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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V NCH NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1657 A 595-CSD16570Q5B

CSD16570Q5BT
Texas Instruments
1: S/15.95
10,499En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD16570Q5BT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD16570Q5BT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V NCH NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1657 A 595-CSD16570Q5B

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10,499En existencias

Cinta cortada

S/15.95

S/10.45

S/6.02

Envase tipo carrete

S/6.02

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 250

SMD/SMT

VSON-CLIP-8

N-Channel

1 Channel

25 V

100 A

680 uOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

192 nC

- 40 C

+ 85 C

195 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low Side IntelliFET

ZXMS6005DN8Q-13
Diodes Incorporated
1: S/4.26
74,572En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ZXMS6005DN8Q-13

N.º de artículo de Mouser
621-ZXMS6005DN8Q-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low Side IntelliFET

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74,572En existencias

Cinta cortada

S/4.26

S/2.75

S/2.27

S/2.18

S/2.10

Envase tipo carrete

S/1.99

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

60 V

1.2 A

350 mOhms, 350 mOhms

- 5 V, 5 V

700 mV

- 40 C

+ 125 C

1.56 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

IPD30N06S2L23ATMA3
Infineon Technologies
1: S/5.89
58,936En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD30N06S2L23ATMA3

N.º de artículo de Mouser
726-IPD30N06S2L23AT3

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

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58,936En existencias

Cinta cortada

S/5.89

S/3.89

S/3.18

S/2.74

S/2.52

Envase tipo carrete

S/2.15

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

55 V

30 A

15.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1.6 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DSOP-ADV PD=170W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TPWR6003PL,L1Q
Toshiba
1: S/17.37
23,773En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPWR6003PL,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPWR6003PLL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DSOP-ADV PD=170W 1MHz PWR MOSFET TRNS

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23,773En existencias

Cinta cortada

S/17.37

S/11.44

S/8.04

S/7.27

S/6.79

Envase tipo carrete

S/6.79

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

DSOP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

150 A

840 uOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

170 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80-V (D-S)

SIR680LDP-T1-RE3
Vishay Semiconductors
1: S/14.15
79,779En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR680LDP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR680LDP-T1-RE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80-V (D-S)

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79,779En existencias

Cinta cortada

S/14.15

S/9.20

S/6.41

S/5.46

Envase tipo carrete

S/5.20

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

80 V

130 A

2.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

135 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPT022N10NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.88
1,671En existencias
1,800En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPT022N10NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT022N10NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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1,671En existencias

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S/14.88

S/9.72

S/6.79

S/5.89

S/5.50

Envase tipo carrete

S/5.50

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

100 V

236 A

2.25 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

103 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 4 AMP

STN3NF06L
STMicroelectronics
1: S/6.84
45,724En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STN3NF06L

N.º de artículo de Mouser
511-STN3NF06L

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 4 AMP

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45,724En existencias

Cinta cortada

S/6.84

S/4.34

S/2.90

S/2.28

Ver

Envase tipo carrete

S/1.89

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

SOT-223-4

N-Channel

1 Channel

60 V

4 A

100 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

7 nC

- 55 C

+ 150 C

3.3 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Sync Buck NexFET Power Block

CSD87330Q3D
Texas Instruments
1: S/6.28
50,437En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD87330Q3D

N.º de artículo de Mouser
595-CSD87330Q3D

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Sync Buck NexFET Power Block

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50,437En existencias

Cinta cortada

S/6.28

S/4.15

S/3.46

S/3.16

Envase tipo carrete

S/3.10

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

LSON-CLIP-8

N-Channel

2 Channel

30 V

20 A

- 8 V, 10 V

1 V, 750 mV

4.8 nC, 9.6 nC

- 55 C

+ 150 C

6 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHANNEL SOT-523

DMG1013T-7
Diodes Incorporated
1: S/1.08
1,537,193En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMG1013T-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMG1013T-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHANNEL SOT-523

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1,537,193En existencias

Cinta cortada

S/1.08

S/0.615

S/0.413

S/0.301

Envase tipo carrete

S/0.172

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-523-3

P-Channel

1 Channel

20 V

460 mA

1 Ohms

- 6 V, 6 V

1 V

622.4 pC

- 55 C

+ 150 C

270 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 350V 15Ohm

TN5335K1-G
Microchip Technology
1: S/3.96
27,701En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TN5335K1-G

N.º de artículo de Mouser
689-TN5335K1-G

Microchip Technology

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 350V 15Ohm

Hoja de datos

27,701En existencias

Cinta cortada

S/3.96

S/3.90

S/3.57

S/3.27

Envase tipo carrete

S/2.98

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

350 V

110 mA

15 Ohms

- 20 V, 20 V

600 mV

- 55 C

+ 150 C

360 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 95A TDSON-8

BSC052N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.49
16,787En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC052N08NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC052N08NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 95A TDSON-8

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16,787En existencias

Cinta cortada

S/10.49

S/6.62

S/5.29

S/4.34

Ver

Envase tipo carrete

S/4.01

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

95 A

7.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8

SI7617DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.98
39,760En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7617DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7617DN-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8

