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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

SQSA82CENW-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.00
23,716En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQSA82CENW-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQSA82CENW-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

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Hoja de datos

23,716En existencias

Cinta cortada

S/4.00

S/2.49

S/1.62

S/1.25

Envase tipo carrete

S/0.968

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK1212-8W

N-Channel

1 Channel

80 V

12 A

37 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

6.4 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET

PJMF210N65EC_T0_00601
Panjit
1: S/11.52
1,700En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJMF210N65EC_T0_00601

N.º de artículo de Mouser
241-PJMF210N65ET0601

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET

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Hoja de datos

1,700En existencias

S/11.52

S/5.68

S/5.07

S/4.52

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

ITO-220AB-F-3

N-Channel

1 Channel

650 V

19 A

210 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 190mohm 20.6A Easy to driver SJ MOSFET

PJMH190N60E1_T0_00601
Panjit
1: S/8.77
1,439En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJMH190N60E1_T0_00601

N.º de artículo de Mouser
241-PJMH190N60E1T061

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 190mohm 20.6A Easy to driver SJ MOSFET

Hoja de datos

1,439En existencias

S/8.77

S/7.96

Min.: 1
Mult.: 1

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 5mohm Low FOM MOSFET

PSMP050N10NS2_T0_00601
Panjit
1: S/11.18
1,630En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMP050N10NS2_T0_00601

N.º de artículo de Mouser
241-PSMP050N10NS2T06

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 5mohm Low FOM MOSFET

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Hoja de datos

1,630En existencias

S/11.18

S/5.50

S/5.07

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220AB-L-3

N-Channel

1 Channel

100 V

120 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

40.5 nC

- 55 C

+ 150 C

138 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 650V 21A N-CH MOSFET

R6007RND3TL1
ROHM Semiconductor
1: S/5.85
5,600En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6007RND3TL1

N.º de artículo de Mouser
755-R6007RND3TL1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 650V 21A N-CH MOSFET

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Hoja de datos

5,600En existencias

Cinta cortada

S/5.85

S/4.15

S/3.46

S/3.32

S/3.27

Envase tipo carrete

S/3.16

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

600 V

7 A

940 mOhms

- 30 V, 30 V

7 V

17.5 nC

- 55 C

+ 150 C

96 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 30A N-CH MOSFET

R6030KNZ4C13
ROHM Semiconductor
1: S/35.05
1,684En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6030KNZ4C13

N.º de artículo de Mouser
755-R6030KNZ4C13

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 30A N-CH MOSFET

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Hoja de datos

1,684En existencias

S/35.05

S/20.77

S/17.72

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

130 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

305 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 100V 100A

RS6P100BHTB1
ROHM Semiconductor
1: S/17.24
1,246En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RS6P100BHTB1

N.º de artículo de Mouser
755-RS6P100BHTB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 100V 100A

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1,246En existencias

Cinta cortada

S/17.24

S/11.35

S/8.00

S/7.18

S/6.97

Envase tipo carrete

S/6.75

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

HSOP-8

N-Channel

1 Channel

100 V

100 A

5.9 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 100V(Vdss), 70A(Id), (6.0V, 10V Drive)

RX3P07BBHC16
ROHM Semiconductor
1: S/19.69
1,789En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RX3P07BBHC16

N.º de artículo de Mouser
755-RX3P07BBHC16

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 100V(Vdss), 70A(Id), (6.0V, 10V Drive)

Obtenga más información

Hoja de datos

1,789En existencias

S/19.69

S/13.12

S/9.29

S/8.08

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220AB-3

N-Channel

1 Channel

100 V

80 A

8.4 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

89 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 200V 4.8A N-CH MOSFET

IRFR220TRPBF-BE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.12
20,792En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFR220TRPBF-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-IRFR220TRPBF-BE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 200V 4.8A N-CH MOSFET

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20,792En existencias

Cinta cortada

S/9.12

S/5.85

S/3.94

S/3.14

S/2.99

Envase tipo carrete

S/2.83

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

4.8 A

800 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

14 nC

- 55 C

+ 150 C

42 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

SIHB080N60E-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/26.62
4,243En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHB080N60E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHB080N60E-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

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Hoja de datos

4,243En existencias

S/26.62

S/14.10

S/12.90

S/12.17

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

35 A

80 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 30V 18A

SISA18BDN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.95
8,650En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISA18BDN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISA18BDN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 30V 18A

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8,650En existencias

Cinta cortada

S/4.95

S/3.09

S/2.03

S/1.58

Envase tipo carrete

S/1.24

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK 1212-8PT

N-Channel

1 Channel

30 V

60 A

6.83 mOhms

- 16 V, 20 V

2.4 V

6.2 nC

- 55 C

+ 150 C

36.8 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ186EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.92
24,074En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ186EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ186EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

