Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
IPA050N10NM5SXKSA1
Infineon Technologies
1:
S/13.67
1,627 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPA050N10NM5SXKS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
1,627 En existencias
1
S/13.67
10
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S/5.98
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220FP-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2
IPB017N08N5
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1:
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726-IPB017N08N5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2
897 En existencias
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1
S/27.61
10
S/21.16
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S/17.11
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S/13.46
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S/13.42
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2
IPB020N08N5ATMA1
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726-IPB020N08N5ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2
900 En existencias
1
S/23.31
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S/10.06
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S/8.21
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A D2PAK-2
IPB026N06NATMA1
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726-IPB026N06NATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A D2PAK-2
1,596 En existencias
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1
S/13.72
10
S/8.94
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S/6.11
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S/4.34
2,000
S/4.20
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T2
IPB100N04S4H2ATMA1
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726-IPB100N04S4H2ATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T2
1,892 En existencias
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1
S/10.92
10
S/8.04
100
S/5.42
500
S/4.47
1,000
S/3.84
2,000
S/3.62
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
IPB65R099CFD7AATMA1
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797 En existencias
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726-IPB65R099CFD7AAT
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
797 En existencias
1
S/25.16
10
S/16.86
100
S/12.13
500
S/12.00
1,000
S/10.19
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Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
IPD50N04S408ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/5.25
6,202 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD50N04S408ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
6,202 En existencias
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1
S/5.25
10
S/3.09
100
S/2.16
500
S/1.68
2,500
S/1.30
5,000
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1,000
S/1.53
5,000
S/1.16
10,000
S/1.13
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2,500
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
IPD90N06S405ATMA2
Infineon Technologies
1:
S/9.42
13,881 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD90N06S405ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
13,881 En existencias
1
S/9.42
10
S/6.11
100
S/4.08
500
S/3.26
1,000
Ver
2,500
S/2.62
1,000
S/3.12
2,500
S/2.62
25,000
Presupuesto
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Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch -40V FET 1650pF -9A 1.9W
+1 imagen
TPC8133,LQ(S
Toshiba
1:
S/9.12
2,339 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-TPC8133LQS
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch -40V FET 1650pF -9A 1.9W
2,339 En existencias
1
S/9.12
10
S/5.85
100
S/3.95
500
S/3.14
2,500
S/2.52
5,000
Ver
1,000
S/2.94
5,000
S/2.44
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2,500
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
SOP-8
P-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V DPAK (TO-252) N-CHANNEL
SIHD690N60E-GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/10.54
2,611 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SIHD690N60E-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V DPAK (TO-252) N-CHANNEL
2,611 En existencias
1
S/10.54
10
S/6.71
100
S/4.47
500
S/3.65
1,000
Ver
1,000
S/3.23
3,000
S/2.95
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Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
SIHG018N60E-GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/76.67
598 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SIHG018N60E-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
598 En existencias
1
S/76.67
10
S/48.72
100
S/48.68
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Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247AC-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 41A N-CH MOSFET
SIHP068N60EF-GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/31.99
1,358 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SIHP068N60EF-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 41A N-CH MOSFET
1,358 En existencias
1
S/31.99
10
S/20.98
100
S/15.44
500
S/13.72
1,000
S/12.30
