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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

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Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 12A 10 OHM NCH POWER TRENCH MOSFET

FDS5672
onsemi
1: S/10.45
32,938En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDS5672

N.º de artículo de Mouser
512-FDS5672

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 12A 10 OHM NCH POWER TRENCH MOSFET

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32,938En existencias

Cinta cortada

S/10.45

S/6.75

S/4.60

S/3.68

S/3.44

Envase tipo carrete

S/3.43

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

60 V

12 A

8.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

FDS86141
onsemi
1: S/11.35
21,734En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDS86141

N.º de artículo de Mouser
512-FDS86141

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

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21,734En existencias

Cinta cortada

S/11.35

S/7.91

S/5.89

S/4.95

S/4.56

Envase tipo carrete

S/4.56

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

100 V

7 A

23 mOhms

- 20 V, 20 V

3.1 V

6.7 nC

- 55 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563

DMG1016V-7
Diodes Incorporated
1: S/2.06
270,714En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMG1016V-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMG1016V-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563

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270,714En existencias

Cinta cortada

S/2.06

S/1.28

S/0.808

S/0.606

S/0.542

Envase tipo carrete

S/0.426

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-563-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

20 V

640 mA, 870 mA

400 mOhms, 700 mOhms

- 6 V, 6 V

500 mV

736.6 pC, 622.4 pC

- 55 C

+ 150 C

530 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: -30V

DMP3098LQ-7
Diodes Incorporated
1: S/2.19
153,710En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMP3098LQ-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMP3098LQ-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: -30V

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153,710En existencias

Cinta cortada

S/2.19

S/1.31

S/0.864

S/0.645

S/0.563

Envase tipo carrete

S/0.387

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

3.8 A

56 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

8 nC

- 55 C

+ 150 C

1.08 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC110N06NS3 G
Infineon Technologies
1: S/6.15
79,850En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC110N06NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC110N06NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

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Hoja de datos

79,850En existencias

Cinta cortada

S/6.15

S/3.85

S/2.56

S/2.02

Envase tipo carrete

S/1.67

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

50 A

9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 800V 1.1 Rds

IXFA10N80P
IXYS
1: S/23.82
8,999En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFA10N80P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFA10N80P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 800V 1.1 Rds

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8,999En existencias

S/23.82

S/12.51

S/11.40

S/10.49

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

10 A

1.1 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

300 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V UltraJunc X3 Pwr MOSFET

IXFK240N25X3
IXYS
1: S/138.25
855En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK240N25X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK240N25X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V UltraJunc X3 Pwr MOSFET

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855En existencias

S/138.25

S/105.78

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

250 V

240 A

4.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

345 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

IXFX64N60P
IXYS
1: S/100.45
1,148En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFX64N60P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX64N60P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

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1,148En existencias

S/100.45

S/68.67

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

64 A

96 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

200 nC

- 55 C

+ 150 C

1.04 mW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 200V 86A N-CH X4CLASS

IXTA86N20X4
IXYS
1: S/57.32
2,003En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA86N20X4

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA86N20X4

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 200V 86A N-CH X4CLASS

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2,003En existencias

S/57.32

S/33.41

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

200 V

86 A

13 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

70 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TJ200F04M3L,LXHQ
Toshiba
1: S/17.85
45,212En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TJ200F04M3L,LXHQ

N.º de artículo de Mouser
757-TJ200F04M3L,LXHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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Comentarios de Producto

45,212En existencias

Cinta cortada

S/17.85

S/11.78

S/8.30

S/7.53

Envase tipo carrete

S/7.01

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-220SM-3

P-Channel

1 Channel

40 V

200 A

1.8 mOhms

- 20 V, 10 V

3 V

460 nC

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT363 P-CH 20V 3A

SI1467DH-T1-BE3
Vishay
1: S/4.47
59,562En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI1467DH-T1-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI1467DH-T1-BE3

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT363 P-CH 20V 3A

Hoja de datos

Comentarios de Producto

59,562En existencias

Cinta cortada

S/4.47

S/2.38

S/1.72

S/1.41

Envase tipo carrete

S/1.09

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

P-Channel

1 Channel

20 V

2.7 A

150 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

13.5 nC

- 55 C

+ 150 C

2.8 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V (D-S) MOSFET P-CHANNEL

SI2369BDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/2.97
331,235En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI2369BDS-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI2369BDS-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V (D-S) MOSFET P-CHANNEL

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Hoja de datos

331,235En existencias

Cinta cortada

S/2.97

S/1.84

S/1.18

S/0.899

Envase tipo carrete

S/0.688

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

7.5 A

27 mOhms

- 20 V, 16 V

2.2 V

12.9 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6 P-CH 80V 3.8A

SI3129DV-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/5.81
158,475En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI3129DV-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI3129DV-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6 P-CH 80V 3.8A

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Hoja de datos

158,475En existencias

Cinta cortada

S/5.81

S/3.66

S/2.42

S/1.89

S/1.72

Envase tipo carrete

S/1.52

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

80 V

5.4 A

82.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

4.2 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

SIHB17N80E-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/25.50
7,234En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHB17N80E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHB17N80E-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

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Hoja de datos

7,234En existencias

S/25.50

S/17.07

S/12.30

S/11.48

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

15 A

290 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

122 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SIS184DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/10.36
23,263En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIS184DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIS184DN-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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Hoja de datos

23,263En existencias

Cinta cortada

S/10.36

S/6.62

S/4.60

S/3.89

Envase tipo carrete

S/3.26

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

60 V

65.3 A

5.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT SIS4

SIS488DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.41
65,155En existencias
60,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SIS488DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIS488DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT SIS4

