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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

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Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FAST 650V TO220

NTP055N65S3H
onsemi
1: S/29.54
3,637En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTP055N65S3H

N.º de artículo de Mouser
863-NTP055N65S3H

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FAST 650V TO220

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Hoja de datos

3,637En existencias

S/29.54

S/23.56

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

47 A

55 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

96 nC

- 55 C

+ 150 C

305 W

Enhancement

SuperFET III

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 FAST 165MOHM TO-220F

NTPF165N65S3H
onsemi
1: S/21.67
11,933En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTPF165N65S3H

N.º de artículo de Mouser
863-NTPF165N65S3H

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 FAST 165MOHM TO-220F

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Hoja de datos

11,933En existencias

S/21.67

S/11.83

S/10.71

S/10.28

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

19 A

165 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

33 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET

IRF7341GTRPBF
Infineon Technologies
1: S/11.05
24,242En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF7341GTRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF7341GTRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET

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24,242En existencias

Cinta cortada

S/11.05

S/7.27

S/4.90

S/3.92

S/3.90

Envase tipo carrete

S/3.64

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

55 V

5.1 A

65 mOhms, 65 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

2.4 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V 24V X2-DFN2015-3 T&R 3K

DMP1070UFY4Q-7
Diodes Incorporated
1: S/2.11
2,455En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
DMP1070UFY4Q-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMP1070UFY4Q-7

Nuevo producto

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V 24V X2-DFN2015-3 T&R 3K

Hoja de datos

2,455En existencias

Cinta cortada

S/2.11

S/1.29

S/0.839

S/0.619

Envase tipo carrete

S/0.456

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IQE022N06LM5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.10
4,462En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE022N06LM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-E022N06LM5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

4,462En existencias

Cinta cortada

S/14.10

S/9.20

S/6.41

S/5.38

Ver

Envase tipo carrete

S/4.90

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

151 A

2.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

53 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 650V 39A N-CH MOSFET

R6013VND3TL1
ROHM Semiconductor
1: S/9.37
5,047En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6013VND3TL1

N.º de artículo de Mouser
755-R6013VND3TL1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 650V 39A N-CH MOSFET

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Hoja de datos

5,047En existencias

Cinta cortada

S/9.37

S/7.14

S/6.32

S/6.11

S/5.93

Envase tipo carrete

S/5.93

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

600 V

13 A

300 mOhms

- 30 V, 30 V

6.5 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

131 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 35A N-CH MOSFET

R6035KNZ4C13
ROHM Semiconductor
1: S/41.07
560En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6035KNZ4C13

N.º de artículo de Mouser
755-R6035KNZ4C13

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 35A N-CH MOSFET

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Hoja de datos

560En existencias

S/41.07

S/25.84

S/21.63

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

35 A

102 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

72 nC

- 55 C

+ 150 C

379 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ170ELP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.92
8,586En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ170ELP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ170ELP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

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Hoja de datos

8,586En existencias

Cinta cortada

S/6.92

S/4.39

S/2.93

S/2.30

Envase tipo carrete

S/2.06

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK SO-8L

N-Channel

1 Channel

60 V

63 A

16.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

12 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQS140ENW-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.91
5,086En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQS140ENW-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQS140ENW-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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5,086En existencias

Cinta cortada

S/7.91

S/5.07

S/3.39

S/2.68

S/2.47

Envase tipo carrete

S/2.34

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

40 V

214 A

2.53 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

38 nC

- 55 C

+ 175 C

197 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IQE065N10NM5CGSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.84
4,390En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE065N10NM5CGSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE065N10NM5CGSC

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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Hoja de datos

4,390En existencias

Cinta cortada

S/14.84

S/9.72

S/6.75

S/5.85

S/5.50

Envase tipo carrete

S/5.46

Min.: 1
Mult.: 1

: 6,000

SMD/SMT

WHTFN-9

N-Channel

1 Channel

100 V

13 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

43 nC

- 55 C

+ 175 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 60V(Vdss), 70A(Id), (4.5V Drive)

RD3L07BBGTL1
ROHM Semiconductor
1: S/15.57
4,631En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RD3L07BBGTL1

N.º de artículo de Mouser
755-RD3L07BBGTL1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 60V(Vdss), 70A(Id), (4.5V Drive)

Obtenga más información

Hoja de datos

4,631En existencias

Cinta cortada

S/15.57

S/10.19

S/7.14

S/5.85

Envase tipo carrete

S/5.85

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

60 V

115 A

3.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

47 nC

- 55 C

+ 150 C

102 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, P-CH, 40V, 7A, TSOP

SSM6J808R,LF
Toshiba
1: S/3.96
26,948En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6J808R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6J808RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, P-CH, 40V, 7A, TSOP

