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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

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Resultados: 627

Filtros aplicados:

Fabricante

Polaridad del transistor

Tecnología

Id - Corriente de drenaje continua

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Frecuencia de trabajo

Ganancia

Potencia de salida

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Empaquetado

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En existencias

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Low Noise pHEMT Devices

MWT-LN600
CML Micro
10: S/149.68
100En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MWT-LN600

N.º de artículo de Mouser
938-MWT-LN600

CML Micro

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Low Noise pHEMT Devices

Obtenga más información

Hoja de datos

100En existencias

S/149.68

S/128.91

Min.: 10
Mult.: 10

GaAs

175 mA

4.5 V

26 GHz

8 dB, 11 dB

20 dBm

+ 150 C

Die

Bulk

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch, 12.5V 15W3 Transistor, LDMOST

PD55015TR-E
STMicroelectronics
1: S/93.53
576En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55015TR-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55015TR-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch, 12.5V 15W3 Transistor, LDMOST

Hoja de datos

576En existencias

Cinta cortada

S/93.53

S/70.18

S/63.55

Envase tipo carrete

S/63.55

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 600

N-Channel

5 A

40 V

1 GHz

14 dB

15 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch Radio Freq 3A 20W 12V VDSS

2SK4037(TE12L,Q)
Toshiba
1: S/20.55
430En existencias

N.º de artículo del Fabricante
2SK4037(TE12L,Q)

N.º de artículo de Mouser
757-2SK4037TE12LQ

Toshiba

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch Radio Freq 3A 20W 12V VDSS

Hoja de datos

430En existencias

Cinta cortada

S/20.55

S/16.47

S/13.33

S/11.83

Envase tipo carrete

S/10.45

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

N-Channel

3 A

12 V

470 MHz

11.5 dB

36.5 dBm

+ 150 C

SMD/SMT

PW-X-4

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications

MWT-PH15F
CML Micro
10: S/473.60
100En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MWT-PH15F

N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH15F

CML Micro

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications

Obtenga más información

Hoja de datos

100En existencias

S/473.60

S/472.10

S/464.53

Ver

Min.: 10
Mult.: 10

GaAs

150 mA to 190 mA

7.5 V

28 GHz

12 dB

28 dBm

+ 150 C

Die

Bulk

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz

PXAE263708NB-V1-R2
MACOM
1: S/507.31
90En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PXAE263708NB-V1-R2

N.º de artículo de Mouser
941-PXAE263708NBV1R2

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz

Obtenga más información

Hoja de datos

90En existencias

Cinta cortada

S/507.31

S/422.00

S/389.84

Envase tipo carrete

S/389.84

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 250

N-Channel

65 V

80 mOhms

2.62 GHz to 2.69 GHz

13.5 dB

400 W

+ 225 C

Screw Mount

HB2SOF-8-1

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 270 W 45 MHz TO-264

ARF468AG
Microchip Technology
1: S/281.65
1En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ARF468AG

N.º de artículo de Mouser
494-ARF468AG

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 270 W 45 MHz TO-264

Hoja de datos

1En existencias

S/281.65

S/238.31

Min.: 1
Mult.: 1

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 80 V 150 W 175 MHz M174

VRF141
Microchip Technology
1: S/270.34
24En existencias

N.º de artículo del Fabricante
VRF141

N.º de artículo de Mouser
494-VRF141

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 80 V 150 W 175 MHz M174

Hoja de datos

24En existencias

S/270.34

S/206.83

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

20 A

80 V

175 MHz

22 dB

150 W

- 65 C

+ 150 C

Screw Mount

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source

ARF463BP1G
Microchip Technology
1: S/193.63
22En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ARF463BP1G

N.º de artículo de Mouser
494-ARF463BP1G

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source

Hoja de datos

22En existencias

S/193.63

S/178.62

S/132.96

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

9 A

500 V

100 MHz

15 dB

100 W

- 55 C

+ 150 C

Through Hole

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz

RF5L15120CB4
STMicroelectronics
1: S/828.44
18En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
RF5L15120CB4

