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SCT025W120G3-4

Name: STMicroelectronics SCT025W120G3-4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT025W120G3-4
Price: 56.63 PEN
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

511-SCT025W120G3-4

Fabricante N.º:

SCT025W120G3-4

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package

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	S/ 56.63	S/ 33,978.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	HiP247-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	56 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	37 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	-10 V, 22 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.2 V
Qg - Carga de puerta:	73 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 200 C
Dp - Disipación de potencia :	388 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	18 ns
Empaquetado:	Tube
Producto:	SiC MOSFETS
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	5.7 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	600
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	32.5 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	16.4 ns