.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TJ200F04M3L,LXHQ
Toshiba
1: S/17.85
45,212En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TJ200F04M3L,LXHQ

N.º de artículo de Mouser
757-TJ200F04M3L,LXHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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Cinta cortada

S/17.85

S/11.78

S/8.30

S/7.53

Envase tipo carrete

S/7.01

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-220SM-3

P-Channel

1 Channel

40 V

200 A

1.8 mOhms

- 20 V, 10 V

3 V

460 nC

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds; 30V Vgs D2PAK (TO-263)

SIHB065N60E-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/30.79
5,645En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHB065N60E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHB065N60E-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds; 30V Vgs D2PAK (TO-263)

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5,645En existencias

S/30.79

S/22.49

S/21.33

S/16.43

S/11.70

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

40 A

65 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

74 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified

SQJQ402E-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/15.22
37,965En existencias
16,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SQJQ402E-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ402E-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified

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37,965En existencias

16,000En pedido

Cinta cortada

S/15.22

S/9.98

S/6.97

S/6.06

Envase tipo carrete

S/5.63

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

1 Channel

40 V

200 A

1.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

260 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7143DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.30
33,764En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7143DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7143DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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33,764En existencias

Cinta cortada

S/8.30

S/5.29

S/3.57

S/2.83

Envase tipo carrete

S/2.59

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

P-Channel

1 Channel

30 V

35 A

10 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

47.5 nC

- 55 C

+ 150 C

35.7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 55V 98A 8mOhm 113.3nCAC

IRFP064NPBF
Infineon Technologies
1: S/14.06
14,278En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFP064NPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFP064NPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 55V 98A 8mOhm 113.3nCAC

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14,278En existencias

S/14.06

S/7.87

S/6.41

S/5.29

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

55 V

110 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

170 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK6M61-60P/SOT1210/mLFPAK

BUK6M61-60PX
Nexperia
1: S/6.36
1,472En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
BUK6M61-60PX

N.º de artículo de Mouser
771-BUK6M61-60PX

Nuevo producto

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK6M61-60P/SOT1210/mLFPAK

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Cinta cortada

S/6.36

S/4.01

S/2.66

S/2.10

S/1.89

Envase tipo carrete

S/1.67

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

P-Channel

60 V

27 A

100 mOhms

- 2 V

1.7 V

- 55 C

+ 175 C

99 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ142EP-T1_JE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.31
2,452En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SQJ142EP-T1_JE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ142EP-T1_JE3

Nuevo producto

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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Cinta cortada

S/7.31

S/4.56

S/2.96

S/2.28

S/2.06

Envase tipo carrete

S/1.65

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

40 V

167 A

3.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

191 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 49mOhm NexFET P ower MOSFET A 595-C A 595-CSD19538Q2

CSD19538Q2T
Texas Instruments
1: S/7.96
29,520En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD19538Q2T

N.º de artículo de Mouser
595-CSD19538Q2T

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 49mOhm NexFET P ower MOSFET A 595-C A 595-CSD19538Q2

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S/7.96

S/5.07

S/2.97

Envase tipo carrete

S/2.97

S/2.56

S/2.32

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 250

SMD/SMT

WSON-FET-6

N-Channel

1 Channel

100 V

14.4 A

59 mOhms

- 20 V, 20 V

3.2 V

4.3 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+

IPB120N10S405ATMA1
Infineon Technologies
1: S/16.90
14,550En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB120N10S405ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB120N10S405ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+

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Cinta cortada

S/16.90

S/11.09

S/7.78

S/6.97

Envase tipo carrete

S/6.54

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

120 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.7 V

91 nC

- 55 C

+ 175 C

190 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPD053N08N3GATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.50
50,331En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD053N08N3GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD053N08N3GA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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50,331En existencias

Cinta cortada

S/9.50

S/6.88

S/5.42

S/4.86

Envase tipo carrete

S/4.86

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

90 A

5.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

52 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS

IPD30N08S2L21ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.45
36,717En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD30N08S2L21ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD30N08S2L21ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS

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36,717En existencias

Cinta cortada

S/10.45

S/6.75

S/4.60

S/3.68

S/3.62

Envase tipo carrete

S/3.38

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

75 V

30 A

15.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

72 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -18.6A DPAK-2

SPD18P06PGBTMA1
Infineon Technologies
1: S/7.22
52,448En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SPD18P06PGBTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPD18P06PGBTMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -18.6A DPAK-2