N.º de artículo de Mouser
511-RF5L15120CB4

NRND

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz

Obtenga más información

Hoja de datos

18En existencias

Cinta cortada

S/828.44

S/676.39

Envase tipo carrete

S/676.35

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 100

Dual N-Channel

2.5 A

95 V

1 Ohms

1 GHz

20 dB

120 W

+ 200 C

SMD/SMT

LBB-5

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

MWT-PH27F71
CML Micro
1: S/240.97

N.º de artículo del Fabricante
MWT-PH27F71

N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH27F71

CML Micro

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

Hoja de datos

Más información disponible

Cinta cortada

S/240.97

Envase tipo carrete

S/240.97

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 10

N-Channel

GaAs

26 GHz

16 dB

25 dBm

SMD/SMT

Die

Reel, Cut Tape

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1200 V 150 W 60 MHz TO-247 Common Source

ARF465BG
Microchip Technology
1: S/265.83
22En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ARF465BG

N.º de artículo de Mouser
494-ARF465BG

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1200 V 150 W 60 MHz TO-247 Common Source

Hoja de datos

22En existencias

S/265.83

S/233.75

S/220.16

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

6 A

1.2 kV

60 MHz

13 dB

150 W

- 55 C

+ 150 C

Through Hole

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,<150MHz,28V,150W,TMOS

MRF175GU
MACOM
1: S/1,153.17
5En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MRF175GU

N.º de artículo de Mouser
937-MRF175GU

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,<150MHz,28V,150W,TMOS

Hoja de datos

5En existencias

S/1,153.17

S/948.54

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,10W,28V,2-175MHz

DU2810S
MACOM
1: S/315.49
51En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DU2810S

N.º de artículo de Mouser
937-DU2810S

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,10W,28V,2-175MHz

Hoja de datos

51En existencias

S/315.49

S/238.35

S/233.19

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

2.8 A

65 V

175 MHz

13 dB

10 W

+ 200 C

Screw Mount

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) CLF24H4LS300P/SOT1214/TRAY

CLF24H4LS300PU
Ampleon
1: S/1,247.30
120En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
CLF24H4LS300PU

N.º de artículo de Mouser
94-CLF24H4LS300PU

Nuevo producto

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) CLF24H4LS300P/SOT1214/TRAY

Hoja de datos

120En existencias

S/1,247.30

S/1,040.26

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Dual N-Channel

GaN SiC

50 V

2.4 GHz to 2.5 GHz

16 dB

300 W

+ 225 C

SMD/SMT

SOT1214B-5

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor

RF5L08350CB4
STMicroelectronics
1: S/741.75
110En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
RF5L08350CB4

N.º de artículo de Mouser
511-RF5L08350CB4

NRND

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor

Obtenga más información

Hoja de datos

110En existencias

Cinta cortada

S/741.75

S/629.86

Envase tipo carrete

S/603.20

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 120

N-Channel

2.5 A

110 V

1 Ohms

1 GHz

19 dB

400 W

+ 200 C

SMD/SMT

B4E-5

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF981S/SOT467/TRAY

BLF981SU
Ampleon
1: S/575.00
55En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
BLF981SU

N.º de artículo de Mouser
94-BLF981SU

Nuevo producto

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF981S/SOT467/TRAY

Obtenga más información

Hoja de datos

55En existencias

S/575.00

S/454.21

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

LDMOS

1.4 uA

108 V

24 dB

170 W

+ 225 C

SMD/SMT

SOT-467B-2

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF981/SOT467/TRAY

BLF981U
Ampleon
1: S/575.00
31En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
BLF981U

N.º de artículo de Mouser
94-BLF981U

Nuevo producto

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF981/SOT467/TRAY

Obtenga más información

Hoja de datos

31En existencias

S/575.00

S/454.21

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

LDMOS

1.4 uA

108 V

24 dB

170 W

+ 225 C

SMD/SMT

SOT-467C-2

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP981/TO270/REEL

BLP981XY
Ampleon
1: S/270.73
58En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
BLP981XY

N.º de artículo de Mouser
94-BLP981XY

Nuevo producto

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP981/TO270/REEL

Obtenga más información

Hoja de datos

58En existencias

Cinta cortada

S/270.73

S/212.08

Envase tipo carrete

S/201.58

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 100

N-Channel

LDMOS

1.4 uA

108 V

23.8 dB

170 W

+ 225 C

SMD/SMT

TO-270-2F-1

Reel, Cut Tape

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor

RF2L16180CB4
STMicroelectronics
1: S/741.71
20En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
RF2L16180CB4

