.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

MOSFETs are in stock with same-day shipping at Mouser Electronics from industry leading manufacturers. Mouser is an authorized distributor for many MOSFET manufacturers including Diodes Inc., Infineon, IXYS, Nexperia, onsemi, STMicroelectronics, Toshiba, Vishay, & more.
More...

Please view our large selection of MOSFETs below.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 22,742

Filtros aplicados:

Fabricante

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Descargar tabla (.CSV)

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN S08FL

NVMFS5C456NLAFT1G-YE
onsemi
1: S/ 5.89
1,184En existencias
1,500En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C456NLAFT1G-YE

N.º de artículo de Mouser
863-FS5C456NLAFT1GYE

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN S08FL

Obtenga más información

Hoja de datos

1,184En existencias

1,500En pedido

Cinta cortada

S/ 5.89

S/ 3.70

S/ 2.45

S/ 2.01

Envase tipo carrete

S/ 1.57

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

87 A

3.7 mOhms

20 V

2 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

55 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET

STWA60N028T
STMicroelectronics
1: S/ 25.24
284En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STWA60N028T

N.º de artículo de Mouser
511-STWA60N028T

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET

Hoja de datos

284En existencias

S/ 25.24

S/ 20.21

S/ 16.34

S/ 14.49

S/ 12.86

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

84 A

28 mOhms

30 V

4.2 V

164 nC

- 55 C

+ 150 C

481 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 40 V, 8.0 A, 0.0118 ohm at 10V, DFN2020B(WF)

XSM6K519NW,LXHF
Toshiba
1: S/ 4.26
2,090En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
XSM6K519NW,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-XSM6K519NWLXHF

Nuevo producto

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 40 V, 8.0 A, 0.0118 ohm at 10V, DFN2020B(WF)

Obtenga más información

Hoja de datos

2,090En existencias

Cinta cortada

S/ 4.26

S/ 2.66

S/ 1.73

S/ 1.33

Envase tipo carrete

S/ 1.05

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DFN-6

N-Channel

1 Channel

40 V

8 A

17.8 mOhms

20 V

2.5 V

6.5 nC

+ 175 C

4.3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V

SIHG080N65SF-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/ 23.35
415En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SIHG080N65SF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHG080N65SF-GE3

Nuevo producto

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V

Hoja de datos

415En existencias

Más información disponible

S/ 23.35

S/ 16.34

S/ 14.06

S/ 11.31

S/ 11.27

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247AC-3

N-Channel

1 Channel

650 V

46 A

80 mOhms

20 V

5 V

91 nC

- 55 C

+ 150 C

403 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

NVMFS5C460NLAFT1G-YE
onsemi
1: S/ 6.24
1,500En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C460NLAFT1G-YE

N.º de artículo de Mouser
863-S5C460NLAFT1GYE

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

Obtenga más información

Hoja de datos

1,500En existencias

Cinta cortada

S/ 6.24

S/ 3.89

S/ 2.53

S/ 1.95

Envase tipo carrete

S/ 1.60

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

78 A

4.5 mOhms

20 V

2 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm at 10V, DFN2020B(WF)

XSM6K361NW,LXHF
Toshiba
1: S/ 4.26
2,009En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
XSM6K361NW,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-XSM6K361NWLXHF

Nuevo producto

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm at 10V, DFN2020B(WF)

Obtenga más información

Hoja de datos

2,009En existencias

Cinta cortada

S/ 4.26

S/ 2.62

S/ 1.79

S/ 1.41

Envase tipo carrete

S/ 1.02

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DFN-6

N-Channel

1 Channel

100 V

3.5 A

69 mOhms

20 V

2.5 V

3.2 nC

+ 175 C

4.3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 48 mOhm typ., 44 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package

ST8L65N065DM9
STMicroelectronics
1: S/ 24.77
206En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ST8L65N065DM9

N.º de artículo de Mouser
511-ST8L65N065DM9

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 48 mOhm typ., 44 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package

Obtenga más información

Hoja de datos

206En existencias

Cinta cortada

S/ 24.77

S/ 19.82

Envase tipo carrete

S/ 19.82

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 50

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-4

N-Channel

1 Channel

650 V

44 A

65 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

78 nC

- 55 C

+ 150 C

223 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V

ISC016N08NM8ATMA1
Infineon Technologies
1: S/ 19.95
370En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISC016N08NM8ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC016N08NM8ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V

Obtenga más información

Hoja de datos

370En existencias

Más información disponible

Cinta cortada

S/ 19.95

S/ 13.03

S/ 10.19

S/ 8.51

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

268 A

1.54 mOhms

20 V

3.5 V

76 nC

- 55 C

+ 175 C

263 W

Enhancement

OptiMOS

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V

SIHL050N65SF-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/ 26.83
349En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SIHL050N65SF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHL050N65SF-GE3

