Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Vishay Semiconductors SIHG050N65SF-GE3
Vishay Semiconductors MOSFETs N-CHANNEL 650V
Vishay Semiconductors SIRA14DDP-T1-UE3
Vishay Semiconductors MOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
iDEAL Semiconductor MOSFETs SuperQ power MOSFET 200 V, 25m? max, normal threshold level in TO-220 package
Hoja de datos

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 40 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 26.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement SuperQ Tube
Vishay Semiconductors SQA437CEJW-T1_GE3
Vishay Semiconductors MOSFETs P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

Vishay Semiconductors SI2318HDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET

Vishay Semiconductors SIRA10DDP-T1-UE3
Vishay Semiconductors MOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Diodes Incorporated DMP21D1UFB4Q-7B
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V 24V X2-DFN1006-3 T&R 10K 7,496En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 10,000

Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated DMT3009LSSQ-13
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V SO-8 T&R 2.5K

Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix MOSFETs P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Hoja de datos
Si SMD/SMT PowerPAK 1212-8 P-Channel 1 Channel 30 V 195 A 1.7 mOhms - 20 V, 16 V 2.5 V 172.5 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement TrenchFET
iDEAL Semiconductor MOSFETs
Hoja de datos

Si SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 200 V 45 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 27.5 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement SuperQ Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
Hoja de datos

Si SMD/SMT PowerPAK 8 x 8L-4 N-Channel 1 Channel 100 V 296 A 2.53 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 181 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V
Hoja de datos

Si SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 150 V 190 A 3.9 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 74 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
Hoja de datos

Si OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs 250 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology
Hoja de datos

OptiMOS Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors MOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Hoja de datos

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 30 V 437 A 1.158 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 99 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay MOSFETs PWRPK 600V 24A N-CH MOSFET
Hoja de datos

Si SMD/SMT PowerPAK 10 x 12 N-Channel 1 Channel 600 V - 20 V, 20 V 5 V - 55 C + 150 C Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 400V 3.1A N-CH MOSFET
Hoja de datos
24,475En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 400 V 3.1 A 1.8 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 20 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix MOSFETs PPAKSO8 N-CH 30V 58A
Hoja de datos

Si SMD/SMT PowerPAK 1212-8 N-Channel 1 Channel 30 V 58 A 5.1 mOhms - 16 V, 20 V 2.2 V 19.4 nC - 55 C + 150 C 31.2 W Enhancement TrenchFET
Vishay MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Hoja de datos
Si SMD/SMT 1212-8S N-Channel 1 Channel 60 V 81.2 A 4.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 15.2 nC - 55 C + 150 C 4.8 W
Vishay MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
Hoja de datos

Si SMD/SMT PowerPAK SO-8L N-Channel 1 Channel 100 V 37 A 64 mOhms 20 V 2.5 V 84 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay MOSFETs N-CHANNEL 650V
Hoja de datos

Si SMD/SMT TO-247AC N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 33 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Vishay
Vishay MOSFETs N-CHANNEL 650V
Hoja de datos

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 65 mOhms 30 V 5 V 132 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Hoja de datos
3,243En existencias
6,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 P-Channel 1 Channel 60 V 90.9 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 74 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101
Hoja de datos
Comentarios de Producto

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 160 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 103 nC + 175 C 205 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs LVMOS SOP-8-ADV
Hoja de datos

Si SMD/SMT SOP-8 P-Channel 1 Channel 30 V 45 A 4 mOhms - 25 V, 20 V 2 V 190 nC + 150 C 45 W Enhancement