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Hoja de datos

39,760En existencias

Cinta cortada

S/5.98

S/3.78

S/2.51

S/1.96

S/1.78

Envase tipo carrete

S/1.59

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

P-Channel

1 Channel

30 V

35 A

12.3 mOhms

- 25 V, 25 V

1.2 V

39 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-6 T&R 3K

DMP3014SFDE-7
Diodes Incorporated
1: S/3.70
2,866En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
DMP3014SFDE-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMP3014SFDE-7

Nuevo producto

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-6 T&R 3K

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Hoja de datos

2,866En existencias

Cinta cortada

S/3.70

S/2.30

S/1.57

S/1.23

S/1.03

Envase tipo carrete

S/0.856

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

U-DFN2020-6

P-Channel

1 Channel

30 V

11.4 A

13.5 mOhms

- 25 V, 25 V

2.6 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

2.2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V 30V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K

DMT31M8LFVWQ-13
Diodes Incorporated
1: S/6.41
2,980En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
DMT31M8LFVWQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT31M8LFVWQ-13

Nuevo producto

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V 30V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K

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Hoja de datos

2,980En existencias

Cinta cortada

S/6.41

S/4.02

S/2.67

S/2.10

S/1.90

Envase tipo carrete

S/1.69

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerDI3333-8

N-Channel

1 Channel

30 V

24 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

43.1 nC

- 55 C

+ 150 C

3.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 40 V, 8.0 A, 0.0118 ohm at 10V, DFN2020B(WF)

XSM6K519NW,LXHF
Toshiba
1: S/4.26
2,985En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
XSM6K519NW,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-XSM6K519NWLXHF

Nuevo producto

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 40 V, 8.0 A, 0.0118 ohm at 10V, DFN2020B(WF)

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Hoja de datos

2,985En existencias

Cinta cortada

S/4.26

S/2.66

S/1.73

S/1.33

Envase tipo carrete

S/1.05

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

DFN-6

N-Channel

1 Channel

40 V

8 A

17.8 mOhms

20 V

2.5 V

6.5 nC

+ 175 C

4.3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch QFET Logic Level

FQD13N10LTM
onsemi
1: S/4.77
228,716En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FQD13N10LTM

N.º de artículo de Mouser
512-FQD13N10LTM

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch QFET Logic Level

Hoja de datos

228,716En existencias

Cinta cortada

S/4.77

S/2.99

S/1.97

S/1.52

Envase tipo carrete

S/1.25

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

10 A

180 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

8.7 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPD380P06NMATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.49
32,283En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD380P06NMATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD380P06NMATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Hoja de datos

32,283En existencias

Cinta cortada

S/10.49

S/5.98

S/4.82

S/3.70

S/3.46

Envase tipo carrete

S/3.40

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

35 A

38 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

63 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 49mOhm NexFET P ower MOSFET A 595-C A 595-CSD19538Q2

CSD19538Q2T
Texas Instruments
1: S/7.96
29,450En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD19538Q2T

N.º de artículo de Mouser
595-CSD19538Q2T

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 49mOhm NexFET P ower MOSFET A 595-C A 595-CSD19538Q2

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Hoja de datos

29,450En existencias

Cinta cortada

S/7.96

S/5.07

S/2.97

Envase tipo carrete

S/2.97

S/2.56

S/2.32

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 250

SMD/SMT

WSON-FET-6

N-Channel

1 Channel

100 V

14.4 A

59 mOhms

- 20 V, 20 V

3.2 V

4.3 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+

IPB120N10S405ATMA1
Infineon Technologies
1: S/16.90
14,550En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB120N10S405ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB120N10S405ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+

Obtenga más información

Hoja de datos

14,550En existencias

Cinta cortada

S/16.90

S/11.09

S/7.78

S/6.97

Envase tipo carrete

S/6.54

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

120 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.7 V

91 nC

- 55 C

+ 175 C

190 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPD053N08N3GATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.50
50,329En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD053N08N3GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD053N08N3GA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

Hoja de datos

50,329En existencias

Cinta cortada

S/9.50

S/6.88

S/5.42

S/4.86

Envase tipo carrete

S/4.86

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

90 A

5.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

52 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS

IPD30N08S2L21ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.45
36,717En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD30N08S2L21ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD30N08S2L21ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS

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36,717En existencias

Cinta cortada

S/10.45

S/6.75

S/4.60

S/3.68

S/3.62

Envase tipo carrete

S/3.38

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

75 V

30 A

15.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

72 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -18.6A DPAK-2

SPD18P06PGBTMA1
Infineon Technologies
1: S/7.22
51,127En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SPD18P06PGBTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPD18P06PGBTMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -18.6A DPAK-2

Hoja de datos

51,127En existencias

Cinta cortada

S/7.22

S/4.60

S/3.07

S/2.42

S/2.21

Envase tipo carrete

S/2.03

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

18.6 A

100 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

80 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PFET TSOP6 60V 2.5A 111MO