N.º de artículo de Mouser
511-RF2L16180CB4

NRND

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor

Obtenga más información

Hoja de datos

20En existencias

Cinta cortada

S/741.71

S/603.20

Envase tipo carrete

S/603.20

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 120

N-Channel

2.5 A

65 V

1 Ohms

1.6 GHz

14 dB

180 W

+ 200 C

SMD/SMT

B4E-5

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K9FHU/SOT1214/TRAY

ART1K9FHU
Ampleon
1: S/1,115.89
189En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
ART1K9FHU

N.º de artículo de Mouser
94-ART1K9FHU

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K9FHU/SOT1214/TRAY

Hoja de datos

189En existencias

S/1,115.89

S/918.87

Min.: 1
Mult.: 1

Dual N-Channel

LDMOS

55 V

69 mOhms

1 MHz to 500 MHz

24.6 dB

1.9 kW

+ 225 C

Screw Mount

SOT539A-5

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0TFEG/ACC-1230/REEL

ART2K0TFEGJ
Ampleon
1: S/1,088.80
82En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
ART2K0TFEGJ

N.º de artículo de Mouser
94-ART2K0TFEGJ

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0TFEG/ACC-1230/REEL

Hoja de datos

82En existencias

Cinta cortada

S/1,088.80

S/1,063.95

Envase tipo carrete

S/1,063.95

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 100

Dual N-Channel

LDMOS

65 V

107 mOhms

29 dB

+ 225 C

SMD/SMT

ACC-1230-6G-2-7

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source

ARF463AP1G
Microchip Technology
1: S/193.63
301En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ARF463AP1G

N.º de artículo de Mouser
494-ARF463AP1G

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source

Hoja de datos

301En existencias

Más información disponible

S/193.63

S/163.87

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

9 A

500 V

100 MHz

15 dB

100 W

- 55 C

+ 150 C

Through Hole

TO-247-3

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART150PEG/REEL

ART150PEGXY
Ampleon
1: S/274.21
144En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
ART150PEGXY

N.º de artículo de Mouser
94-ART150PEGXY

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART150PEG/REEL

Hoja de datos

144En existencias

Cinta cortada

S/274.21

S/218.83

Envase tipo carrete

S/204.34

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 100

N-Channel

LDMOS

65 V

497 mOhms

1 MHz to 650 MHz

31.2 dB

150 W

+ 225 C

SMD/SMT

TO-270-2G-1-3

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART150PE/REELDP

ART150PEXY
Ampleon
1: S/274.13
72En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
ART150PEXY

N.º de artículo de Mouser
94-ART150PEXY

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART150PE/REELDP

Hoja de datos

72En existencias

Cinta cortada

S/274.13

S/218.78

Envase tipo carrete

S/204.34

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 100

N-Channel

LDMOS

65 V

497 mOhms

1 MHz to 650 MHz

31.2 dB

150 W

+ 225 C

SMD/SMT

TO-270-2F-1-3

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART700FHS/SOT1214/TRAY

ART700FHSU
Ampleon
1: S/800.75
58En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
ART700FHSU

N.º de artículo de Mouser
94-ART700FHSU

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART700FHS/SOT1214/TRAY

Hoja de datos

58En existencias

S/800.75

S/707.91

Min.: 1
Mult.: 1

Dual N-Channel

LDMOS

55 V

171 mOhms

1 MHz to 450 MHz

28.6 dB

700 W

+ 225 C

SMD/SMT

SOT1214B-5

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1.4 uA
774 uA
1 mA
1.27 mA
1.93 mA
6 mA
10 mA
15 mA
26 mA
40 mA to 60 mA
50 mA
60 mA
60 mA to 80 mA
85 mA
90 mA to 120 mA
100 mA
120 mA
125 mA
150 mA
150 mA to 190 mA

3 V
4 V
4.5 V
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26 mOhms
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60 mOhms, 90 mOhms
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106 mOhms

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1.8 MHz to 400 MHz
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1.8 MHz to 500 MHz
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30 MHz to 860 MHz

8 dB
8 dB, 11 dB
8.8 dB
8.9 dB
9 dB
10 dB
10 dB, 13 dB
10.8 dB
11 dB
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11.5 dB
12 bB
12 dB
12.3 dB
12.5 dB
13 dB
13.3 dB
13.4 dB
13.5 dB
14 dB

200 mW
2 W
2.2 W
3 W
4 W
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5 W
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8 W
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16 dBm
18 W
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20 dBm

1.4 mm x 1.2 mm
1.42 mm x 1.2 mm x 0.85 mm
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211-07-3
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A2-3
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B2-3
B4E-5