.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 587

Filtros aplicados:

Fabricante

Polaridad del transistor

Tecnología

Id - Corriente de drenaje continua

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Frecuencia de trabajo

Ganancia

Potencia de salida

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Empaquetado

Restablecer todos

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En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Descargar tabla (.CSV)

N.° de pieza

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S100G/TO270/REEL

BLP15H9S100GXY
Ampleon
1: S/115.97
125En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLP15H9S100GXY

N.º de artículo de Mouser
94-BLP15H9S100GXY

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S100G/TO270/REEL

Hoja de datos

125En existencias

Cinta cortada

S/115.97

S/96.92

Envase tipo carrete

S/84.71

S/79.94

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 100

N-Channel

LDMOS

50 V

30 mOhms

2 GHz

19 dB

100 W

+ 225 C

SMD/SMT

TO-270-2G-1-3

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S100G/TO270/REEL

BLP15H9S100GZ
Ampleon
1: S/115.37
458En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLP15H9S100GZ

N.º de artículo de Mouser
94-BLP15H9S100GZ

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S100G/TO270/REEL

Hoja de datos

458En existencias

Cinta cortada

S/115.37

S/87.33

S/79.94

Envase tipo carrete

S/79.94

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 500

N-Channel

LDMOS

50 V

30 mOhms

2 GHz

19 dB

100 W

+ 225 C

SMD/SMT

TO-270-2G-1-3

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S100/TO270/REEL

BLP15H9S100XY
Ampleon
1: S/115.97
254En existencias
100En pedido
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLP15H9S100XY

N.º de artículo de Mouser
94-BLP15H9S100XY

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S100/TO270/REEL

Hoja de datos

254En existencias

100En pedido

Cinta cortada

S/115.97

S/96.92

Envase tipo carrete

S/84.71

S/79.94

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 100

N-Channel

LDMOS

50 V

30 mOhms

2 GHz

19 dB

100 W

+ 225 C

SMD/SMT

TO-270-2F-1-3

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S100/TO270/REEL

BLP15H9S100Z
Ampleon
1: S/115.37
750En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLP15H9S100Z

N.º de artículo de Mouser
94-BLP15H9S100Z

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S100/TO270/REEL

Hoja de datos

750En existencias

Cinta cortada

S/115.37

S/87.38

S/79.94

Envase tipo carrete

S/79.94

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 500

N-Channel

LDMOS

50 V

30 mOhms

2 GHz

19 dB

100 W

+ 225 C

SMD/SMT

TO-270-2F-1-3

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S10G/TO270/REEL

BLP15H9S10GZ
Ampleon
1: S/95.03
722En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLP15H9S10GZ

N.º de artículo de Mouser
94-BLP15H9S10GZ

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S10G/TO270/REEL

Hoja de datos

722En existencias

Cinta cortada

S/95.03

S/71.38

S/64.72

Envase tipo carrete

S/64.72

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 500

N-Channel

LDMOS

50 V

3.2 Ohms

2 GHz

21 dB

10 W

+ 225 C

SMD/SMT

TO-270-2G-1-3

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S10/TO270/REEL

BLP15H9S10XY
Ampleon
1: S/95.89
125En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLP15H9S10XY

N.º de artículo de Mouser
94-BLP15H9S10XY

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S10/TO270/REEL

Hoja de datos

125En existencias

Cinta cortada

S/95.89

S/78.43

Envase tipo carrete

S/69.27

S/64.67

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 100

N-Channel

LDMOS

50 V

3.2 Ohms

2 GHz

21 dB

10 W

+ 225 C

SMD/SMT

TO-270-2F-1-3

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S30G/TO270/REEL

BLP15H9S30GXY
Ampleon
1: S/100.62
106En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLP15H9S30GXY