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Hoja de datos

26,948En existencias

Cinta cortada

S/3.96

S/2.46

S/1.60

S/1.23

Envase tipo carrete

S/0.925

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 25V 255A

PSMNR98-25YLEX
Nexperia
1: S/11.35
1,985En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMNR98-25YLEX

N.º de artículo de Mouser
771-PSMNR98-25YLEX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 25V 255A

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Hoja de datos

1,985En existencias

Cinta cortada

S/11.35

S/7.35

S/5.07

S/4.06

S/3.84

Envase tipo carrete

S/3.79

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SOT-669-5

N-Channel

1 Channel

25 V

255 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

198 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

SQ3426CEV-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.48
40,560En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ3426CEV-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ3426CEV-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

40,560En existencias

Cinta cortada

S/3.48

S/2.18

S/1.41

S/1.08

Envase tipo carrete

S/0.83

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel

1 Channel

60 V

7 A

42 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

11.5 nC

- 55 C

+ 175 C

5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 240-V (D-S) MOSFET

TN2404K-T1-BE3
Vishay
1: S/4.17
2,203En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
TN2404K-T1-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-TN2404K-T1-BE3

Nuevo en Mouser

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 240-V (D-S) MOSFET

Hoja de datos

2,203En existencias

S/4.17

S/2.97

S/1.85

S/1.28

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

257 V

200 mA

2.2 Ohms

- 20 V, 20 V

1.65 V

4.87 nC

- 55 C

+ 150 C

360 mW

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V 24V X2-DFN0606-3 T&R 10K

DMP22D3UFZ-7B
Diodes Incorporated
1: S/0.817
9,600En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
DMP22D3UFZ-7B

N.º de artículo de Mouser
621-DMP22D3UFZ-7B

Nuevo producto

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V 24V X2-DFN0606-3 T&R 10K

Hoja de datos

9,600En existencias

Cinta cortada

S/0.817

S/0.542

S/0.344

S/0.215

Ver

Envase tipo carrete

S/0.103

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 10,000

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPTC012N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/24.90
3,346En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPTC012N06NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPTC012N06NM5ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

Obtenga más información

Hoja de datos

3,346En existencias

Cinta cortada

S/24.90

S/16.68

S/12.00

S/11.74

S/11.09

Envase tipo carrete

S/10.97

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

HDSOP-16

N-Channel

1 Channel

60 V

311 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

106 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 24A N-CH MOSFET

R6024KNZ4C13
ROHM Semiconductor
1: S/18.19
1,160En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6024KNZ4C13

N.º de artículo de Mouser
755-R6024KNZ4C13

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 24A N-CH MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

1,160En existencias

S/18.19

S/15.44

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

24 A

165 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

245 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN1616 P-CH 12V 4A

RV5A040APTCR1
ROHM Semiconductor
1: S/4.82
5,918En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RV5A040APTCR1

N.º de artículo de Mouser
755-RV5A040APTCR1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN1616 P-CH 12V 4A

Obtenga más información

Hoja de datos

5,918En existencias

Cinta cortada

S/4.82

S/3.01

S/1.97

S/1.53

Envase tipo carrete

S/1.18

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

DFN-1616-8

P-Channel

1 Channel

12 V

4 A

62 mOhms

- 8 V, 0 V

1 V

16 nC

- 55 C

+ 150 C

1.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 13A N-CH MOSFET

SIHH250N60EF-T1GE3
Vishay Semiconductors
1: S/22.45
8,920En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHH250N60EF-T1GE3

N.º de artículo de Mouser
78-IHH250N60EF-T1GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 13A N-CH MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

8,920En existencias

Cinta cortada

S/22.45

S/14.96

S/12.13

S/10.79

S/10.45

Envase tipo carrete

S/9.68

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-8

N-Channel

1 Channel

600 V

- 20 V, 20 V

5 V

- 55 C

+ 150 C

89 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAIR3X3 2NCH 30V 35A

SIZF5300DT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/12.90
7,545En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIZF5300DT-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIZF5300DT-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAIR3X3 2NCH 30V 35A

Obtenga más información

Hoja de datos

7,545En existencias

Cinta cortada

S/12.90

S/8.39

S/5.81

S/4.86

Envase tipo carrete

S/4.60

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAIR 3 x 3FS-12

N-Channel

2 Channel

30 V

125 A

2.43 mOhms

- 12 V, 16 V

2 V

9.5 nC

- 55 C

+ 150 C

56.8 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ110EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/10.58
17,309En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ110EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ110EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