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Hoja de datos

24,074En existencias

Cinta cortada

S/6.92

S/4.39

S/2.93

S/2.30

Envase tipo carrete

S/2.06

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

80 V

60 A

15 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

24 nC

- 55 C

+ 175 C

135 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQS142ELNW-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.85
12,691En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQS142ELNW-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQS142ELNW-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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Hoja de datos

12,691En existencias

Cinta cortada

S/5.85

S/3.67

S/2.43

S/1.90

S/1.73

Envase tipo carrete

S/1.53

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

40 V

110 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

113 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IQE065N10NM5CGSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.84
4,390En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE065N10NM5CGSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE065N10NM5CGSC

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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Hoja de datos

4,390En existencias

Cinta cortada

S/14.84

S/9.72

S/6.75

S/5.85

S/5.50

Envase tipo carrete

S/5.46

Min.: 1
Mult.: 1

: 6,000

SMD/SMT

WHTFN-9

N-Channel

1 Channel

100 V

13 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

43 nC

- 55 C

+ 175 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 60V(Vdss), 70A(Id), (4.5V Drive)

RD3L07BBGTL1
ROHM Semiconductor
1: S/15.57
4,631En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RD3L07BBGTL1

N.º de artículo de Mouser
755-RD3L07BBGTL1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 60V(Vdss), 70A(Id), (4.5V Drive)

Obtenga más información

Hoja de datos

4,631En existencias

Cinta cortada

S/15.57

S/10.19

S/7.14

S/5.85

Envase tipo carrete

S/5.85

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

60 V

115 A

3.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

47 nC

- 55 C

+ 150 C

102 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, P-CH, 40V, 7A, TSOP

SSM6J808R,LF
Toshiba
1: S/3.96
26,948En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6J808R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6J808RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, P-CH, 40V, 7A, TSOP

Obtenga más información

Hoja de datos

26,948En existencias

Cinta cortada

S/3.96

S/2.46

S/1.60

S/1.23

Envase tipo carrete

S/0.925

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 60V 110A

BUK9Y8R8-60ELX
Nexperia
1: S/9.07
7,104En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BUK9Y8R8-60ELX

N.º de artículo de Mouser
771-BUK9Y8R8-60ELX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 60V 110A

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Hoja de datos

7,104En existencias

Cinta cortada

S/9.07

S/5.81

S/4.01

S/3.40

Envase tipo carrete

S/2.93

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SOT-669-5

N-Channel

1 Channel

60 V

110 A

5.6 mOhms

- 10 V, 10 V

2.1 V

88 nC

- 55 C

+ 175 C

194 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 25V 255A

PSMNR98-25YLEX
Nexperia
1: S/11.35
1,985En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMNR98-25YLEX

N.º de artículo de Mouser
771-PSMNR98-25YLEX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 25V 255A

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Hoja de datos

1,985En existencias

Cinta cortada

S/11.35

S/7.35

S/5.07

S/4.06

S/3.84

Envase tipo carrete

S/3.79

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SOT-669-5

N-Channel

1 Channel

25 V

255 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

198 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

SQ3426CEV-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.48
40,560En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ3426CEV-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ3426CEV-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

40,560En existencias

Cinta cortada

S/3.48

S/2.18

S/1.41

S/1.08

Envase tipo carrete

S/0.83

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel

1 Channel

60 V

7 A

42 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

11.5 nC

- 55 C

+ 175 C

5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPD068N10N3GATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.08
33,148En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD068N10N3GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD068N10N3GATMA

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

Hoja de datos

33,148En existencias

Cinta cortada

S/8.08

S/5.85

S/4.43

S/4.14

Envase tipo carrete

S/4.14

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

90 A

6.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V 24V X2-DFN2015-3 T&R 3K

DMP1070UFY4Q-7
Diodes Incorporated
1: S/2.11
2,455En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
DMP1070UFY4Q-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMP1070UFY4Q-7

Nuevo producto

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V 24V X2-DFN2015-3 T&R 3K

Hoja de datos

2,455En existencias

Cinta cortada

S/2.11

S/1.29

S/0.839

S/0.619

Envase tipo carrete

S/0.456

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 250 V 17A STripFET II

STD18NF25
STMicroelectronics
1: S/12.00
17,882En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD18NF25

N.º de artículo de Mouser
511-STD18NF25

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 250 V 17A STripFET II

Hoja de datos

17,882En existencias

Cinta cortada

S/12.00

S/7.78

S/5.38

S/4.39

S/4.09

Envase tipo carrete

S/4.09

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

250 V

17 A

165 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

29.5 nC

- 55 C

+ 175 C

110 W

Enhancement

AEC-Q100

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT

STL36DN6F7
STMicroelectronics
1: S/6.11
42,174En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL36DN6F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL36DN6F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT

