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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -16V Enh FET 8Vgss -12A 0.65W

DMG3415UFY4Q-7
Diodes Incorporated
1: S/2.88
11,416En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMG3415UFY4Q-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMG3415UFY4Q-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -16V Enh FET 8Vgss -12A 0.65W

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S/2.88

S/1.58

S/1.08

S/0.869

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S/0.546

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: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

X2-DFN2015-3

P-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

DMHT3006LFJ-13
Diodes Incorporated
1: S/7.83
9,552En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMHT3006LFJ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMHT3006LFJ-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

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9,552En existencias

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S/7.83

S/4.52

S/3.22

S/2.64

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S/2.06

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: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

V-DFN5045-12

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Enh Mode FET 40V 25mOhm -8.6A

DMP4025LK3-13
Diodes Incorporated
1: S/4.09
7,954En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMP4025LK3-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMP4025LK3-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Enh Mode FET 40V 25mOhm -8.6A

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7,954En existencias

Cinta cortada

S/4.09

S/2.57

S/1.90

S/1.59

Envase tipo carrete

S/1.12

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: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NCh DEPLETION-MODE VERTICAL DMOS FET

DN3765K4-G
Microchip Technology
1: S/14.10
1,697En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DN3765K4-G

N.º de artículo de Mouser
689-DN3765K4-G

Microchip Technology

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NCh DEPLETION-MODE VERTICAL DMOS FET

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S/14.10

S/14.02

S/11.87

S/10.75

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S/10.36

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: 2,000

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TDSON-8

BSC036NE7NS3 G
Infineon Technologies
1: S/13.89
10,931En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC036NE7NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC036NE7NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TDSON-8

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S/13.89

S/9.03

S/6.62

S/5.55

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: 5,000

MOSFETs

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 82A TDSON-8

BSC061N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.92
6,010En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC061N08NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC061N08NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 82A TDSON-8

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S/10.92

S/6.84

S/4.86

S/3.86

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S/3.13

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: 5,000

MOSFETs

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

BSL211SPH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/3.87
11,377En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSL211SPH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSL211SPH6327XTS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

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S/2.27

S/1.57

S/1.20

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: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

Módulos MOSFET 3-Level 1200 V CoolSiC MOSFET Easy Module

F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1
Infineon Technologies
1: S/490.93
25En existencias

N.º de artículo del Fabricante
F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1

N.º de artículo de Mouser
726-F3L8MR12W2M1HPB1

Infineon Technologies

Módulos MOSFET 3-Level 1200 V CoolSiC MOSFET Easy Module

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25En existencias

S/490.93

S/416.37

S/416.33

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MOSFET Modules

SMD/SMT

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6

IPB010N06N
Infineon Technologies
1: S/25.33
2,566En existencias
997En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPB010N06N

N.º de artículo de Mouser
726-IPB010N06N

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6

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997En pedido

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S/25.33

S/19.18

S/15.52

S/13.85

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S/12.17

S/12.13

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Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

IPB036N12N3 G
Infineon Technologies
1: S/27.09
1,198En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB036N12N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB036N12N3GXT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

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S/27.09

S/20.77

S/16.81

S/14.92

Envase tipo carrete

S/13.20

S/13.16

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: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 120A D2PAK-2

IPB120N06S403ATMA2
Infineon Technologies
1: S/15.57
1,997En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB120N06S403ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB120N06S403ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 120A D2PAK-2

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S/15.57

S/10.19

S/7.10

S/6.19

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S/5.03

S/4.86

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: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R180C7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.64
2,702En existencias

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IPB60R180C7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R180C7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/12.64

S/8.39

S/7.05

S/4.90

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S/4.86

S/4.69

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: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2

IPD025N06N
Infineon Technologies
1: S/13.29
13,564En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD025N06N

N.º de artículo de Mouser
726-IPD025N06N

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2

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S/13.29

S/8.60

S/6.32

S/5.33

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S/4.60

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: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

