Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Polaridad del transistor Tecnología Id - Corriente de drenaje continua Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Frecuencia de trabajo Ganancia Potencia de salida Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Estilo de montaje Paquete / Cubierta Empaquetado
CML Micro RF MOSFET Transistors Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications

GaAs 18 GHz 11 dB 26.5 dBm + 150 C Die Bulk

Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source 21En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 9 A 500 V 100 MHz 15 dB 100 W - 55 C + 150 C Through Hole TO-247-3 Tube
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 400 W 65 MHz T3C 8En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 10 A 500 V 150 MHz 15 dB 900 W - 55 C + 175 C Screw Mount
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4 152En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 500

N-Channel Si 8 A 40 V 136 MHz to 520 MHz 18.5 dB 70 W - 40 C + 150 C SMD/SMT TO-270-WB-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V 5,946En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

N-Channel Si 4 A 30 V 136 MHz to 941 MHz 20.9 dB 4.9 W - 40 C + 150 C SMD/SMT SOT-89-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V 160En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 500

N-Channel Si 7.5 A 40 V 136 MHz to 520 MHz 17.7 dB 33 W - 40 C + 150 C SMD/SMT TO-270-2 Reel, Cut Tape, MouseReel
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 750 W 40 MHz T1 3En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 60 A 500 V 40 MHz 17 dB 750 W - 55 C + 175 C Screw Mount
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 750 W 40 MHz T1 4En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 8 A 1 kV 40 MHz 17 dB 750 W - 55 C + 175 C Screw Mount


STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz 36En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 40 A 125 V 250 MHz 15 dB 300 W + 200 C Screw Mount Tube


MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,40W,28V,100-500MHz 6En existencias
17En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 4 A 65 V 100 MHz to 500 MHz 10 dB 40 W + 200 C Screw Mount
CML Micro RF MOSFET Transistors Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications

GaAs 240 mA to 280 mA 18 GHz 13 dB 30 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro RF MOSFET Transistors Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications

GaAs 310 mA to 360 mA 12 GHz 13 dB 30.5 dBm + 150 C Die Bulk
Ampleon RF MOSFET Transistors ART450FE/SOT1121/TRAY

Dual N-Channel LDMOS 65 V 340 mOhms 1 MHz to 650 MHz 27 dB 450 W + 225 C Screw Mount SOT1121A-5 Tray
Ampleon RF MOSFET Transistors BLC10G18XS-400AVT/SOT1275/REEL

Dual N-Channel LDMOS 65 V 74 mOhms, 128 mOhms 1.805 GHz to 1.88 GHz 15.7 dB 400 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1258-4-7 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon RF MOSFET Transistors BLC10G18XS-551AVT/SOT1258/REEL

Dual N-Channel LDMOS 65 V 62 mOhms, 108 mOhms 1.805 GHz to 1.88 GHz 16.1 dB 550 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1258-4-7 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon RF MOSFET Transistors BLC10G22XS-570AVT/SOT1258/REEL

Dual N-Channel LDMOS 65 V 65 mOhms, 111 Ohms 2.11 GHz to 2.18 GHz 15.7 dB 570 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1258-4-7 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon RF MOSFET Transistors BLC10G27XS-400AVT/SOT1258/REELDP

Dual N-Channel LDMOS 65 V 90.1 mOhms, 155.8 mOhms 2.496 GHz to 2.69 GHz 13.3 dB 400 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1258-4-7 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon RF MOSFET Transistors BLC10G27XS-551AVT/SOT1258/REEL

Dual N-Channel LDMOS 65 V 62 mOhms, 108 mOhms 2.62 GHz to 2.69 GHz 6.4 dB 550 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1258-4-7 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon RF MOSFET Transistors BLC9H10XS-350A/SOT1273/REELDP

Dual N-Channel LDMOS 50 V 203 mOhms, 300 mOhms 617 MHz to 960 MHz 18.1 dB 350 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1273-1-5 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon RF MOSFET Transistors BLC9H10XS-350A/SOT1273/TRAYDP

Dual N-Channel LDMOS 50 V 203 mOhms, 300 mOhms 617 MHz to 960 MHz 18.1 dB 350 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1273-1-5 Tray
Ampleon RF MOSFET Transistors LDMOS 2-stage power MMIC

LDMOS 65 V 1.805 GHz to 2.17 GHz 33 dB 45.1 W + 150 C SMD/SMT SOT1212-3-16 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon RF MOSFET Transistors BLP15M9S70/TO270/REEL

N-Channel LDMOS 65 V 185 mOhms 2 GHz 17.8 dB 70 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2F-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon RF MOSFET Transistors BLP5LA55SG/TO270/REEL

N-Channel LDMOS 30 V 60 mOhms 520 MHz 19.6 dB 55 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon RF MOSFET Transistors BLP5LA55S/TO270/REEL

N-Channel LDMOS 30 V 60 mOhms 520 MHz 19.6 dB 55 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2F-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon RF MOSFET Transistors BLP9LA25SG/TO270/REEL

N-Channel LDMOS 40 V 128 mOhms 941 MHz 18.8 dB 25 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel