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Transistores

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO251 200V 3.6A P-CH MOSFET

IRFU9220PBF
Vishay Semiconductors
1: S/7.65
7,222En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFU9220PBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFU9220PBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO251 200V 3.6A P-CH MOSFET

Hoja de datos

7,222En existencias

S/7.65

S/5.59

S/4.60

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-251-3

P-Channel

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) BIP NPN 4A 100V TR

NJVMJD243T4G
onsemi
1: S/5.20
9,761En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NJVMJD243T4G

N.º de artículo de Mouser
863-NJVMJD243T4G

onsemi

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) BIP NPN 4A 100V TR

Hoja de datos

9,761En existencias

Cinta cortada

S/5.20

S/2.48

S/1.88

S/1.63

Envase tipo carrete

S/1.27

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

BJTs - Bipolar Transistors

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

NPN

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch Power MOSFET -40V -100A 3.5mohm TO-263 / D2PAK

NP100P04PDG-E1-AY
Renesas Electronics
1: S/25.59
917En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NP100P04PDG-E1-AY

N.º de artículo de Mouser
968-NP100P04PDGE1AY

Renesas Electronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch Power MOSFET -40V -100A 3.5mohm TO-263 / D2PAK

Obtenga más información

Hoja de datos

917En existencias

Cinta cortada

S/25.59

S/16.77

S/12.81

S/11.95

Envase tipo carrete

S/10.41

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

P-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 30V 25A 6.3mohm SON-8 3.3x3.3

RJK03M5DNS-00#J5
Renesas Electronics
1: S/7.61
4,258En existencias
4,400En pedido

N.º de artículo del Fabricante
RJK03M5DNS-00#J5

N.º de artículo de Mouser
968-RJK03M5DNS-00#J5

Renesas Electronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 30V 25A 6.3mohm SON-8 3.3x3.3

Hoja de datos

4,258En existencias

4,400En pedido

Cinta cortada

S/7.61

S/4.86

S/3.24

S/2.56

Envase tipo carrete

S/1.95

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

MOSFETs

SMD/SMT

HWSON-8

N-Channel

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AF TRANS GP BJT PNP 40V 0.2A

MMBT 3906 LT1
Infineon Technologies
1: S/1.63
370,835En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MMBT 3906 LT1

N.º de artículo de Mouser
726-MMBT3906LT1

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AF TRANS GP BJT PNP 40V 0.2A

Hoja de datos

370,835En existencias

Cinta cortada

S/1.63

S/1.12

S/0.714

S/0.447

Envase tipo carrete

S/0.34

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors

SMD/SMT

SOT-23-3

PNP

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V 30V SO-8 T&R 2.5K

DMN3011LSSQ-13
Diodes Incorporated
1: S/3.70
1,494En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
DMN3011LSSQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMN3011LSSQ-13

Nuevo producto

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V 30V SO-8 T&R 2.5K

Hoja de datos

1,494En existencias

Cinta cortada

S/3.70

S/2.26

S/1.49

S/1.17

Envase tipo carrete

S/0.821

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

MOSFETs de SiC SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS

DMWSH120H37SM4
Diodes Incorporated
1: S/75.38
30En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
DMWSH120H37SM4

N.º de artículo de Mouser
621-DMWSH120H37SM4

Nuevo producto

Diodes Incorporated

MOSFETs de SiC SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS

Hoja de datos

30En existencias

S/75.38

S/46.78

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SS Low Sat Transistor W-DFN2020-3/SWP T&R 3K

DSS4310FJAWQ-7
Diodes Incorporated
1: S/3.57
3,820En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
DSS4310FJAWQ-7

N.º de artículo de Mouser
621-DSS4310FJAWQ-7

Nuevo producto

Diodes Incorporated

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SS Low Sat Transistor W-DFN2020-3/SWP T&R 3K

Hoja de datos

3,820En existencias

Más información disponible

Cinta cortada

S/3.57

S/2.20

S/1.44

S/1.14

S/0.972

Envase tipo carrete

S/0.826

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V 30V X4-DSN1006-3 T&R 10K

DMN3059LCA3-7
Diodes Incorporated
1: S/1.72
9,864En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
DMN3059LCA3-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN3059LCA3-7