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
N-Channel
Módulos IGBT 1200V, 80A Tch IGBT SOT-227 Bplr Tnstr
VS-GT80DA120U
Vishay Semiconductors
1:
S/183.35
132 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-VS-GT80DA120U
Vishay Semiconductors
Módulos IGBT 1200V, 80A Tch IGBT SOT-227 Bplr Tnstr
132 En existencias
1
S/183.35
10
S/140.70
100
S/130.89
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Detalles
IGBT Modules
Si
Screw Mount
SOT-227-4
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 16.4A 3.8W 7.8mohm @ 10V
SI7116DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/13.24
6,449 En existencias
N.º de artículo de Mouser
781-SI7116DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 16.4A 3.8W 7.8mohm @ 10V
6,449 En existencias
1
S/13.24
10
S/8.60
100
S/5.98
500
S/5.03
3,000
S/4.77
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerPAK-1212-8
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 12V Vgs SO-8
+2 imágenes
SI9926CDY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/8.00
5,063 En existencias
N.º de artículo de Mouser
781-SI9926CDY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 12V Vgs SO-8
5,063 En existencias
1
S/8.00
10
S/5.12
100
S/3.43
500
S/2.71
2,500
S/2.23
5,000
Ver
1,000
S/2.50
5,000
S/2.21
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
SIA421DJ-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/6.58
5,890 En existencias
N.º de artículo de Mouser
781-SIA421DJ-T1-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
5,890 En existencias
1
S/6.58
10
S/4.16
100
S/2.77
500
S/2.18
1,000
S/1.98
3,000
S/1.81
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
SC-70-6
P-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
+1 imagen
SIHG47N60E-E3
Vishay / Siliconix
1:
S/44.94
892 En existencias
N.º de artículo de Mouser
781-SIHG47N60E-E3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
892 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/44.94
10
S/30.49
100
S/25.97
500
S/24.34
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 5.5A N-CH MOSFET
IRFIB6N60APBF
Vishay Semiconductors
1:
S/16.08
5,220 En existencias
1,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
844-IRFIB6N60APBF
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 5.5A N-CH MOSFET
5,220 En existencias
1,000 En pedido
1
S/16.08
10
S/10.54
100
S/9.20
500
S/8.08
1,000
Ver
1,000
S/7.78
2,000
S/7.74
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRLU
IRLU014PBF
Vishay Semiconductors
1:
S/8.30
5,088 En existencias
N.º de artículo de Mouser
844-IRLU014PBF
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRLU
5,088 En existencias
1
S/8.30
10
S/3.64
100
S/2.51
500
S/2.31
1,000
Ver
1,000
S/2.09
3,000
S/2.08
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-251-3
N-Channel
GaN FETs GaN HEMT VHF-3.0GHz, 30 Watt
CGH27030P
MACOM
1:
S/619.80
58 En existencias
N.º de artículo de Mouser
941-CGH27030P
MACOM
GaN FETs GaN HEMT VHF-3.0GHz, 30 Watt
58 En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
GaN FETs
GaN
SMD/SMT
440196
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 55V 90A 3.85mohm TO-252 / DPAK
NP90N055VUK-E1-AY
Renesas Electronics
1:
S/12.17
2,463 En existencias
N.º de artículo de Mouser
968-NP90N055VUKE1AY
Renesas Electronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 55V 90A 3.85mohm TO-252 / DPAK
2,463 En existencias
1
S/12.17
10
S/7.91
100
S/5.46
500
S/4.47
2,500
S/3.68
5,000
Ver
1,000
S/4.39
5,000
S/3.64
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
TO-252-4
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8 T&R 2.5K
+2 imágenes
DMN6040SSSQ-13
Diodes Incorporated
1:
S/3.27
2,474 En existencias
N.º de artículo de Mouser
621-DMN6040SSSQ-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8 T&R 2.5K
2,474 En existencias
1
S/3.27
10
S/2.01
100
S/1.32
500
S/1.04
2,500
S/0.735
5,000
Ver
1,000
S/0.89
5,000
S/0.671
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
MOSFETs
Si
Módulos IGBT PIM Q0 T-TYPE NPC 80A 1200V SOLDER PINS TIM
NXH80T120L2Q0S2TG
onsemi
1:
S/336.48
23 En existencias
N.º de artículo de Mouser
863-NXH80T120L2Q0S2T
onsemi
Módulos IGBT PIM Q0 T-TYPE NPC 80A 1200V SOLDER PINS TIM
23 En existencias
1
S/336.48
10
S/292.31
120
S/255.68
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
IGBT Modules
Si
Press Fit
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
SQJ443AEP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/5.85
2,097 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SQJ443AEP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
2,097 En existencias
1
S/5.85
10
S/3.62
100
S/2.37
500
S/1.82
3,000
S/1.50
6,000
Ver
1,000
S/1.76
6,000
S/1.41
9,000
S/1.36
24,000
S/1.32
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerPAK SO-8L
P-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 14.5 MOHM T8 S08FL DUAL
NTMFD5C478NLT1G
onsemi
1:
S/6.79
1,500 En existencias
N.º de artículo de Mouser
863-NTMFD5C478NLT1G
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 14.5 MOHM T8 S08FL DUAL
1,500 En existencias
1
S/6.79
10
S/6.45
100
S/4.26
500
S/3.36
1,000
S/2.02
1,500
S/1.78
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1,500
Detalles
MOSFETs
Si