Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

SCT040W120G3

Name: STMicroelectronics SCT040W120G3
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT040W120G3
Price: 55.6 PEN
Availability: OutOfStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

511-SCT040W120G3

Fabricante N.º:

SCT040W120G3

Fabricante:

STMicroelectronics

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Lo nuevo de este fabricante.

Hoja de datos:

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Existencias:: No en existencias

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 32 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.

Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.

Introducir cantidad:

Mínimo: 600 Múltiples: 600

Precio unitario:

S/ -.--

Precio ext.:

S/ -.--

Est. Tarifa:

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/ 55.60	S/ 33,360.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	HiP247-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	40 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	54 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	-10 V, 22 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.2 V
Qg - Carga de puerta:	56 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 200 C
Dp - Disipación de potencia :	312 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	11 ns
Empaquetado:	Tube
Producto:	SiC MOSFETS
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	16 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	600
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	23 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	14 ns