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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

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Resultados: 627

Filtros aplicados:

Fabricante

Polaridad del transistor

Tecnología

Id - Corriente de drenaje continua

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Frecuencia de trabajo

Ganancia

Potencia de salida

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLL9G1214L-600/SOT502/TRAY

BLL9G1214L-600U
Ampleon
1: S/1,264.03
115En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLL9G1214L-600U

N.º de artículo de Mouser
94-BLL9G1214L-600U

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLL9G1214L-600/SOT502/TRAY

Hoja de datos

115En existencias

S/1,264.03

S/1,088.63

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

LDMOS

65 V

26 mOhms

1.2 GHz to 1.4 GHz

19 dB

600 W

+ 225 C

Screw Mount

SOT502A-3

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S30G/TO270/REEL

BLP15M9S30GXY
Ampleon
1: S/107.63
88En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLP15M9S30GXY

N.º de artículo de Mouser
94-BLP15M9S30GXY

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S30G/TO270/REEL

Hoja de datos

88En existencias

Cinta cortada

S/107.63

S/88.06

Envase tipo carrete

S/72.63

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 100

N-Channel

LDMOS

32 V

30 mOhms

2 GHz

19 dB

30 W

+ 225 C

SMD/SMT

TO-270-2G-1-3

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) CLF3H0035-100/SOT467C/TRAY

CLF3H0035-100U
Ampleon
1: S/1,277.53
77En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
CLF3H0035-100U

N.º de artículo de Mouser
94-CLF3H0035-100U

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) CLF3H0035-100/SOT467C/TRAY

Hoja de datos

77En existencias

S/1,277.53

S/1,088.80

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

GaN Si

50 V

240 mOhms

0 Hz to 3.5 GHz

15 dB

100 W

+ 300 C

Screw Mount

SOT467C-3

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) CLF3H0035S-100/SOT467B/TRAY

CLF3H0035S-100U
Ampleon
1: S/1,241.02
60En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
CLF3H0035S-100U

N.º de artículo de Mouser
94-CLF3H0035S-100U

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) CLF3H0035S-100/SOT467B/TRAY

Hoja de datos

60En existencias

S/1,241.02

S/1,028.78

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

GaN Si

50 V

240 mOhms

0 Hz to 3.5 GHz

15 dB

100 W

+ 300 C

SMD/SMT

SOT467B-3

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6 1950MHZ 2W PLD1.5N

MW6S004NT1
NXP Semiconductors
1: S/103.42
1,075En existencias
4,000En pedido
NRND

N.º de artículo del Fabricante
MW6S004NT1

N.º de artículo de Mouser
841-MW6S004NT1

NRND

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6 1950MHZ 2W PLD1.5N

Hoja de datos

1,075En existencias

4,000En pedido

Cinta cortada

S/103.42

S/81.40

S/72.28

S/71.98

Envase tipo carrete

S/69.57

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

N-Channel

68 V

1 MHz to 2 GHz

18 dB

4 W

+ 150 C

SMD/SMT

PLD-1.5-4

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source

ARF460AG
Microchip Technology
1: S/243.64
119En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ARF460AG

N.º de artículo de Mouser
494-ARF460AG

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source

Hoja de datos

119En existencias

S/243.64

S/206.14

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

14 A

500 V

65 MHz

13 dB

150 W

- 55 C

+ 150 C

Through Hole

TO-247-3

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source

ARF460BG
Microchip Technology
1: S/243.64
70En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ARF460BG

N.º de artículo de Mouser
494-ARF460BG

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source

Hoja de datos

70En existencias

S/243.64

S/206.14

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

14 A

500 V

65 MHz

13 dB

150 W

- 55 C

+ 150 C

Through Hole

TO-247-3

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 300 W 150 MHz M177

VRF2933
Microchip Technology
1: S/709.29
35En existencias

N.º de artículo del Fabricante
VRF2933

N.º de artículo de Mouser
494-VRF2933

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 300 W 150 MHz M177

Hoja de datos

35En existencias

S/709.29

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

42 A

180 V

30 MHz

25 dB

300 W

- 65 C

+ 150 C

Screw Mount

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 400 W 150 MHz M177

VRF2944
Microchip Technology
1: S/745.28
20En existencias

N.º de artículo del Fabricante
VRF2944

N.º de artículo de Mouser
494-VRF2944

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 400 W 150 MHz M177

Hoja de datos

20En existencias

S/745.28

S/741.32

S/699.01

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

50 A

180 V

30 MHz

25 dB

400 W

- 65 C

+ 150 C

Screw Mount

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.