N.º de artículo de Mouser
94-BLP15H9S30GXY

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S30G/TO270/REEL

Hoja de datos

106En existencias

Cinta cortada

S/100.62

S/82.30

Envase tipo carrete

S/69.57

S/67.90

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 100

N-Channel

LDMOS

50 V

890 mOhms

2 GHz

21 dB

30 W

+ 225 C

SMD/SMT

TO-270-2G-1-3

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S30G/TO270/REEL

BLP15H9S30GZ
Ampleon
1: S/99.33
718En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLP15H9S30GZ

N.º de artículo de Mouser
94-BLP15H9S30GZ

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S30G/TO270/REEL

Hoja de datos

718En existencias

Más información disponible

Cinta cortada

S/99.33

S/74.73

S/67.90

Envase tipo carrete

S/67.90

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 500

N-Channel

LDMOS

50 V

890 mOhms

2 GHz

21 dB

30 W

+ 225 C

SMD/SMT

TO-270-2G-1-3

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S30/TO270/REEL

BLP15H9S30XY
Ampleon
1: S/100.62
115En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLP15H9S30XY

N.º de artículo de Mouser
94-BLP15H9S30XY

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S30/TO270/REEL

Hoja de datos

115En existencias

Cinta cortada

S/100.62

S/82.30

Envase tipo carrete

S/69.57

S/67.90

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 100

N-Channel

LDMOS

50 V

890 mOhms

2 GHz

22 dB

30 W

+ 225 C

SMD/SMT

TO-270-2F-1-3

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S100G/TO270/REEL

BLP15M9S100GZ
Ampleon
1: S/115.37
383En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLP15M9S100GZ

N.º de artículo de Mouser
94-BLP15M9S100GZ

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S100G/TO270/REEL

Hoja de datos

383En existencias

Más información disponible

Cinta cortada

S/115.37

S/87.38

S/79.94

Envase tipo carrete

S/79.94

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 500

N-Channel

LDMOS

65 V

143 mOhms

1.5 GHz

16 dB

100 W

+ 225 C

SMD/SMT

TO-270-2G-1-3

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S100/TO270/REEL

BLP15M9S100Z
Ampleon
1: S/115.37
325En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLP15M9S100Z

N.º de artículo de Mouser
94-BLP15M9S100Z

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S100/TO270/REEL

Hoja de datos

325En existencias

Cinta cortada

S/115.37

S/87.38

S/79.94

Envase tipo carrete

S/79.94

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 500

N-Channel

LDMOS

65 V

143 mOhms

1.5 GHz

17.5 dB

100 W

+ 225 C

SMD/SMT

TO-270-2F-1-3

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S30/TO270/REEL

BLP15M9S30Z
Ampleon
1: S/105.65
413En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLP15M9S30Z

N.º de artículo de Mouser
94-BLP15M9S30Z

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S30/TO270/REEL

Hoja de datos

413En existencias

Cinta cortada

S/105.65

S/79.68

S/72.63

Envase tipo carrete

S/72.63

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 500

N-Channel

LDMOS

65 V

370 mOhms

2 GHz

19.3 dB

30 W

+ 225 C

SMD/SMT

TO-270-2F-1-3

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP2425M10S250P/OMP-78/REELDP

BLP2425M10S250PY
Ampleon
1: S/282.38
113En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLP2425M10S250PY

N.º de artículo de Mouser
94-BLP2425M10S250PY

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP2425M10S250P/OMP-78/REELDP

Hoja de datos

113En existencias

Cinta cortada

S/282.38

S/221.54

Envase tipo carrete

S/210.96

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 100

Dual N-Channel

LDMOS

65 V

95 mOhms

2.4 GHz to 2.5 GHz

15 dB

250 W

+ 225 C

SMD/SMT

OMP-780-4F-1-5

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP9G0722-20G/SOT1483/REELDP

BLP9G0722-20GZ
Ampleon
1: S/85.01
999En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLP9G0722-20GZ