Nuevo producto

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V

Hoja de datos

349En existencias

Más información disponible

S/ 26.83

S/ 18.92

S/ 15.87

S/ 13.16

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247AD-4L

N-Channel

1 Channel

650 V

64 A

52 mOhms

20 V

5 V

141 nC

- 55 C

+ 150 C

520 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 55 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package

ST8L65N050DM9
STMicroelectronics
1: S/ 27.13
205En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ST8L65N050DM9

N.º de artículo de Mouser
511-ST8L65N050DM9

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 55 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package

Obtenga más información

Hoja de datos

205En existencias

Cinta cortada

S/ 27.13

S/ 19.22

Envase tipo carrete

S/ 19.22

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 50

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-4

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

35 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

107 nC

- 55 C

+ 150 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 32 mOhm typ. 62 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-247 long leads

STWA60N035M9
STMicroelectronics
1: S/ 35.35
288En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STWA60N035M9

N.º de artículo de Mouser
511-STWA60N035M9

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 32 mOhm typ. 62 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-247 long leads

Obtenga más información

Hoja de datos

288En existencias

S/ 35.35

S/ 25.71

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 50

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

62 A

35 mOhms

30 V

4.2 V

112 nC

- 55 C

+ 150 C

321 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET

SI2319DDS-T1-BE3
Vishay Semiconductors
1: S/ 1.89
2,214En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SI2319DDS-T1-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI2319DDS-T1-BE3

Nuevo producto

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET

2,214En existencias

S/ 1.89

S/ 1.35

S/ 0.843

S/ 0.581

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

SI2393DS-T1-BE3
Vishay Semiconductors
1: S/ 2.49
2,518En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SI2393DS-T1-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI2393DS-T1-BE3

Nuevo producto

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

2,518En existencias

S/ 2.49

S/ 1.55

S/ 1.04

S/ 0.753

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET

SI2392BDS-T1-BE3
Vishay Semiconductors
1: S/ 2.24
2,867En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SI2392BDS-T1-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI2392BDS-T1-BE3

Nuevo producto

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET

2,867En existencias

S/ 2.24

S/ 1.40

S/ 0.916

S/ 0.667

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET

SI2399BDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/ 1.81
2,582En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SI2399BDS-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI2399BDS-T1-GE3

Nuevo producto

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET

2,582En existencias

S/ 1.81

S/ 1.30

S/ 0.808

S/ 0.555

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

SISS4304DN-T1-UE3
Vishay Semiconductors
1: S/ 5.89
2,836En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SISS4304DN-T1-UE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISS4304DN-T1-UE3

Nuevo producto

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

2,836En existencias

S/ 5.89

S/ 3.74

S/ 2.47

S/ 2.03

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET

SI3425DV-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/ 1.98
2,940En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SI3425DV-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI3425DV-T1-GE3

Nuevo producto

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET

2,940En existencias

S/ 1.98

S/ 1.48

S/ 0.92

S/ 0.636

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

SIRA18DDP-T1-UE3
Vishay Semiconductors
1: S/ 1.89
2,940En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SIRA18DDP-T1-UE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIRA18DDP-T1-UE3

Nuevo producto

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

2,940En existencias

Más información disponible

S/ 1.89

S/ 1.15

S/ 0.92

S/ 0.873

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET

SI1425DH-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/ 1.81
2,946En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SI1425DH-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI1425DH-T1-GE3

Nuevo producto

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET

2,946En existencias

S/ 1.81

S/ 1.30

S/ 0.808

S/ 0.555

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V

SIHG050N65SF-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/ 31.91
425En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SIHG050N65SF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHG050N65SF-GE3

Nuevo producto

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V

425En existencias

S/ 31.91

S/ 22.92

S/ 21.59

S/ 13.07

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

SIRA14DDP-T1-UE3
Vishay Semiconductors
1: S/ 3.48
2,300En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SIRA14DDP-T1-UE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIRA14DDP-T1-UE3

Nuevo producto

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

2,300En existencias

S/ 3.48

S/ 2.15

S/ 1.42

S/ 1.11

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET

SIB5215DK-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/ 2.41
2,950En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SIB5215DK-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIB5215DK-T1-GE3

Nuevo producto

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET

2,950En existencias

S/ 2.41

S/ 1.49

S/ 0.998

S/ 0.722

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

SIRA12DDP-T1-UE3
Vishay Semiconductors
1: S/ 3.74
2,698En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SIRA12DDP-T1-UE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIRA12DDP-T1-UE3

Nuevo producto

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

2,698En existencias

S/ 3.74

S/ 2.33

S/ 1.60

S/ 1.25

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperQ power MOSFET 200 V, 25m? max, normal threshold level in TO-220 package

iS20M028S1P
iDEAL Semiconductor
1: S/ 18.19
2,077En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
iS20M028S1P

N.º de artículo de Mouser
25-IS20M028S1P

Nuevo producto

iDEAL Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperQ power MOSFET 200 V, 25m? max, normal threshold level in TO-220 package