Hoja de datos

52,448En existencias

Cinta cortada

S/7.22

S/4.60

S/3.07

S/2.42

S/2.21

Envase tipo carrete

S/2.03

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

18.6 A

100 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

80 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PFET TSOP6 60V 2.5A 111MO

NVGS5120PT1G
onsemi
1: S/5.98
198,075En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVGS5120PT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVGS5120PT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PFET TSOP6 60V 2.5A 111MO

Hoja de datos

198,075En existencias

Cinta cortada

S/5.98

S/3.74

S/2.48

S/1.95

S/1.76

Envase tipo carrete

S/1.56

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

60 V

2.5 A

72 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18.1 nC

- 55 C

+ 150 C

1.1 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology

IAUMN04S7N006GAUMA1
Infineon Technologies
1: S/14.19
170En existencias
200En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUMN04S7N006GAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUMN04S7N006GAU

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology

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170En existencias

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Cinta cortada

S/14.19

S/9.72

S/8.26

S/6.62

S/6.49

Envase tipo carrete

S/6.49

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 60V

SIHFU024-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/5.50
576En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SIHFU024-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHFU024-GE3

Nuevo producto

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 60V

Hoja de datos

576En existencias

Cinta cortada

S/5.50

S/3.47

S/2.30

S/1.89

Envase tipo carrete

S/1.49

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Through Hole

TO-251-3

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 14.5 MOHM T8 S08FL DUAL

NTMFD5C478NLT1G
onsemi
1: S/6.79
1,500En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NTMFD5C478NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFD5C478NLT1G

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 14.5 MOHM T8 S08FL DUAL

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1,500En existencias

Cinta cortada

S/6.79

S/6.45

S/4.26

S/3.36

S/2.02

Envase tipo carrete

S/1.78

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPTC054N15NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/25.93
861En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPTC054N15NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-TC054N15NM5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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861En existencias

Cinta cortada

S/25.93

S/17.37

S/12.51

S/11.95

S/11.74

Envase tipo carrete

S/11.14

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

HDSOP-16

N-Channel

1 Channel

150 V

143 A

5.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

58 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V NCH NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1657 A 595-CSD16570Q5B

CSD16570Q5BT
Texas Instruments
1: S/15.95
10,499En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD16570Q5BT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD16570Q5BT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V NCH NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1657 A 595-CSD16570Q5B

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10,499En existencias

Cinta cortada

S/15.95

S/10.45

S/6.02

Envase tipo carrete

S/6.02

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 250

SMD/SMT

VSON-CLIP-8

N-Channel

1 Channel

25 V

100 A

680 uOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

192 nC

- 40 C

+ 85 C

195 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low Side IntelliFET

ZXMS6005DN8Q-13
Diodes Incorporated
1: S/4.26
74,587En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ZXMS6005DN8Q-13

N.º de artículo de Mouser
621-ZXMS6005DN8Q-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low Side IntelliFET

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74,587En existencias

Cinta cortada

S/4.26

S/2.75

S/2.27

S/2.18

S/2.10

Envase tipo carrete

S/1.99

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

60 V

1.2 A

350 mOhms, 350 mOhms

- 5 V, 5 V

700 mV

- 40 C

+ 125 C

1.56 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

IPD30N06S2L23ATMA3
Infineon Technologies
1: S/5.89
58,936En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD30N06S2L23ATMA3

N.º de artículo de Mouser
726-IPD30N06S2L23AT3

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

Hoja de datos

58,936En existencias

Cinta cortada

S/5.89

S/3.89

S/3.18

S/2.74

S/2.52

Envase tipo carrete

S/2.15

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

55 V

30 A

15.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1.6 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DSOP-ADV PD=170W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TPWR6003PL,L1Q
Toshiba
1: S/17.37
23,773En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPWR6003PL,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPWR6003PLL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DSOP-ADV PD=170W 1MHz PWR MOSFET TRNS

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Hoja de datos

23,773En existencias

Cinta cortada

S/17.37

S/11.44

S/8.04

S/7.27

S/6.79

Envase tipo carrete

S/6.79

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

DSOP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

150 A

840 uOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

170 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80-V (D-S)

SIR680LDP-T1-RE3
Vishay Semiconductors
1: S/14.15
80,314En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR680LDP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR680LDP-T1-RE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80-V (D-S)

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S/5.12

MouseReel Disponible

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: 3,000

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

80 V

130 A

2.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

135 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 P-CH 40V 48.3A

SIR4411DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.17
3,259En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR4411DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR4411DP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 P-CH 40V 48.3A