N.º de artículo de Mouser
94-BLP9G0722-20GZ

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP9G0722-20G/SOT1483/REELDP

Hoja de datos

999En existencias

Cinta cortada

S/85.01

S/63.51

S/57.28

Envase tipo carrete

S/57.28

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 500

N-Channel

LDMOS

65 V

500 mOhms

100 MHz to 2.7 GHz

19 dB

20 W

+ 225 C

SMD/SMT

SOT1483-1-3

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP9H10S-350A/OMP-780/REELDP

BLP9H10S-350AY
Ampleon
1: S/260.11
64En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLP9H10S-350AY

N.º de artículo de Mouser
94-BLP9H10S-350AY

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP9H10S-350A/OMP-780/REELDP

Hoja de datos

64En existencias

Cinta cortada

S/260.11

S/209.75

Envase tipo carrete

S/188.90

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 100

Dual N-Channel

LDMOS

48 V

250 mOhms, 370 mOhms

600 MHz to 960 MHz

18.6 dB

350 W

- 40 C

+ 125 C

SMD/SMT

OMP-780-4F-1-5

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP9H10S-500AWT/OMP-780/REELDP

BLP9H10S-500AWTY
Ampleon
1: S/244.03
57En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLP9H10S-500AWTY

N.º de artículo de Mouser
94-BLP9H10S-500AWTY

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP9H10S-500AWT/OMP-780/REELDP

Hoja de datos

57En existencias

Cinta cortada

S/244.03

S/190.36

Envase tipo carrete

S/180.17

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 100

Dual N-Channel

LDMOS

48 V

174 mOhms, 250 mOhms

600 MHz to 960 MHz

19 dB

500 W

- 40 C

+ 125 C

SMD/SMT

OMP-780-6F-1-7

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G2735L-50/SOT1135/TRAY

BLS9G2735L-50U
Ampleon
1: S/499.19
85En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLS9G2735L-50U

N.º de artículo de Mouser
94-BLS9G2735L-50U

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G2735L-50/SOT1135/TRAY

Hoja de datos

85En existencias

S/499.19

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

LDMOS

65 V

300 mOhms

2.7 GHz to 3.5 GHz

12 dB

50 W

+ 225 C

Screw Mount

SOT1135A-3

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G2735LS-50/SOT1135/TRAY

BLS9G2735LS-50U
Ampleon
1: S/393.15
45En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLS9G2735LS-50U

N.º de artículo de Mouser
94-BLS9G2735LS-50U

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G2735LS-50/SOT1135/TRAY

Hoja de datos

45En existencias

S/393.15

S/379.17

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

LDMOS

65 V

300 mOhms

2.7 GHz to 3.5 GHz

12 dB

50 W

+ 225 C

SMD/SMT

SOT1135B-3

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G3135L-400/SOT502/TRAY

BLS9G3135L-400U
Ampleon
1: S/1,554.58
43En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLS9G3135L-400U

N.º de artículo de Mouser
94-BLS9G3135L-400U

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G3135L-400/SOT502/TRAY

Hoja de datos

43En existencias

S/1,554.58

S/1,306.68

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

LDMOS

65 V

26 mOhms

3.1 GHz to 3.5 GHz

11 dB

400 W

+ 225 C

Screw Mount

SOT502A-3

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source

ARF461BG
Microchip Technology
1: S/254.65
46En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ARF461BG

N.º de artículo de Mouser
494-ARF461BG

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source

Hoja de datos

46En existencias

S/254.65

S/215.52

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

6.5 A

1 kV

65 MHz

13 dB

150 W

- 55 C

+ 150 C

Through Hole

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications

MWT-5F
CML Micro
1: S/300.18
20En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
MWT-5F

N.º de artículo de Mouser
938-MWT-5F

NRND

CML Micro

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications

Hoja de datos

20En existencias

S/300.18

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

GaAs

26 GHz

19 dB

21 dBm

+ 150 C

Die

Bulk

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications

MWT-9F
CML Micro
1: S/298.21
10En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
MWT-9F