Obtenga más información

Hoja de datos

2,077En existencias

S/ 18.19

S/ 11.91

S/ 8.90

S/ 7.91

S/ 7.05

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

40 A

25 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

26.5 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

SuperQ

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V 24V X2-DFN1006-3 T&R 10K

DMP21D1UFB4Q-7B
Diodes Incorporated
1: S/ 1.46
7,496En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
DMP21D1UFB4Q-7B

N.º de artículo de Mouser
621-DMP21D1UFB4Q-7B

Nuevo producto

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V 24V X2-DFN1006-3 T&R 10K

7,496En existencias

Cinta cortada

S/ 1.46

S/ 1.07

S/ 0.606

S/ 0.409

Ver

Envase tipo carrete

S/ 0.219

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 10,000

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

Advanced Linear Devices
Central Semiconductor
Comchip Technology
Diodes Incorporated
Diotec Semiconductor
GigaDevice
iDEAL Semiconductor
Infineon
IXYS
Linear Integrated Systems
Littelfuse
Microchip
Micro Commercial Components (MCC)
Nexperia
Nuvoton
onsemi
Panjit
Rectron
Renesas Electronics
ROHM Semiconductor
Shindengen
Soldered
STMicroelectronics
Taiwan Semiconductor
TE Connectivity
Texas Instruments
Torex Semiconductor
Toshiba
TT Electronics
Vishay
WeEn Semiconductors
YAGEO

1212-8S
1212-8SCD
1212-8SLW
1212-8W
2-10AF1A-9
2-10AG1A
6x5F
8 x 8LR
ACEPACK SMIT-9
APMCA-16
ATPAK-3
BGA-10
BGA-6
CCPAK1212
CCPAK1212-12
CCPAK1212i-12
CSP-6
CSPB1313-4
CSPB1515-4
CSPB2718-6

6 V
8 V
8 V, 8 V
9 V
10 V
10.6 V
12 V
12 V, 20 V
15 V
16 V
16.5 V
18 V
19 V
20 V
20 V, 12 V
20 V, 20 V
20 V, 30 V
20 V, 8 V
21 V, 20 V
22 V

150 uA
250 uA
520 uA
2 mA
2 mA, 4.8 mA
4.8 mA
5 mA
12 mA
13 mA
16 mA, 40 mA
19 mA
20 mA
21 mA
30 mA
35 mA
50 mA
53 mA
54 mA
60 mA
70 mA

290 uOhms
310 uOhms
350 uOhms
360 uOhms
390 uOhms
400 uOhms
410 uOhms
420 uOhms
440 uOhms
450 uOhms
460 uOhms
470 uOhms
480 uOhms
490 uOhms
500 uOhms
510 uOhms
520 uOhms
530 uOhms
540 uOhms
550 uOhms

- 500 mV, 5 V
- 500 mV, 8 V
- 200 mV, 7 V
- 40 V, 40 V
- 31 V, 31 V
- 30 V, - 20 V, 20 V, 30 V
- 30 V, 25 V
- 30 V, 30 V
- 25 V, - 16 V, 16 V, 25 V
- 25 V, - 20 V, 20 V, 25 V
- 25 V, 20 V
- 25 V, 25 V
- 25 V, 30 V
- 22 V, 22 V
- 21 V, 21 V
- 20 V to 20 V
- 20 V, - 12 V, 12 V, 20 V
- 20 V, - 12 V, 16 V, 20 V
- 20 V, 10 V
- 20 V, 12 V

0 V
20 mV
180 mV
220 mV
300 mV
350 mV
350 mV, 1 V
350 mV, 1.4 V
350 mV, 300 mV
400 mV
400 mV, 1 V
400 mV, 1.5 V
400 mV, 500 mV
400 mV, 800 mV
420 mV
450 mV
450 mV, 1 V
450 mV, 1.1 V
450 mV, 1.5 V
450 mV, 950 mV

70 pC, 850 pC
73 pC, 3 nC
170 pC, 230 pC
180 pC
210 pC
216 pC
223 pC
250 pC, 500 pC
260 pC
270 pC
280 pC
290 pC
300 pC
300 pC, 280 pC
304 pC
310 pC
320 pC
330 pC
340 pC
340 pC, 400 pC

290 uW
300 uW
470 uW
700 uW
1 mW
1.04 mW
1.13 mW
1.135 mW
1.2 mW
1.25 mW
1.3 mW
1.67 mW
1.785 mW
5 mW
10.9 mW
80 mW
92.5 mW
100 mW
120 mW
125 mW

2N7000
2N7002
2N7002A
2N7002W
ATTOmini
BIMOSFET
Clare
CoolMOS
CoolMOS, HiPerDyn
CoolMOS, ISOPLUS247
CoolSiC
DI003N03SQ2
DI006P02PW
DI008N09SQ
DI010N03PW
DI010N03PW-AQ
DI015N25D1
DI020N06D1
DI020P06PT
DI020P06PT-AQ