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Hoja de datos

65,155En existencias

60,000En pedido

Cinta cortada

S/6.41

S/3.62

S/2.46

S/2.04

S/1.90

Envase tipo carrete

S/1.75

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

40 V

40 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.1 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SISA72DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.28
132,277En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISA72DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISA72DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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Hoja de datos

132,277En existencias

Cinta cortada

S/6.28

S/3.75

S/2.11

S/1.69

Envase tipo carrete

S/1.69

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

40 V

60 A

3.5 mOhms

- 16 V, 20 V

1.1 V

41.5 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds; +/-25V Vgs PowerPAK 1212-8SH

SISH101DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.11
54,261En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISH101DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISH101DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds; +/-25V Vgs PowerPAK 1212-8SH

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Hoja de datos

54,261En existencias

Cinta cortada

S/6.11

S/3.84

S/2.55

S/2.00

S/1.82

Envase tipo carrete

S/1.63

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8SH-8

P-Channel

1 Channel

30 V

35 A

7.2 mOhms

- 25 V, 25 V

2.5 V

102 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

TrenchFET; PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 70V 19.6A

SISS76LDN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.64
33,877En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISS76LDN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISS76LDN-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 70V 19.6A

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Hoja de datos

33,877En existencias

Cinta cortada

S/8.64

S/5.55

S/3.73

S/2.96

S/2.78

Envase tipo carrete

S/2.64

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8S

N-Channel

1 Channel

70 V

67.4 A

5.2 mOhms

- 12 V, 12 V

1.6 V

22.3 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 3A 3W AEC-Q101 Qualified

SQ1431EH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/3.70
164,465En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ1431EH-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ1431EH-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 3A 3W AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

164,465En existencias

Cinta cortada

S/3.70

S/2.31

S/1.50

S/1.15

Envase tipo carrete

S/0.89

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

P-Channel

1 Channel

30 V

3 A

125 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

6.5 nC

- 55 C

+ 175 C

3 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

SQ2303ES-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.40
163,265En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ2303ES-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ2303ES-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

Comentarios de Producto

163,265En existencias

Cinta cortada

S/3.40

S/2.12

S/1.37

S/1.04

Envase tipo carrete

S/0.804

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

2.5 A

170 mOhms

- 10 V, 10 V

2.5 V

4.5 nC

- 55 C

+ 175 C

1.9 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30V

SQ4431EY-T1_BE3
Vishay Semiconductors
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SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

30 V

10.8 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

6 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ409EP-T2_GE3
Vishay / Siliconix
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: 3,000

SMD/SMT

P-Channel

1 Channel

40 V

60 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

170 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

SQJ410EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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MouseReel Disponible

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: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

30 V

32 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ850EP-T2_GE3
Vishay / Siliconix
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MouseReel Disponible

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SMD/SMT

PowerPAK SO-8

N-Channel

1 Channel

60 V

24 A

23 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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YAGEO

1212-8S
1212-8SCD
1212-8SLW
1212-8W
2-10AF1A-9
2-10AG1A
6x5F
8 x 8LR
ACEPACK SMIT-9
APMCA-16
ATPAK-3
BGA-10
BGA-6
CCPAK1212
CCPAK1212-12
CCPAK1212i-12
CSP-6
CSPB1313-4
CSPB1515-4
CSPB2718-6

6 V
8 V
8 V, 8 V
9 V
10 V
10.6 V
12 V
12 V, 20 V
15 V
16 V
16.5 V
18 V
19 V
20 V
20 V, 12 V
20 V, 20 V
20 V, 30 V
20 V, 8 V
21 V, 20 V
22 V

150 uA
250 uA
520 uA
2 mA
2 mA, 4.8 mA
4.8 mA
5 mA
12 mA
13 mA
16 mA, 40 mA
19 mA
20 mA
21 mA
30 mA
35 mA
50 mA
53 mA
54 mA
60 mA
70 mA

290 uOhms
310 uOhms
350 uOhms
360 uOhms
390 uOhms
400 uOhms
410 uOhms
0.42 mOhms
420 uOhms
440 uOhms
450 uOhms
460 uOhms
470 uOhms
480 uOhms
490 uOhms
500 uOhms
510 uOhms
520 uOhms
530 uOhms
540 uOhms

- 500 mV, 5 V
- 500 mV, 8 V
- 200 mV, 7 V
- 40 V, 40 V
- 31 V, 31 V
- 30 V, - 20 V, 20 V, 30 V
- 30 V, 25 V
- 30 V, 30 V
- 25 V, - 16 V, 16 V, 25 V
- 25 V, - 20 V, 20 V, 25 V
- 25 V, 20 V
- 25 V, 25 V
- 25 V, 30 V
- 22 V, 22 V
- 21 V, 21 V
- 20 V to 20 V
- 20 V, - 12 V, 12 V, 20 V
- 20 V, - 12 V, 16 V, 20 V
- 20 V, 10 V
- 20 V, 12 V

0 V
20 mV
180 mV
220 mV
300 mV
350 mV
350 mV, 1 V
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350 mV, 300 mV
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450 mV, 1.5 V
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70 pC, 850 pC
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180 pC
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300 pC, 280 pC
304 pC
310 pC
320 pC
330 pC
340 pC
340 pC, 400 pC

290 uW
300 uW
470 uW
700 uW
1 mW
1.04 mW
1.13 mW
1.135 mW
1.2 mW
1.25 mW
1.3 mW
1.67 mW
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10.9 mW
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125 mW

2N7000
2N7002
2N7002A
2N7002W
ATTOmini
BIMOSFET
Clare
CoolMOS
CoolMOS, HiPerDyn
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