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Hoja de datos

42,174En existencias

Cinta cortada

S/6.11

S/3.86

S/2.56

S/2.00

S/1.82

Envase tipo carrete

S/1.61

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

2 Channel

60 V

33 A

23 mOhms, 23 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

8 nC

- 55 C

+ 175 C

58 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V N-Ch MOSFET

FDA59N25
onsemi
1: S/19.35
16,151En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDA59N25

N.º de artículo de Mouser
512-FDA59N25

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V N-Ch MOSFET

Hoja de datos

16,151En existencias

S/19.35

S/10.71

S/8.82

S/8.17

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PN-3

N-Channel

1 Channel

250 V

59 A

49 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

82 nC

- 55 C

+ 150 C

392 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V NChannel UniFET

FDD18N20LZ
onsemi
1: S/11.14
52,024En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDD18N20LZ

N.º de artículo de Mouser
512-FDD18N20LZ

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V NChannel UniFET

Hoja de datos

52,024En existencias

Cinta cortada

S/11.14

S/7.22

S/4.95

S/3.96

S/3.95

Envase tipo carrete

S/3.74

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

16 A

125 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

89 W

Enhancement

UniFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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1212-8S
1212-8SCD
1212-8SLW
1212-8W
2-10AF1A-9
2-10AG1A
6x5F
8 x 8LR
ACEPACK SMIT-9
APMCA-16
ATPAK-3
BGA-10
BGA-6
CCPAK1212
CCPAK1212-12
CCPAK1212i-12
CSP-6
CSPB1313-4
CSPB1515-4
CSPB2718-6

6 V
8 V
8 V, 8 V
9 V
10 V
10.6 V
12 V
12 V, 20 V
15 V
16 V
16.5 V
18 V
19 V
20 V
20 V, 12 V
20 V, 20 V
20 V, 30 V
20 V, 8 V
21 V, 20 V
22 V

150 uA
250 uA
520 uA
2 mA
2 mA, 4.8 mA
4.8 mA
5 mA
12 mA
13 mA
16 mA, 40 mA
19 mA
20 mA
21 mA
30 mA
35 mA
50 mA
53 mA
54 mA
60 mA
70 mA

290 uOhms
310 uOhms
350 uOhms
360 uOhms
390 uOhms
400 uOhms
410 uOhms
0.42 mOhms
420 uOhms
440 uOhms
450 uOhms
460 uOhms
470 uOhms
480 uOhms
490 uOhms
500 uOhms
510 uOhms
520 uOhms
530 uOhms
540 uOhms

- 500 mV, 5 V
- 500 mV, 8 V
- 200 mV, 7 V
- 40 V, 40 V
- 31 V, 31 V
- 30 V, - 20 V, 20 V, 30 V
- 30 V, 25 V
- 30 V, 30 V
- 25 V, - 16 V, 16 V, 25 V
- 25 V, - 20 V, 20 V, 25 V
- 25 V, 20 V
- 25 V, 25 V
- 25 V, 30 V
- 22 V, 22 V
- 21 V, 21 V
- 20 V to 20 V
- 20 V, - 12 V, 12 V, 20 V
- 20 V, - 12 V, 16 V, 20 V
- 20 V, 10 V
- 20 V, 12 V

0 V
20 mV
180 mV
220 mV
300 mV
350 mV
350 mV, 1 V
350 mV, 1.4 V
350 mV, 300 mV
400 mV
400 mV, 1 V
400 mV, 1.5 V
400 mV, 500 mV
400 mV, 800 mV
420 mV
450 mV
450 mV, 1 V
450 mV, 1.1 V
450 mV, 1.5 V
450 mV, 950 mV

70 pC, 850 pC
73 pC, 3 nC
170 pC, 230 pC
180 pC
210 pC
216 pC
223 pC
250 pC, 500 pC
260 pC
270 pC
280 pC
290 pC
300 pC
300 pC, 280 pC
304 pC
310 pC
320 pC
330 pC
340 pC
340 pC, 400 pC

290 uW
300 uW
470 uW
700 uW
1 mW
1.04 mW
1.13 mW
1.135 mW
1.2 mW
1.25 mW
1.3 mW
1.67 mW
1.785 mW
5 mW
10.9 mW
80 mW
92.5 mW
100 mW
120 mW
125 mW

2N7000
2N7002
2N7002A
2N7002W
ATTOmini
BIMOSFET
Clare
CoolMOS
CoolMOS, HiPerDyn
CoolMOS, ISOPLUS247
CoolSiC
DI003N03SQ2
DI006P02PW
DI008N09SQ
DI010N03PW
DI010N03PW-AQ
DI015N25D1
DI020N06D1
DI020P06PT
DI020P06PT-AQ