Nuevo producto

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V 30V X4-DSN1006-3 T&R 10K

9,864En existencias

Cinta cortada

S/1.72

S/1.28

S/0.727

S/0.49

Envase tipo carrete

S/0.254

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 10,000

MOSFETs

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V 24V X2-DFN2015-3 T&R 3K

DMP2068UFY4Q-7
Diodes Incorporated
1: S/2.15
2,980En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
DMP2068UFY4Q-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMP2068UFY4Q-7

Nuevo producto

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V 24V X2-DFN2015-3 T&R 3K

Hoja de datos

2,980En existencias

Cinta cortada

S/2.15

S/1.58

S/0.98

S/0.679

Envase tipo carrete

S/0.452

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V 30V SO-8 T&R 2.5K

DMT35M4LSS-13
Diodes Incorporated
1: S/3.48
2,460En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
DMT35M4LSS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT35M4LSS-13

Nuevo producto

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V 30V SO-8 T&R 2.5K

Hoja de datos

2,460En existencias

Cinta cortada

S/3.48

S/2.15

S/1.41

S/1.11

Envase tipo carrete

S/0.748

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

MOSFETs

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K

MJD45H11-13
Diodes Incorporated
1: S/3.10
2,129En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
MJD45H11-13

N.º de artículo de Mouser
621-MJD45H11-13

Nuevo producto

Diodes Incorporated

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K

Hoja de datos

2,129En existencias

Cinta cortada

S/3.10

S/1.96

S/1.59

S/1.52

S/1.40

Envase tipo carrete

S/1.16

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

BJTs - Bipolar Transistors

SMD/SMT

TO-252-3 (DPAK)

PNP

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA95R130PFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/25.80
449En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA95R130PFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA95R130PFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

449En existencias

S/25.80

S/14.02

S/12.86

S/11.31

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

BSC016N06NSTATMA1
Infineon Technologies
1: S/16.64
13,546En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC016N06NSTATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC016N06NSTATM1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

13,546En existencias

Cinta cortada

S/16.64

S/10.92

S/7.65

S/6.84

Ver

Envase tipo carrete

S/5.93

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

MOSFETs

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC054N04NS G
Infineon Technologies
1: S/5.89
121,753En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC054N04NS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC054N04NSG

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

121,753En existencias

Cinta cortada

S/5.89

S/3.66

S/2.38

S/1.84

Envase tipo carrete

S/1.33

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

MOSFETs

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V NFET

NVMFS5C628NLT1G
onsemi
1: S/14.02
22,253En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C628NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C628NLT1G

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V NFET

Hoja de datos

22,253En existencias

Cinta cortada

S/14.02

S/9.33

S/6.97

S/5.68

Envase tipo carrete

S/5.46

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

MOSFETs

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

Módulos IGBT 1700 V, 200 A dual IGBT module

FF200R17KE4HOSA1
Infineon Technologies
1: S/467.15
13En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FF200R17KE4HOSA1

N.º de artículo de Mouser
726-FF200R17KE4HOSA1

Infineon Technologies

Módulos IGBT 1700 V, 200 A dual IGBT module

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Hoja de datos

13En existencias

S/467.15

S/420.50

S/392.46

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules

Screw Mount

Module

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

FDC8878
onsemi
1: S/4.77
12,366En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDC8878

N.º de artículo de Mouser
512-FDC8878

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

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Hoja de datos

12,366En existencias

Cinta cortada

S/4.77

S/3.20

S/2.49

S/2.18

Envase tipo carrete

S/2.02

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

SSOT-6

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V N-Ch QFET Logic Level

FQB19N20TM
onsemi
1: S/12.77
11,730En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FQB19N20TM

N.º de artículo de Mouser
512-FQB19N20TM

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V N-Ch QFET Logic Level

Hoja de datos

11,730En existencias

Cinta cortada

S/12.77

S/8.30

S/5.76

S/5.68

Envase tipo carrete

S/4.47

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-2

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Single

FQB34N20LTM
onsemi
1: S/19.57
1,341En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FQB34N20LTM