NVGS5120PT1G
onsemi
1: S/5.98
198,065En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVGS5120PT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVGS5120PT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PFET TSOP6 60V 2.5A 111MO

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Cinta cortada

S/5.98

S/3.74

S/2.48

S/1.95

S/1.76

Envase tipo carrete

S/1.56

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

60 V

2.5 A

72 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18.1 nC

- 55 C

+ 150 C

1.1 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET

FDC608PZ
onsemi
1: S/2.24
148,481En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDC608PZ

N.º de artículo de Mouser
512-FDC608PZ

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET

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Cinta cortada

S/2.24

S/1.53

S/1.14

S/0.972

S/0.886

Envase tipo carrete

S/0.843

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SSOT-6

P-Channel

1 Channel

20 V

5.8 A

30 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

1.6 W

Enhancement

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V/20V N-Ch PowerTrench SyncFET

FDMS7678
onsemi
1: S/5.16
72,296En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDMS7678

N.º de artículo de Mouser
512-FDMS7678

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V/20V N-Ch PowerTrench SyncFET

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Cinta cortada

S/5.16

S/3.38

S/2.35

S/1.84

S/1.55

Envase tipo carrete

S/1.47

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

Power-56-8

N-Channel

1 Channel

30 V

17.5 A

5.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

39 nC

- 55 C

+ 150 C

41 W

Enhancement

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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1212-8S
1212-8SCD
1212-8SLW
1212-8W
2-10AF1A-9
2-10AG1A
6x5F
8 x 8LR
ACEPACK SMIT-9
APMCA-16
ATPAK-3
BGA-10
BGA-6
CCPAK1212
CCPAK1212-12
CCPAK1212i-12
CSP-6
CSPB1313-4
CSPB1515-4
CSPB2718-6

6 V
8 V
8 V, 8 V
9 V
10 V
10.6 V
12 V
12 V, 20 V
15 V
16 V
16.5 V
18 V
19 V
20 V
20 V, 12 V
20 V, 20 V
20 V, 30 V
20 V, 8 V
21 V, 20 V
22 V

150 uA
250 uA
520 uA
2 mA
2 mA, 4.8 mA
4.8 mA
5 mA
12 mA
13 mA
16 mA, 40 mA
19 mA
20 mA
21 mA
30 mA
35 mA
50 mA
53 mA
54 mA
60 mA
70 mA

290 uOhms
310 uOhms
350 uOhms
360 uOhms
390 uOhms
400 uOhms
410 uOhms
0.42 mOhms
420 uOhms
440 uOhms
450 uOhms
460 uOhms
470 uOhms
480 uOhms
490 uOhms
500 uOhms
510 uOhms
520 uOhms
530 uOhms
540 uOhms

- 500 mV, 5 V
- 500 mV, 8 V
- 200 mV, 7 V
- 40 V, 40 V
- 31 V, 31 V
- 30 V, - 20 V, 20 V, 30 V
- 30 V, 25 V
- 30 V, 30 V
- 25 V, - 16 V, 16 V, 25 V
- 25 V, - 20 V, 20 V, 25 V
- 25 V, 20 V
- 25 V, 25 V
- 25 V, 30 V
- 22 V, 22 V
- 21 V, 21 V
- 20 V to 20 V
- 20 V, - 12 V, 12 V, 20 V
- 20 V, - 12 V, 16 V, 20 V
- 20 V, 10 V
- 20 V, 12 V

0 V
20 mV
180 mV
220 mV
300 mV
350 mV
350 mV, 1 V
350 mV, 1.4 V
350 mV, 300 mV
400 mV
400 mV, 1 V
400 mV, 1.5 V
400 mV, 500 mV
400 mV, 800 mV
420 mV
450 mV
450 mV, 1 V
450 mV, 1.1 V
450 mV, 1.5 V
450 mV, 950 mV

70 pC, 850 pC
73 pC, 3 nC
170 pC, 230 pC
180 pC
210 pC
216 pC
223 pC
250 pC, 500 pC
260 pC
270 pC
280 pC
290 pC
300 pC
300 pC, 280 pC
304 pC
310 pC
320 pC
330 pC
340 pC
340 pC, 400 pC

290 uW
300 uW
470 uW
700 uW
1 mW
1.04 mW
1.13 mW
1.135 mW
1.2 mW
1.25 mW
1.3 mW
1.67 mW
1.785 mW
5 mW
10.9 mW
80 mW
92.5 mW
100 mW
120 mW
125 mW

2N7000
2N7002
2N7002A
2N7002W
ATTOmini
BIMOSFET
Clare
CoolMOS
CoolMOS, HiPerDyn
CoolMOS, ISOPLUS247
CoolSiC
DI003N03SQ2
DI006P02PW
DI008N09SQ
DI010N03PW
DI010N03PW-AQ
DI015N25D1
DI020N06D1
DI020P06PT
DI020P06PT-AQ