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S/8.17

S/5.03

S/3.80

Envase tipo carrete

S/3.38

S/2.00

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

P-Channel

1 Channel

40 V

48.3 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

79 nC

- 55 C

+ 150 C

56.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

BSC105N15LS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.71
3,113En existencias
5,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSC105N15LS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC105N15LS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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S/14.71

S/9.55

S/6.62

S/5.38

S/5.03

Envase tipo carrete

S/4.60

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

SuperSO-8

N-Channel

1 Channel

150 V

76 A

14 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-6 T&R 3K

DMP3014SFDE-7
Diodes Incorporated
1: S/3.70
2,866En existencias
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DMP3014SFDE-7

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621-DMP3014SFDE-7

Nuevo producto

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-6 T&R 3K

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S/3.70

S/2.30

S/1.57

S/1.23

S/1.03

Envase tipo carrete

S/0.856

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

U-DFN2020-6

P-Channel

1 Channel

30 V

11.4 A

13.5 mOhms

- 25 V, 25 V

2.6 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

2.2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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YAGEO

1212-8S
1212-8SCD
1212-8SLW
1212-8W
2-10AF1A-9
2-10AG1A
6x5F
8 x 8LR
ACEPACK SMIT-9
APMCA-16
ATPAK-3
BGA-10
BGA-6
CCPAK1212
CCPAK1212-12
CCPAK1212i-12
CSP-6
CSPB1313-4
CSPB1515-4
CSPB2718-6

6 V
8 V
8 V, 8 V
9 V
10 V
10.6 V
12 V
12 V, 20 V
15 V
16 V
16.5 V
18 V
19 V
20 V
20 V, 12 V
20 V, 20 V
20 V, 30 V
20 V, 8 V
21 V, 20 V
22 V

150 uA
250 uA
520 uA
2 mA
2 mA, 4.8 mA
4.8 mA
5 mA
12 mA
13 mA
16 mA, 40 mA
19 mA
20 mA
21 mA
30 mA
35 mA
50 mA
53 mA
54 mA
60 mA
70 mA

290 uOhms
310 uOhms
350 uOhms
360 uOhms
390 uOhms
400 uOhms
410 uOhms
420 uOhms
440 uOhms
450 uOhms
460 uOhms
470 uOhms
480 uOhms
490 uOhms
500 uOhms
510 uOhms
520 uOhms
530 uOhms
540 uOhms
550 uOhms

- 500 mV, 5 V
- 500 mV, 8 V
- 200 mV, 7 V
- 40 V, 40 V
- 31 V, 31 V
- 30 V, - 20 V, 20 V, 30 V
- 30 V, 25 V
- 30 V, 30 V
- 25 V, - 16 V, 16 V, 25 V
- 25 V, - 20 V, 20 V, 25 V
- 25 V, 20 V
- 25 V, 25 V
- 25 V, 30 V
- 22 V, 22 V
- 21 V, 21 V
- 20 V to 20 V
- 20 V, - 12 V, 12 V, 20 V
- 20 V, - 12 V, 16 V, 20 V
- 20 V, 10 V
- 20 V, 12 V

0 V
20 mV
180 mV
220 mV
300 mV
350 mV
350 mV, 1 V
350 mV, 1.4 V
350 mV, 300 mV
400 mV
400 mV, 1 V
400 mV, 1.5 V
400 mV, 500 mV
400 mV, 800 mV
420 mV
450 mV
450 mV, 1 V
450 mV, 1.1 V
450 mV, 1.5 V
450 mV, 950 mV

70 pC, 850 pC
73 pC, 3 nC
170 pC, 230 pC
180 pC
210 pC
216 pC
223 pC
250 pC, 500 pC
260 pC
270 pC
280 pC
290 pC
300 pC
300 pC, 280 pC
304 pC
310 pC
320 pC
330 pC
340 pC
340 pC, 400 pC

290 uW
300 uW
470 uW
700 uW
1 mW
1.04 mW
1.13 mW
1.135 mW
1.2 mW
1.25 mW
1.3 mW
1.67 mW
1.785 mW
5 mW
10.9 mW
80 mW
92.5 mW
100 mW
120 mW
125 mW

2N7000
2N7002
2N7002A
2N7002W
ATTOmini
BIMOSFET
Clare
CoolMOS
CoolMOS, HiPerDyn
CoolMOS, ISOPLUS247
CoolSiC
DI003N03SQ2
DI006P02PW
DI008N09SQ
DI010N03PW
DI010N03PW-AQ
DI015N25D1
DI020N06D1
DI020P06PT
DI020P06PT-AQ