.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.4 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

3.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs SO-8

SI4948BEY-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/8.00
80,955En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4948BEY-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4948BEY-T1-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs SO-8

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Cinta cortada

S/8.00

S/5.12

S/3.43

S/2.71

S/2.50

Envase tipo carrete

S/2.37

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

2 Channel

60 V

3.1 A

120 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

2.4 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -200V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SI7119DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.87
90,701En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7119DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7119DN-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -200V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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90,701En existencias

Cinta cortada

S/7.87

S/4.90

S/3.20

S/2.46

Envase tipo carrete

S/2.02

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

P-Channel

1 Channel

200 V

3.8 A

1.05 Ohms

- 20 V, 20 V

4 V

16.2 nC

- 50 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8

SIS406DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/5.12
105,374En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIS406DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SIS406DN-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8

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105,374En existencias

Cinta cortada

S/5.12

S/3.22

S/2.12

S/1.64

Envase tipo carrete

S/1.29

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

30 V

14 A

11 mOhms

- 25 V, 25 V

1 V

28 nC

- 55 C

+ 150 C

3.7 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 19A 46W 60mohm @ 10V

SUD19P06-60L-E3
Vishay / Siliconix
1: S/7.14
57,829En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUD19P06-60L-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SUD19P06-60L-E3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 19A 46W 60mohm @ 10V

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57,829En existencias

Cinta cortada

S/7.14

S/4.52

S/3.18

S/2.68

S/2.50

Envase tipo carrete

S/2.37

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

19 A

60 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

40 nC

- 55 C

+ 175 C

46 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SC75 30V 154MA 7OHM

NVTA7002NT1G
onsemi
1: S/1.08
750,229En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTA7002NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVTA7002NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SC75 30V 154MA 7OHM

Hoja de datos

750,229En existencias

Cinta cortada

S/1.08

S/0.628

S/0.456

S/0.361

Envase tipo carrete

S/0.275

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SC-75-3

N-Channel

1 Channel

30 V

154 mA

1.4 Ohms

- 10 V, 10 V

500 mV

- 55 C

+ 150 C

300 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PFET U8FL 60V 8A 260MOHM

NVTFS5124PLTWG
onsemi
1: S/4.82
93,080En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS5124PLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS5124PLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PFET U8FL 60V 8A 260MOHM

Hoja de datos

93,080En existencias

Cinta cortada

S/4.82

S/3.01

S/1.97

S/1.53

Ver

Envase tipo carrete

S/1.15

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

WDFN-8

P-Channel

1 Channel

60 V

6 A

260 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

6 nC

- 55 C

+ 175 C

18 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V SINGLE N-CH 1.4mOhms 50nC

IRFH5300TRPBF
Infineon Technologies
1: S/8.30
29,023En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFH5300TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFH5300TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V SINGLE N-CH 1.4mOhms 50nC

Hoja de datos

29,023En existencias

Cinta cortada

S/8.30

S/5.33

S/3.58

S/2.84

Ver

Envase tipo carrete

S/2.47

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

PQFN-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

1.4 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

120 nC

- 55 C

+ 150 C

3.6 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPTC012N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/24.90
3,346En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPTC012N06NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPTC012N06NM5ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

3,346En existencias

Cinta cortada

S/24.90

S/16.68

S/12.00

S/11.74

S/11.09

Envase tipo carrete

S/10.97

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

HDSOP-16

N-Channel

1 Channel

60 V

311 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

106 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 24A N-CH MOSFET

R6024KNZ4C13
ROHM Semiconductor
1: S/18.19
1,160En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6024KNZ4C13

N.º de artículo de Mouser
755-R6024KNZ4C13

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 24A N-CH MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

1,160En existencias

S/18.19

S/15.44

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

24 A

165 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

245 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN1616 P-CH 12V 4A

RV5A040APTCR1
ROHM Semiconductor
1: S/4.82
5,918En existencias

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RV5A040APTCR1

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755-RV5A040APTCR1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN1616 P-CH 12V 4A

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SMD/SMT

DFN-1616-8

P-Channel

1 Channel

12 V

4 A

62 mOhms

- 8 V, 0 V

1 V

16 nC

- 55 C

+ 150 C

1.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 13A N-CH MOSFET

SIHH250N60EF-T1GE3
Vishay Semiconductors
1: S/22.45
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SIHH250N60EF-T1GE3