17,309En existencias

Cinta cortada

S/10.58

S/6.84

S/4.69

S/3.73

Envase tipo carrete

S/3.62

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

100 V

170 A

6.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.7 V

75 nC

- 55 C

+ 175 C

500 W

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQS142ENW-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQS142ENW-T1_GE3

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78-SQS142ENW-T1_GE3

Vishay Semiconductors

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S/5.72

S/3.60

S/2.39

S/1.86

S/1.69

Envase tipo carrete

S/1.47

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK 1212-8SLW

N-Channel

1 Channel

40 V

110 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

113 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

SQSA82CENW-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.00
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SQSA82CENW-T1_GE3

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78-SQSA82CENW-T1_GE3

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S/0.968

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK1212-8W

N-Channel

1 Channel

80 V

12 A

37 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

6.4 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS

STP45N65M5
STMicroelectronics
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STP45N65M5

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511-STP45N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS

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S/33.97

S/20.08

S/18.45

S/18.19

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

35 A

78 mOhms

- 25 V, 25 V

5 V

82 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

MDmesh

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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1212-8S
1212-8SCD
1212-8SLW
1212-8W
2-10AF1A-9
2-10AG1A
6x5F
8 x 8LR
ACEPACK SMIT-9
APMCA-16
ATPAK-3
BGA-10
BGA-6
CCPAK1212
CCPAK1212-12
CCPAK1212i-12
CSP-6
CSPB1313-4
CSPB1515-4
CSPB2718-6

6 V
8 V
8 V, 8 V
9 V
10 V
10.6 V
12 V
12 V, 20 V
15 V
16 V
16.5 V
18 V
19 V
20 V
20 V, 12 V
20 V, 20 V
20 V, 30 V
20 V, 8 V
21 V, 20 V
22 V

150 uA
250 uA
520 uA
2 mA
2 mA, 4.8 mA
4.8 mA
5 mA
12 mA
13 mA
16 mA, 40 mA
19 mA
20 mA
21 mA
30 mA
35 mA
50 mA
53 mA
54 mA
60 mA
70 mA

290 uOhms
310 uOhms
350 uOhms
360 uOhms
390 uOhms
400 uOhms
410 uOhms
0.42 mOhms
420 uOhms
440 uOhms
450 uOhms
460 uOhms
470 uOhms
480 uOhms
490 uOhms
500 uOhms
510 uOhms
520 uOhms
530 uOhms
540 uOhms

- 500 mV, 5 V
- 500 mV, 8 V
- 200 mV, 7 V
- 40 V, 40 V
- 31 V, 31 V
- 30 V, - 20 V, 20 V, 30 V
- 30 V, 25 V
- 30 V, 30 V
- 25 V, - 16 V, 16 V, 25 V
- 25 V, - 20 V, 20 V, 25 V
- 25 V, 20 V
- 25 V, 25 V
- 25 V, 30 V
- 22 V, 22 V
- 21 V, 21 V
- 20 V to 20 V
- 20 V, - 12 V, 12 V, 20 V
- 20 V, - 12 V, 16 V, 20 V
- 20 V, 10 V
- 20 V, 12 V

0 V
20 mV
180 mV
220 mV
300 mV
350 mV
350 mV, 1 V
350 mV, 1.4 V
350 mV, 300 mV
400 mV
400 mV, 1 V
400 mV, 1.5 V
400 mV, 500 mV
400 mV, 800 mV
420 mV
450 mV
450 mV, 1 V
450 mV, 1.1 V
450 mV, 1.5 V
450 mV, 950 mV

70 pC, 850 pC
73 pC, 3 nC
170 pC, 230 pC
180 pC
210 pC
216 pC
223 pC
250 pC, 500 pC
260 pC
270 pC
280 pC
290 pC
300 pC
300 pC, 280 pC
304 pC
310 pC
320 pC
330 pC
340 pC
340 pC, 400 pC

290 uW
300 uW
470 uW
700 uW
1 mW
1.04 mW
1.13 mW
1.135 mW
1.2 mW
1.25 mW
1.3 mW
1.67 mW
1.785 mW
5 mW
10.9 mW
80 mW
92.5 mW
100 mW
120 mW
125 mW

2N7000
2N7002
2N7002A
2N7002W
ATTOmini
BIMOSFET
Clare
CoolMOS
CoolMOS, HiPerDyn
CoolMOS, ISOPLUS247
CoolSiC
DI003N03SQ2
DI006P02PW
DI008N09SQ
DI010N03PW
DI010N03PW-AQ
DI015N25D1
DI020N06D1
DI020P06PT
DI020P06PT-AQ