PD55003TR-E
STMicroelectronics
1: S/37.97
389En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55003TR-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55003TR-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.

Hoja de datos

389En existencias

Cinta cortada

S/37.97

S/27.39

S/23.95

Envase tipo carrete

S/23.65

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 600

N-Channel

2.5 A

40 V

1 GHz

17 dB

3 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.

PD55008TR-E
STMicroelectronics
1: S/65.62
682En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55008TR-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55008TR-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.

Hoja de datos

682En existencias

Cinta cortada

S/65.62

S/48.50

S/43.13

Envase tipo carrete

S/43.13

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 600

N-Channel

4 A

40 V

1 GHz

17 dB

8 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor

PD57018-E
STMicroelectronics
1: S/124.23
580En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD57018-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD57018-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor

Hoja de datos

580En existencias

S/124.23

S/95.03

S/92.15

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

2.5 A

65 V

760 mOhms

1 GHz

16.5 dB

18 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch

PD57030-E
STMicroelectronics
1: S/210.18
234En existencias
396En pedido

N.º de artículo del Fabricante
PD57030-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD57030-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch

Hoja de datos

234En existencias

396En pedido

S/210.18

S/157.34

S/153.34

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

4 A

65 V

1 GHz

14 dB

30 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 300W 20dB 30MHz

SD2933W
STMicroelectronics
1: S/600.58

N.º de artículo del Fabricante
SD2933W

N.º de artículo de Mouser
511-SD2933W

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 300W 20dB 30MHz

Hoja de datos

Más información disponible

S/600.58

S/501.90

Min.: 1
Mult.: 1

Bulk

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 175W 15dB 175MHz

SD2941-10W
STMicroelectronics
1: S/371.00
33En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SD2941-10W

N.º de artículo de Mouser
511-SD2941-10W

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 175W 15dB 175MHz

Hoja de datos

33En existencias

S/371.00

S/311.58

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

20 A

130 V

175 MHz

15 dB

175 W

+ 200 C

Screw Mount

Bulk

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 350W 15dB 175MHz

SD2942W
STMicroelectronics
1: S/828.27
75En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SD2942W

N.º de artículo de Mouser
511-SD2942W

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 350W 15dB 175MHz

Hoja de datos

75En existencias

S/828.27

S/678.63

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

40 A

130 V

175 MHz

15 dB

350 W

+ 200 C

Screw Mount

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 350W 22dB 30MHz

SD2943W
STMicroelectronics
1: S/678.50
71En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SD2943W

N.º de artículo de Mouser
511-SD2943W

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 350W 22dB 30MHz

Hoja de datos

71En existencias

S/678.50

S/549.45

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Bulk

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W - 50V Moisture Resistnt HF/VHF DMOS

SD4933MR
STMicroelectronics
1: S/653.73
66En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SD4933MR

N.º de artículo de Mouser
511-SD4933MR

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W - 50V Moisture Resistnt HF/VHF DMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

66En existencias

S/653.73

S/557.45

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

40 A

200 V

100 MHz

24 dB

300 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

M177MR-5

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch 65 Volt 5 Amp

SD57045
STMicroelectronics
1: S/434.26
51En existencias
40En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SD57045

N.º de artículo de Mouser
511-SD57045

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch 65 Volt 5 Amp

Hoja de datos

51En existencias

40En pedido

S/434.26

S/346.15

S/335.14

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

5 A

65 V

1 GHz

13 dB

45 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

M243

Bulk

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W 50V RF MOS 21dB 175MHz N-Ch

STAC2942BW
STMicroelectronics
1: S/623.37
75En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STAC2942BW

N.º de artículo de Mouser
511-STAC2942BW

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W 50V RF MOS 21dB 175MHz N-Ch

Obtenga más información

Hoja de datos

75En existencias

Más información disponible

S/623.37

S/526.75

S/490.11

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

40 A

130 V

250 MHz

21 dB

350 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

STAC244B

Bulk

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS Transistor

MRFX1K80HR5
NXP Semiconductors
1: S/1,719.14
46En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MRFX1K80HR5

N.º de artículo de Mouser
771-MRFX1K80HR5

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS Transistor

Obtenga más información

Hoja de datos

46En existencias

Más información disponible

Cinta cortada

S/1,719.14

S/1,488.19

Envase tipo carrete

S/1,488.19

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 50

N-Channel

43 A

179 V

1.8 MHz to 400 MHz

25.1 dB

1.8 kW

- 40 C

+ 150 C

Screw Mount

NI-1230H-4

Reel, Cut Tape

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz

MRFX1K80NR5
NXP Semiconductors
1: S/1,502.42
19En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MRFX1K80NR5

