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SQRS160EP-T1_GE3

Name: Vishay SQRS160EP-T1_GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SQRS160EP-T1_GE3
Price: 5.93 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

78-SQRS160EP-T1_GE3

Fabricante N.º:

SQRS160EP-T1_GE3

Fabricante:

Vishay Semiconductors

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	S/5.93	S/5.93

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerPAK SO-8SW
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	373 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	2 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.2 V
Qg - Carga de puerta:	130 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	270 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Vishay Semiconductors
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	DE
Tiempo de caída:	14 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	150 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	14 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	53 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	23 ns