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78-IHH250N60EF-T1GE3

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SMD/SMT

PowerPAK-8

N-Channel

1 Channel

600 V

- 20 V, 20 V

5 V

- 55 C

+ 150 C

89 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAIR3X3 2NCH 30V 35A

SIZF5300DT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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SIZF5300DT-T1-GE3

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SMD/SMT

PowerPAIR 3 x 3FS-12

N-Channel

2 Channel

30 V

125 A

2.43 mOhms

- 12 V, 16 V

2 V

9.5 nC

- 55 C

+ 150 C

56.8 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ110EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQJ110EP-T1_GE3

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SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

100 V

170 A

6.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.7 V

75 nC

- 55 C

+ 175 C

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQS142ENW-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQS142ENW-T1_GE3

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78-SQS142ENW-T1_GE3

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SMD/SMT

PowerPAK 1212-8SLW

N-Channel

1 Channel

40 V

110 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

113 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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YAGEO

1212-8S
1212-8SCD
1212-8SLW
1212-8W
2-10AF1A-9
2-10AG1A
6x5F
8 x 8LR
ACEPACK SMIT-9
APMCA-16
ATPAK-3
BGA-10
BGA-6
CCPAK1212
CCPAK1212-12
CCPAK1212i-12
CSP-6
CSPB1313-4
CSPB1515-4
CSPB2718-6

6 V
8 V
8 V, 8 V
9 V
10 V
10.6 V
12 V
12 V, 20 V
15 V
16 V
16.5 V
18 V
19 V
20 V
20 V, 12 V
20 V, 20 V
20 V, 30 V
20 V, 8 V
21 V, 20 V
22 V

150 uA
250 uA
520 uA
2 mA
2 mA, 4.8 mA
4.8 mA
5 mA
12 mA
13 mA
16 mA, 40 mA
19 mA
20 mA
21 mA
30 mA
35 mA
50 mA
53 mA
54 mA
60 mA
70 mA

290 uOhms
310 uOhms
350 uOhms
360 uOhms
390 uOhms
400 uOhms
410 uOhms
0.42 mOhms
420 uOhms
440 uOhms
450 uOhms
460 uOhms
470 uOhms
480 uOhms
490 uOhms
500 uOhms
510 uOhms
520 uOhms
530 uOhms
540 uOhms

- 500 mV, 5 V
- 500 mV, 8 V
- 200 mV, 7 V
- 40 V, 40 V
- 31 V, 31 V
- 30 V, - 20 V, 20 V, 30 V
- 30 V, 25 V
- 30 V, 30 V
- 25 V, - 16 V, 16 V, 25 V
- 25 V, - 20 V, 20 V, 25 V
- 25 V, 20 V
- 25 V, 25 V
- 25 V, 30 V
- 22 V, 22 V
- 21 V, 21 V
- 20 V to 20 V
- 20 V, - 12 V, 12 V, 20 V
- 20 V, - 12 V, 16 V, 20 V
- 20 V, 10 V
- 20 V, 12 V

0 V
20 mV
180 mV
220 mV
300 mV
350 mV
350 mV, 1 V
350 mV, 1.4 V
350 mV, 300 mV
400 mV
400 mV, 1 V
400 mV, 1.5 V
400 mV, 500 mV
400 mV, 800 mV
420 mV
450 mV
450 mV, 1 V
450 mV, 1.1 V
450 mV, 1.5 V
450 mV, 950 mV

70 pC, 850 pC
73 pC, 3 nC
170 pC, 230 pC
180 pC
210 pC
216 pC
223 pC
250 pC, 500 pC
260 pC
270 pC
280 pC
290 pC
300 pC
300 pC, 280 pC
304 pC
310 pC
320 pC
330 pC
340 pC
340 pC, 400 pC

290 uW
300 uW
470 uW
700 uW
1 mW
1.04 mW
1.13 mW
1.135 mW
1.2 mW
1.25 mW
1.3 mW
1.67 mW
1.785 mW
5 mW
10.9 mW
80 mW
92.5 mW
100 mW
120 mW
125 mW

2N7000
2N7002
2N7002A
2N7002W
ATTOmini
BIMOSFET
Clare
CoolMOS
CoolMOS, HiPerDyn
CoolMOS, ISOPLUS247
CoolSiC
DI003N03SQ2
DI006P02PW
DI008N09SQ
DI010N03PW
DI010N03PW-AQ
DI015N25D1
DI020N06D1
DI020P06PT
DI020P06PT-AQ