N.º de artículo de Mouser
771-MRFX1K80NR5

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz

Obtenga más información

Hoja de datos

19En existencias

Cinta cortada

S/1,502.42

S/1,225.11

Envase tipo carrete

S/1,225.11

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 50

N-Channel

43 A

179 V

1.8 MHz to 400 MHz

24.4 dB

1.8 kW

- 40 C

+ 150 C

SMD/SMT

OM-1230-4

Reel, Cut Tape

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4

AFT05MP075NR1
NXP Semiconductors
1: S/221.58
154En existencias

N.º de artículo del Fabricante
AFT05MP075NR1

N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MP075NR1

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4

Hoja de datos

154En existencias

Cinta cortada

S/221.58

S/174.54

S/161.59

Envase tipo carrete

S/154.71

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 500

N-Channel

8 A

40 V

136 MHz to 520 MHz

18.5 dB

70 W

- 40 C

+ 150 C

SMD/SMT

TO-270-WB-4

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V

AFT05MS004NT1
NXP Semiconductors
1: S/16.86
6,272En existencias

N.º de artículo del Fabricante
AFT05MS004NT1

N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MS004NT1

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V

Hoja de datos

6,272En existencias

Más información disponible

Cinta cortada

S/16.86

S/11.65

S/9.98

S/9.63

Envase tipo carrete

S/9.29

S/8.99

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

N-Channel

4 A

30 V

136 MHz to 941 MHz

20.9 dB

4.9 W

- 40 C

+ 150 C

SMD/SMT

SOT-89-3

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V

AFT05MS031NR1
NXP Semiconductors
1: S/100.28
517En existencias

N.º de artículo del Fabricante
AFT05MS031NR1

N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MS031NR1

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V

Hoja de datos

517En existencias

Cinta cortada

S/100.28

S/77.23

S/68.71

Envase tipo carrete

S/68.11

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 500

N-Channel

7.5 A

40 V

136 MHz to 520 MHz

17.7 dB

33 W

- 40 C

+ 150 C

SMD/SMT

TO-270-2

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1.4 uA
774 uA
1 mA
1.27 mA
1.93 mA
6 mA
10 mA
15 mA
26 mA
40 mA to 60 mA
50 mA
60 mA
60 mA to 80 mA
85 mA
90 mA to 120 mA
100 mA
120 mA
125 mA
150 mA
150 mA to 190 mA

3 V
4 V
4.5 V
6.5 V
7.5 V
8 V
10 V
12 V
12.5 V
20 V
25 V
28 V
30 V
32 V
40 V
48 V
50 V
52 V
55 V
60 V

26 mOhms
30 mOhms
35 mOhms
40.5 mOhms
43 mOhms
45.5 mOhms
50 mOhms
52.5 mOhms
54 mOhms
57.5 mOhms
60 mOhms
60 mOhms, 90 mOhms
69 mOhms
70 mOhms
80 mOhms
84 mOhms
90 mOhms
95 mOhms
100 mOhms
106 mOhms

0 Hz to 3.5 GHz
0 Hz to 7 GHz
2.5 Hz to 2.7 Hz
30 kHz to 50 GHz
1 MHz
1 MHz to 2 GHz
1 MHz to 400 MHz
1 MHz to 425 MHz
1 MHz to 450 MHz
1 MHz to 500 MHz
1 MHz to 650 MHz
1.8 MHz to 250 MHz
1.8 MHz to 400 MHz
1.8 MHz to 50 MHz
1.8 MHz to 500 MHz
1.8 MHz to 600 MHz
2 MHz to 175 MHz
10 MHz to 4 GHz
30 MHz
30 MHz to 860 MHz

8 dB
8 dB, 11 dB
8.8 dB
8.9 dB
9 dB
10 dB
10 dB, 13 dB
10.8 dB
11 dB
11.2 dB
11.5 dB
12 bB
12 dB
12.3 dB
12.5 dB
13 dB
13.3 dB
13.4 dB
13.5 dB
14 dB

200 mW
2 W
2.2 W
3 W
4 W
4.9 W
5 W
6.5 W
7.3 W
8 W
10 W
12 W
14 W
15 W
15.7 W
16 W
16 dBm
18 W
20 W
20 dBm

1.4 mm x 1.2 mm
1.42 mm x 1.2 mm x 0.85 mm
211-07
211-07-3
221-11-3
244-4
249-06
305A-01
319-07
333-04
333-4
368-3
375-04
744A-01
A2-3
ACC-1230-6F-2-7
ACC-1230-6F-3-7
ACC-1230-6G-2-7
B2-3
B4E-5