Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

SCT070H120G3-7

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

511-SCT070H120G3-7

Fabricante N.º:

SCT070H120G3-7

Fabricante:

STMicroelectronics

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Lo nuevo de este fabricante.

Hoja de datos:

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Restricción de entrega:

Mouser actualmente no vende este producto en su región.

Existencias:: Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
Restricción de entrega:	Mouser actualmente no vende este producto en su región.
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	H2PAK-7
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	30 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	87 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Qg - Carga de puerta:	37 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	223 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	IT
Tiempo de caída:	9.9 ns
Empaquetado:	Reel
Producto:	SiC MOSFETS
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	26.6 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo de retardo de apagado típico:	17.6 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	18.7 ns