IPD30N06S223ATMA2
Infineon Technologies
1: S/6.97
14,361En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD30N06S223ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD30N06S223ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

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14,361En existencias

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S/6.97

S/4.77

S/3.20

S/2.53

Envase tipo carrete

S/1.99

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R750P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.99
4,517En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R750P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R750P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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4,517En existencias

Cinta cortada

S/8.99

S/5.72

S/3.85

S/3.05

Envase tipo carrete

S/2.21

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

IPD90N10S4L-06
Infineon Technologies
1: S/12.38
3,782En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD90N10S4L-06

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90N10S4L-06

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

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Cinta cortada

S/12.38

S/8.00

S/5.72

S/4.77

S/4.13

Envase tipo carrete

S/4.13

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Mult.: 1

: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -8.8A DPAK-2

SPD08P06PGXT
Infineon Technologies
1: S/5.20
20,817En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SPD08P06PGXT

N.º de artículo de Mouser
726-SPD08P06PGXT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -8.8A DPAK-2

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20,817En existencias

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S/5.20

S/3.24

S/2.12

S/1.64

Envase tipo carrete

S/1.35

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Min.: 1
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: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds; +/-30V Vgs TO-220 FULLPAK

SIHA240N60E-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/16.25
1,113En existencias
1,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SIHA240N60E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHA240N60E-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds; +/-30V Vgs TO-220 FULLPAK

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1,113En existencias

1,000En pedido

S/16.25

S/10.58

S/8.08

S/6.79

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Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds; 30V Vgs D2PAK (TO-263)

SIHB100N60E-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/25.28
856En existencias
956En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SIHB100N60E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHB100N60E-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds; 30V Vgs D2PAK (TO-263)

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S/25.28

S/13.37

S/12.21

S/11.40

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MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

SIHB15N60E-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/17.63
980En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHB15N60E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHB15N60E-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

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S/17.63

S/11.61

S/8.17

S/7.01

Envase tipo carrete

S/7.01

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 8.4A N-CH MOSFET

SIHG186N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/19.14
832En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHG186N60EF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHG186N60EF-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 8.4A N-CH MOSFET

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832En existencias

S/19.14

S/10.92

S/10.62

S/8.90

S/7.83

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-247AD

SIHW47N60E-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/44.94
922En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHW47N60E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHW47N60E-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-247AD

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922En existencias

S/44.94

S/26.70

S/25.67

S/24.34

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MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7942DP-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/16.81
4,032En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7942DP-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7942DP-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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S/16.81

S/10.71

S/7.74

S/6.92

Envase tipo carrete

S/6.58

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Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8

SIR404DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/11.83
6,473En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR404DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SIR404DP-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8

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S/11.83

S/7.65

S/5.29

S/4.28

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S/4.05

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: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 200V 19A N-CH MOSFET

SUD19N20-90-E3
Vishay Semiconductors
1: S/12.94
1,291En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUD19N20-90-E3

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Vishay Semiconductors

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S/6.19

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MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

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SanRex
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STMicroelectronics
Taiwan Semiconductor
TDK-Lambda
TE Connectivity
Texas Instruments
THAT Corporation
Torex Semiconductor
Toshiba
TT Electronics
Vishay
WeEn Semiconductors
Wolfspeed
YAGEO
ZiLOG

0.41 mm x 0.34 mm
1.4 mm x 1.2 mm
1.42 mm x 1.2 mm x 0.85 mm
100 mm x 140 mm
106.4 mm x 61.4 mm
106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm
108 mm x 67.3 mm x 17.2 mm
110 mm x 65 mm x 12.2 mm
1212-8S
1212-8SCD
1212-8SLW
1212-8W
130 mm x 103 mm x 20.55 mm
130 mm x 140 mm
140 mm x 190 mm
144 mm x 99.8 mm
152 mm x 62.15 mm
152 mm x 62.5 mm x 20.5 mm
152 mm x 62.5 mm x 20.8 mm
183AB