N.º de artículo de Mouser
512-FQB34N20LTM

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Single

Obtenga más información

Hoja de datos

1,341En existencias

Cinta cortada

S/19.57

S/12.94

S/9.20

S/8.73

Envase tipo carrete

S/7.96

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

MOSFETs

SMD/SMT

TO-263-2

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel QFET

FQD8P10TM
onsemi
1: S/5.20
16,536En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FQD8P10TM

N.º de artículo de Mouser
512-FQD8P10TM

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel QFET

Hoja de datos

16,536En existencias

Cinta cortada

S/5.20

S/3.26

S/2.15

S/1.67

Envase tipo carrete

S/1.34

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Matched Monolithic Quad Transistor

MAT14ARZ-R7
Analog Devices
1: S/61.49
256En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MAT14ARZ-R7

N.º de artículo de Mouser
584-MAT14ARZ-R7

Analog Devices

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Matched Monolithic Quad Transistor

Hoja de datos

256En existencias

Cinta cortada

S/61.49

S/42.96

S/40.55

Envase tipo carrete

S/34.62

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

BJTs - Bipolar Transistors

SMD/SMT

SOIC-14

NPN

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V N-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD13381 A 595-CSD13381F4

CSD13381F4T
Texas Instruments
1: S/5.81
5,181En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD13381F4T

N.º de artículo de Mouser
595-CSD13381F4T

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V N-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD13381 A 595-CSD13381F4

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Hoja de datos

5,181En existencias

Cinta cortada

S/5.81

S/3.65

S/2.09

Envase tipo carrete

S/2.09

S/1.78

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 250

MOSFETs

SMD/SMT

PICOSTAR-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel NexFET Pow er MOSFET

CSD16342Q5A
Texas Instruments
1: S/7.10
4,540En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD16342Q5A

N.º de artículo de Mouser
595-CSD16342Q5A

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel NexFET Pow er MOSFET

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Hoja de datos

4,540En existencias

Cinta cortada

S/7.10

S/4.52

S/1.87

Envase tipo carrete

S/1.87

S/1.75

S/1.68

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V PCH NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD7520 A 595-CSD75208W1015

CSD75208W1015T
Texas Instruments
1: S/7.27
8,784En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD75208W1015T

N.º de artículo de Mouser
595-CSD75208W1015T

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V PCH NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD7520 A 595-CSD75208W1015

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Hoja de datos

8,784En existencias

Cinta cortada

S/7.27

S/4.64

S/2.36

Envase tipo carrete

S/2.36

S/2.18

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 250

MOSFETs

SMD/SMT

DSBGA-6

P-Channel

Transistores

Tipos de Transistores

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

Advanced Linear Devices
Ampleon
Analog Devices Inc.
APC-E
Bourns
CEL
Central Semiconductor
CML Micro
Coherent
Comchip Technology
Diodes Incorporated
Diotec Semiconductor
EPC
GigaDevice
Guerrilla RF
iDEAL Semiconductor
Infineon
InterFET
IXYS
Linear Integrated Systems
Littelfuse
MACOM
Microchip
Micro Commercial Components (MCC)
Mini-Circuits
Mitsubishi Electric
Navitas Semiconductor
Nexperia
Nuvoton
NXP
onsemi
Panasonic
Panjit
Qorvo
Rectron
Renesas Electronics
ROHM Semiconductor
SanRex
Schneider Electric
SemiQ
Shindengen
Skyworks
Soldered
STMicroelectronics
Taiwan Semiconductor
TDK-Lambda
TE Connectivity
Texas Instruments
THAT Corporation
Torex Semiconductor
Toshiba
TT Electronics
Vishay
WeEn Semiconductors
Wolfspeed
YAGEO
ZiLOG

0.41 mm x 0.34 mm
1.4 mm x 1.2 mm
1.42 mm x 1.2 mm x 0.85 mm
100 mm x 140 mm
106.4 mm x 61.4 mm
106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm
108 mm x 67.3 mm x 17.2 mm
110 mm x 65 mm x 12.2 mm
1212-8S
1212-8SCD
1212-8SLW
1212-8W
130 mm x 103 mm x 20.55 mm
130 mm x 140 mm
140 mm x 190 mm
144 mm x 99.8 mm
152 mm x 62.15 mm
152 mm x 62.5 mm x 20.5 mm
152 mm x 62.5 mm x 20.8 mm
183AB