N.º de artículo de Mouser
938-MWT-9F

NRND

CML Micro

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications

Hoja de datos

10En existencias

S/298.21

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

GaAs

18 GHz

11 dB

26.5 dBm

+ 150 C

Die

Bulk

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source

ARF463AG
Microchip Technology
1: S/178.11
21En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ARF463AG

N.º de artículo de Mouser
494-ARF463AG

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source

Hoja de datos

21En existencias

S/178.11

S/150.76

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

9 A

500 V

100 MHz

15 dB

100 W

- 55 C

+ 150 C

Through Hole

TO-247-3

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 300 W 150 MHz T3A

ARF475FL
Microchip Technology
1: S/646.76
9En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ARF475FL

N.º de artículo de Mouser
494-ARF475FL

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 300 W 150 MHz T3A

Hoja de datos

9En existencias

Más información disponible

S/646.76

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

10 A

500 V

150 MHz

15 dB

900 W

- 55 C

+ 175 C

Screw Mount

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 400 W 65 MHz T3C

ARF476FL
Microchip Technology
1: S/681.08
8En existencias

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ARF476FL

N.º de artículo de Mouser
494-ARF476FL

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 400 W 65 MHz T3C

Hoja de datos

8En existencias

S/681.08

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

10 A

500 V

150 MHz

15 dB

900 W

- 55 C

+ 175 C

Screw Mount

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1.4 uA
774 uA
1 mA
1.27 mA
1.93 mA
6 mA
10 mA
15 mA
26 mA
40 mA to 60 mA
50 mA
60 mA
60 mA to 80 mA
85 mA
90 mA to 120 mA
100 mA
120 mA
150 mA
150 mA to 190 mA
160 mA to 200 mA

3 V
4 V
4.5 V
6.5 V
7.5 V
8 V
10 V
12 V
12.5 V
20 V
25 V
28 V
30 V
32 V
40 V
48 V
50 V
52 V
55 V
60 V

26 mOhms
30 mOhms
35 mOhms
40.5 mOhms
43 mOhms
45.5 mOhms
50 mOhms
52.5 mOhms
54 mOhms
57.5 mOhms
60 mOhms
60 mOhms, 90 mOhms
69 mOhms
70 mOhms
80 mOhms
84 mOhms
90 mOhms
95 mOhms
100 mOhms
106 mOhms

0 Hz to 3.5 GHz
0 Hz to 7 GHz
2.5 Hz to 2.7 Hz
30 kHz to 50 GHz
1 MHz
1 MHz to 400 MHz
1 MHz to 425 MHz
1 MHz to 450 MHz
1 MHz to 500 MHz
1 MHz to 650 MHz
1.8 MHz to 2 GHz
2 MHz to 175 MHz
10 MHz to 4 GHz
30 MHz
30 MHz to 860 MHz
30 MHz to 90 MHz
40 MHz
45 MHz
45 MHz to 6 GHz
60 MHz

8 dB
8 dB, 11 dB
8.8 dB
8.9 dB
9 dB
10 dB
10 dB, 13 dB
10.8 dB
11 dB
11.2 dB
11.5 dB
12 bB
12 dB
12.3 dB
12.5 dB
13 dB
13.4 dB
13.5 dB
14 dB
14.3 dB

200 mW
2 W
2.2 W
3 W
4 W
4.9 W
5 W
8 W
10 W
12 W
14 W
15 W
16 W
16 dBm
18 W
20 W
20 dBm
20.3 dBm
20.7 dBm
21 dBm

1.4 mm x 1.2 mm
1.42 mm x 1.2 mm x 0.85 mm
211-07
211-07-3
221-11-3
244-4
249-06
305A-01
319-07
333-04
333-4
368-3
375-04
744A-01
A2-3
ACC-1230-6F-2-7
ACC-1230-6F-3-7
ACC-1230-6G-2-7
B2-3
B4E-5