Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Polaridad del transistor Tecnología Id - Corriente de drenaje continua Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Frecuencia de trabajo Ganancia Potencia de salida Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Estilo de montaje Paquete / Cubierta Empaquetado
Microchip Technology VRF150MP
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 150 MHz M174 4En existencias
11En pedido
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N-Channel Si 16 A 180 V 150 MHz 18 dB 150 W - 65 C + 150 C Screw Mount
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET 41En existencias
Min.: 1
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: 50

Si 1 mA 105 V 2.8 Ohms 390 MHz to 450 MHz 25 dB 12 W + 225 C SMD/SMT H-36265-2 Reel, Cut Tape, MouseReel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET 7En existencias
Min.: 1
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: 50

N-Channel Si 10 mA 105 V 1.4 Ohms 500 MHz to 1.4 GHz 18 dB 25 W + 225 C SMD/SMT H-36265-2 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi NVJD5121NT1G-M06
onsemi Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) NFET SC88 60V 295MA 1.6OH 17,412En existencias
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: 3,000

Si Reel, Cut Tape, MouseReel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET 6En existencias
1,575En pedido
Min.: 1
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: 1,000

N-Channel Si 10 mA 65 V 2 Ohms 900 MHz to 2.7 GHz 19.5 dB 5 W + 225 C SMD/SMT SON-10 Reel, Cut Tape, MouseReel
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 150 MHz M174
Min.: 1
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N-Channel Si 16 A 180 V 150 MHz 18 dB 150 W - 65 C + 150 C Screw Mount
Ampleon RF MOSFET Transistors BLF647P/SOT1121/TRAY

Dual N-Channel LDMOS 100 mA 65 V 140 mOhms 1.5 GHz 18 dB 200 W + 225 C SMD/SMT SOT-1121A-5 Tray
Ampleon RF MOSFET Transistors BLS9G2731L-400/SOT502/TRAY

N-Channel LDMOS 65 V 30 mOhms 2.7 GHz to 3.1 GHz 13 dB 400 W + 225 C Screw Mount SOT502A-3 Tray
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 175 MHz M174
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 16 A 180 V 175 MHz 22 dB 150 W - 65 C + 150 C Screw Mount
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,40W,<500MHz,28V,TMOS
Min.: 1
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Si
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-200MHz 45Watts 28Volt Gain 17dB
Min.: 1
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N-Channel Si 4.5 A 65 V 150 MHz 17 dB 45 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 211-07-3 Tray
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-500MHz 150Watts 28Volt 10dB
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 26 A 65 V 100 MHz to 500 MHz 11.2 dB 150 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 375-04 Tray

CML Micro RF MOSFET Transistors 26 GHz Medium Power Packaged GaAs FET

GaAs 26 mA 173 Ohms 26 GHz 11 dB 20 dBm + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon RF MOSFET Transistors BLP15H9S100G/TO270/REEL

N-Channel LDMOS 50 V 30 mOhms 2 GHz 19 dB 100 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel

CML Micro RF MOSFET Transistors

N-Channel GaAs 28 GHz 15 dB 24.5 dBm SMD/SMT Die Reel, Cut Tape

CML Micro RF MOSFET Transistors
N-Channel GaAs 18 GHz 12 dB 30 dBm SMD/SMT Die Reel, Cut Tape
Microchip Technology VRF141
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 80 V 150 W 175 MHz M174
Min.: 1
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N-Channel Si 20 A 80 V 175 MHz 22 dB 150 W - 65 C + 150 C Screw Mount

Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source N/A
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 6.5 A 1 kV 65 MHz 13 dB 150 W - 55 C + 150 C Through Hole TO-247-3 Tube
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 175 MHz M174 Plazo de entrega no en existencias 5 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 16 A 180 V 175 MHz 22 dB 150 W - 65 C + 150 C Screw Mount
CML Micro RF MOSFET Transistors Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications

GaAs 85 mA 26 GHz 15 dB 21 dBm + 150 C Die Bulk
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET Plazo de entrega no en existencias 7 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 50

N-Channel Si 10 mA 105 V 340 mOhms 960 MHz to 1.6 GHz 18.5 dB 200 W + 225 C SMD/SMT H-36265-2 Reel, Cut Tape, MouseReel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50
: 50

N-Channel Si 105 V 100 mOhms 1.2 GHz to 1.4 GHz 16 dB 700 W + 225 C SMD/SMT H-36275-4 Reel
Mini-Circuits Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MMIC AMPLIFIER Plazo de entrega 18 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 500

N-Channel GaAs 120 mA 3 V 45 MHz to 6 GHz 18.6 dB 20.7 dBm - 40 C + 85 C SMD/SMT MCLP-4 Reel, Cut Tape, MouseReel

Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz TO-264 No en existencias
Min.: 25
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 Tube

Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz TO-264 No en existencias
Min.: 25
Mult.: 1

N-Channel Si 13 A 1 kV 1 Ohms 45 MHz 16 dB 300 W - 55 C + 150 C Through Hole TO-247-3 Tube