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STMicroelectronics MOSFETs de SiC

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Resultados: 68

Filtros aplicados:

Fabricante = STMicroelectronics

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Restablecer todos

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En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 21.5 mOhm typ., 60 A

SCT018HU65G3AG
STMicroelectronics
1: S/ 86.04
Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT018HU65G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT018HU65G3AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 21.5 mOhm typ., 60 A

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas

Cinta cortada

S/ 86.04

S/ 68.93

S/ 64.72

Envase tipo carrete

S/ 54.95

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

60 A

29 mOhms

-10 V, 22 V

4.2 V

82.5 nC

- 55 C

+ 175 C

388 W

Enhancement

AEC-Q100

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A

SCT018W65G3AG
STMicroelectronics
600: S/ 54.87
Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT018W65G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT018W65G3AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas

S/ 54.87

Min.: 600
Mult.: 600

Through Hole

HiP247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

-10 V, 22 V

4.2 V

76 nC

- 55 C

+ 200 C

398 W

Enhancement

AEC-Q100

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A in a HiP247-4 package

SCT019W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: S/ 87.51
Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT019W120G3-4AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT019W120G3-4AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A in a HiP247-4 package

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas

S/ 87.51

S/ 72.93

S/ 72.03

S/ 63.21

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

90 A

26 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.2 V

120 nC

- 55 C

+ 200 C

486 W

AEC-Q100

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A

SCT020H120G3AG
STMicroelectronics
1: S/ 79.29
Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT020H120G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT020H120G3AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas

Cinta cortada

S/ 79.29

S/ 63.51

S/ 54.91

S/ 54.87

Envase tipo carrete

S/ 48.55

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

AEC-Q100

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package

SCT025W120G3-4
STMicroelectronics
600: S/ 56.63
Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT025W120G3-4

N.º de artículo de Mouser
511-SCT025W120G3-4

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas

S/ 56.63

Min.: 600
Mult.: 600

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

37 mOhms

-10 V, 22 V

4.2 V

73 nC

- 55 C

+ 200 C

388 W

Enhancement

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in a TO-LL package

SCT027TO65G3
STMicroelectronics
1,800: S/ 36.46
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT027TO65G3

N.º de artículo de Mouser
511-SCT027TO65G3

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in a TO-LL package

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

Envase tipo carrete

S/ 36.46

Min.: 1,800
Mult.: 1,800

Carrete: 1,800

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package

SCT040W120G3
STMicroelectronics
600: S/ 55.60
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT040W120G3

N.º de artículo de Mouser
511-SCT040W120G3

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas

S/ 55.60

Min.: 600
Mult.: 600

Through Hole

HiP247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

-10 V, 22 V

4.2 V

56 nC

- 55 C

+ 200 C

312 W

Enhancement

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package

SCT070H120G3-7
STMicroelectronics
1,000: S/ 24.90
Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT070H120G3-7

N.º de artículo de Mouser
511-SCT070H120G3-7

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas

Envase tipo carrete

S/ 24.90

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Carrete: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

30 A

87 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

223 W

Enhancement

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT070W120G3-4
STMicroelectronics
1: S/ 47.04
Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT070W120G3-4

N.º de artículo de Mouser
511-SCT070W120G3-4

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas

S/ 47.04

S/ 28.08

S/ 25.50

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1.2 kV

30 A

87 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

41 nC

- 55 C

+ 200 C

236 W

Enhancement

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A

SCT070W120G3AG
STMicroelectronics
1: S/ 52.25
Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT070W120G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT070W120G3AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas

S/ 52.25

S/ 42.53

S/ 35.48

S/ 29.50

Min.: 1
Mult.: 1

AEC-Q100

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A

SCTHCT250N12G3AG
STMicroelectronics
448: S/ 245.75
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCTHCT250N12G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCTHCT250N12G3AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

S/ 245.75

Min.: 448
Mult.: 448

Through Hole

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

239 A

10.5 mOhms

-10 V, 22 V

4.4 V

304 nC

- 55 C

+ 200 C

994 W

Enhancement

AEC-Q100

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an HiP247

SCTWA90N65G2V
STMicroelectronics
600: S/ 86.00
Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
SCTWA90N65G2V

N.º de artículo de Mouser
511-SCTWA90N65G2V

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an HiP247

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas

S/ 86.00

Min.: 600
Mult.: 600

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

119 A

24 mOhms

- 10 V, + 22 V

5 V

157 nC

- 55 C

+ 200 C

565 W

Enhancement

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A

SCT012HU90G3AG
STMicroelectronics
600: S/ 79.98
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT012HU90G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT012HU90G3AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

Envase tipo carrete

S/ 79.98

Presupuesto

Min.: 600
Mult.: 600

Carrete: 600

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A in an

SCT019H120G3AG
STMicroelectronics
1,000: S/ 46.23
Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT019H120G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT019H120G3AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A in an

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas

Envase tipo carrete

S/ 46.23

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Carrete: 1,000

AEC-Q100

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package

SCT040H65G3-7
STMicroelectronics
1,000: S/ 29.93
Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT040H65G3-7

N.º de artículo de Mouser
511-SCT040H65G3-7

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas

Envase tipo carrete

S/ 29.93

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Carrete: 1,000

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A

SCT040W65G3AG
STMicroelectronics
600: S/ 29.37
Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT040W65G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT040W65G3AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas

S/ 29.37

S/ 26.75

Min.: 600
Mult.: 600

AEC-Q100

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package

SCT055H65G3-7
STMicroelectronics
1,000: S/ 21.50
Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT055H65G3-7

N.º de artículo de Mouser
511-SCT055H65G3-7

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas

Envase tipo carrete

S/ 21.50

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Carrete: 1,000

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

SCT055H65G3AG
STMicroelectronics
1: S/ 45.67
Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT055H65G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT055H65G3AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas

Cinta cortada

S/ 45.67

S/ 31.65

S/ 26.32

Envase tipo carrete

S/ 24.60

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

AEC-Q100

STMicroelectronics MOSFETs de SiC

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

6 A
7 A
12 A
20 A
30 A
33 A
35 A
36 A
40 A
55 A
56 A
60 A
90 A
91 A
100 A
110 A
112 A
119 A
129 A
239 A

10.5 nC
10.5 mOhms
12 mOhms
15 mOhms
15.8 mOhms
18 mOhms
21 mOhms
22 mOhms
24 mOhms
25 mOhms
26 mOhms
27 mOhms
28 mOhms
29 mOhms
30 mOhms
37 mOhms
39.3 mOhms
40 mOhms
54 mOhms
63 mOhms

14 nC
22 nC
29 nC
31 nC
32 nC
36 nC
37 nC
37.5 nC
39.5 nC
41 nC
42.5 nC
45 nC
48.6 nC
51 nC
54 nC
56 nC
61 nC
63 nC
73 nC
76 nC

120 W
150 W
175 W
185 W
210 W
221 W
223 W
234 W
236 W
240 W
266 W
278 W
288 W
290 W
300 W
312 W
313 W
375 W
385 W
388 W