Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
SQRS160EP-T1_GE3
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PowerPAK SO-8SW
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3.2 V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
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PowerPAK SO-8L-4
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
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SIR680ADP-T1-BE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 200V
SIHFU220-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 500V
SIHFU420-GE3
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Through Hole
TO-251-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
ISC024N08NM7ATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
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Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 100 V
ISC040N10NM7ATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 100 V
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Si
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PG-TDSON-8
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 power MOSFET for automotive applications
IAUCN04S7N010GATMA1
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726-IAUCN04S7N010GAT
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 power MOSFET for automotive applications
550 En existencias
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S/9.03
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Si
SMD/SMT
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1 Channel
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OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600 V CoolMOS 8 Power Transistor
IPLT60R055CM8XTMA1
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726-IPLT60R055CM8XTM
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600 V CoolMOS 8 Power Transistor
500 En existencias
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S/27.74
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Si
SMD/SMT
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Enhancement
CoolMOS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 200V
SIHF620S-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 200V
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Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 600V
SIHFBC30AL-GE3
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78-SIHFBC30AL-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 600V
995 En existencias
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S/8.13
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S/5.16
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S/2.04
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Si
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHANNEL 200V
SIHFR9220TR-GE3
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78-SIHFR9220TR-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHANNEL 200V
1,920 En existencias
1
S/5.55
10
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25,000
S/1.30
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Detalles
Si
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHANNEL 60V
SIHFR9024TRL-GE3
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S/5.55
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78-SIHFR9024TRL-GE3
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Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHANNEL 60V
2,993 En existencias
1
S/5.55
10
S/3.50
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S/1.90
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S/1.51
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S/1.36
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S/1.33
25,000
S/1.30
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Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V
IQE036N08NM6SCATMA1
Infineon Technologies
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726-IQE036N08NM6SCAT
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V
630 En existencias
1
S/17.42
10
S/11.40
100
S/8.00
500
S/6.71
1,000
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6,000
S/5.81
1,000
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2,500
S/6.02
6,000
S/5.81
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Si
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100V
SIHF520S-GE3
Vishay Semiconductors
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N.º de artículo de Mouser
78-SIHF520S-GE3
Nuevo producto
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100V
807 En existencias
1
S/6.54
10
S/4.15
100
S/2.75
500
S/2.17
1,000
Ver
1,000
S/1.96
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S/1.79
5,000
S/1.62
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S/1.61
25,000
S/1.57
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHANNEL 60V
SIHFR9024-GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/5.55
2,980 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
78-SIHFR9024-GE3
Nuevo producto
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHANNEL 60V
2,980 En existencias
1
S/5.55
10
S/3.50
100
S/2.30
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S/1.83
1,000
Ver
1,000
S/1.62
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S/1.48
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S/1.33
10,000
S/1.25
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Si
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 30 V, 3.0 A, 0.095 ohm at 10V, DFN2020B(WF)
XSM6K336NW,LXHF
Toshiba
1:
S/3.23
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N.º de artículo de Mouser
757-XSM6K336NWLXHF
Nuevo producto
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 30 V, 3.0 A, 0.095 ohm at 10V, DFN2020B(WF)
2,030 En existencias
1
S/3.23
10
S/1.98
100
S/1.30
500
S/1.02
3,000
S/0.761
6,000
Ver
1,000
S/0.899
6,000
S/0.701
9,000
S/0.658
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DFN-6
N-Channel
1 Channel
30 V
3 A
95 mOhms
20 V
2.5 V
1.7 nC
+ 150 C
3.3 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V
SIHG110N65SF-GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/22.88
332 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
78-SIHG110N65SF-GE3
Nuevo producto
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V
332 En existencias
1
S/22.88
10
S/15.78
100
S/14.36
500
S/8.56
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-247AC-3
N-Channel
1 Channel
650 V
33 A
115 mOhms
20 V
5 V
83 nC
- 55 C
+ 150 C
313 W
Enhancement
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 48 mOhm typ., 44 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
ST8L65N065DM9
STMicroelectronics
1:
S/24.77
208 En existencias
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N.º de artículo de Mouser
511-ST8L65N065DM9
Nuevo producto
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 48 mOhm typ., 44 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
208 En existencias
1
S/24.77
10
S/19.82
3,000
S/19.82
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 50
Detalles
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-4
N-Channel
1 Channel
650 V
44 A
65 mOhms
- 30 V, 30 V
4.5 V
78 nC
- 55 C
+ 150 C
223 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V
ISC016N08NM8ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/19.95
500 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-ISC016N08NM8ATMA
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V
500 En existencias
1
S/19.95
10
S/13.03
100
S/10.19
500
S/8.51
1,000
Ver
1,000
S/7.91
2,500
S/7.40
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Si
SMD/SMT
PG-TDSON-8
N-Channel
1 Channel
80 V
268 A
1.54 mOhms
20 V
3.5 V
76 nC
- 55 C
+ 175 C
263 W
Enhancement
OptiMOS
Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V
SIHL050N65SF-GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/26.83
349 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
78-SIHL050N65SF-GE3
Nuevo producto
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V
349 En existencias
1
S/26.83
10
S/18.92
100
S/15.87
480
S/13.16
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-247AD-4L
N-Channel
1 Channel
650 V
64 A
52 mOhms
20 V
5 V
141 nC
- 55 C
+ 150 C
520 W
Enhancement
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NX3020NAKW-Q/SOT323/SC-70
NX3020NAKW-QX
Nexperia
1:
S/0.516
5,180 En existencias
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N.º de artículo de Mouser
771-NX3020NAKW-QX
Nuevo producto
Nexperia
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NX3020NAKW-Q/SOT323/SC-70
5,180 En existencias
1
S/0.516
10
S/0.288
100
S/0.241
500
S/0.237
3,000
S/0.215
6,000
Ver
1,000
S/0.224
6,000
S/0.202
9,000
S/0.176
24,000
S/0.155
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
SC-70-3
N-Channel
1 Channel
30 V
220 mA
3 Ohms
20 V
1.5 V
210 pC
- 55 C
+ 175 C
310 mW
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN S08FL
NVMFS5C456NLAFT1G-YE
onsemi
1:
S/5.89
1,184 En existencias
1,500 En pedido
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
863-FS5C456NLAFT1GYE
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN S08FL
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Detalles
Si
SMD/SMT
DFN-5
N-Channel
1 Channel
40 V
87 A
3.7 mOhms
20 V
2 V
18 nC
- 55 C
+ 175 C
55 W
Enhancement
Reel, Cut Tape