Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V UltraJunc X3 Pwr MOSFET
IXFK240N25X3
IXYS
1:
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747-IXFK240N25X3
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V UltraJunc X3 Pwr MOSFET
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-264-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
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IXFX64N60P
IXYS
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747-IXFX64N60P
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 200V 86A N-CH X4CLASS
IXTA86N20X4
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747-IXTA86N20X4
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 200V 86A N-CH X4CLASS
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
TO-263-3
Módulos MOSFET MBLOC 150V 400A N-CH X4CLASS
IXTN400N15X4
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747-IXTN400N15X4
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Módulos MOSFET MBLOC 150V 400A N-CH X4CLASS
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MOSFET Modules
Si
Screw Mount
SOT-227-4
IGBTs XPT 600V IGBT 300A
IXXX300N60B3
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747-IXXX300N60B3
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IGBTs XPT 600V IGBT 300A
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IGBT Transistors
Si
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TO-247-PLUS-3
IGBTs TO247 1200V 85A XPT
IXYH85N120A4
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747-IXYH85N120A4
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IGBTs TO247 1200V 85A XPT
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IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-247-3
IGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT PLUS247
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IXYX110N120B4
IXYS
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150 Se espera el 21/05/2026
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747-IXYX110N120B4
IXYS
IGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT PLUS247
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150 Se espera el 21/05/2026
1
S/103.59
10
S/77.01
120
S/69.62
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IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-247-3
Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Barrier Diode, 1200V, 40A, 2nd Gen
SCS240KE2GC11
ROHM Semiconductor
1:
S/101.95
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755-SCS240KE2GC11
ROHM Semiconductor
Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Barrier Diode, 1200V, 40A, 2nd Gen
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SiC Schottky Diodes
Through Hole
TO-247N-3
MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS
SCT3022ALGC11
ROHM Semiconductor
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755-SCT3022ALGC11
ROHM Semiconductor
MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS
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SiC MOSFETS
SiC
Through Hole
TO-247-3
Diodos de Conmutación de Señal Baja 0.1A 200V Switching High-Speed Diode
1SS306TE85LF
Toshiba
1:
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757-1SS306TE85LF
Toshiba
Diodos de Conmutación de Señal Baja 0.1A 200V Switching High-Speed Diode
21,380 En existencias
1
S/7.61
10
S/4.39
100
S/4.18
3,000
S/4.18
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Diodes - General Purpose, Power, Switching
SMD/SMT
SC-61
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ200F04M3L,LXHQ
Toshiba
1:
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45,212 En existencias
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757-TJ200F04M3L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
45,212 En existencias
1
S/17.85
10
S/11.78
100
S/8.30
500
S/7.53
1,000
S/7.01
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1,000
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
TO-220SM-3
Rectificadores y diodos Schottky PMEG100T150ELPE/SOT1289B/CFP15
PMEG100T150ELPEZ
Nexperia
1:
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771-PMEG100T150ELPEZ
Nexperia
Rectificadores y diodos Schottky PMEG100T150ELPE/SOT1289B/CFP15
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1
S/6.11
10
S/3.84
100
S/2.55
500
S/1.99
1,000
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S/1.60
1,000
S/1.72
2,500
S/1.69
5,000
S/1.60
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Schottky Diodes & Rectifiers
Si
SMD/SMT
SOT-1289B-3 (CFP15B-3)
GaN FETs DC-6.0GHz 18 Watt 28V GaN
T2G6001528-Q3
Qorvo
1:
S/766.65
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772-T2G6001528-Q3
Qorvo
GaN FETs DC-6.0GHz 18 Watt 28V GaN
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GaN FETs
GaN
NI-200
Diodos de Conmutación de Señal Baja 100 Volt 350mA
1N4148WS-E3-08
Vishay Semiconductors
1:
S/2.02
307,538 En existencias
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78-1N4148WS-E3-08
Vishay Semiconductors
Diodos de Conmutación de Señal Baja 100 Volt 350mA
307,538 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/2.02
10
S/1.39
100
S/0.882
500
S/0.555
3,000
S/0.258
6,000
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1,000
S/0.486
6,000
S/0.224
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Diodes - General Purpose, Power, Switching
SMD/SMT
SOD-323-2
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT363 P-CH 20V 3A
+2 imágenes
SI1467DH-T1-BE3
Vishay
1:
S/4.47
59,562 En existencias
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78-SI1467DH-T1-BE3
Vishay
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT363 P-CH 20V 3A
59,562 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/4.47
10
S/2.38
100
S/1.72
500
S/1.41
3,000
S/1.09
6,000
Ver
1,000
S/1.28
6,000
S/1.06
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3,000
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
SOT-363-6
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V (D-S) MOSFET P-CHANNEL
SI2369BDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/2.97
331,235 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SI2369BDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V (D-S) MOSFET P-CHANNEL
331,235 En existencias
1
S/2.97
10
S/1.84
100
S/1.18
500
S/0.899
3,000
S/0.688
6,000
Ver
1,000
S/0.808
6,000
S/0.628
9,000
S/0.598
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3,000
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
SOT-23-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6 P-CH 80V 3.8A
+2 imágenes
SI3129DV-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/5.81
158,475 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SI3129DV-T1-GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6 P-CH 80V 3.8A
158,475 En existencias
1
S/5.81
10
S/3.66
100
S/2.42
500
S/1.89
1,000
S/1.72
3,000
S/1.52
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3,000
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
TSOP-6
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
SIHB17N80E-GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/25.50
7,234 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SIHB17N80E-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
7,234 En existencias
1
S/25.50
10
S/17.07
100
S/12.30
500
S/11.48
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Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
SIS184DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/10.36
23,263 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SIS184DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
23,263 En existencias
1
S/10.36
10
S/6.62
100
S/4.60
500
S/3.89
3,000
S/3.26
6,000
Ver
1,000
S/3.83
6,000
S/3.09
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3,000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerPAK-1212-8
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT SIS4
SIS488DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/6.41
65,155 En existencias
60,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
78-SIS488DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT SIS4
65,155 En existencias
60,000 En pedido
1
S/6.41
10
S/3.62
100
S/2.46
500
S/2.04
1,000
S/1.90
3,000
S/1.75
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3,000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerPAK-1212-8
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
SISA72DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/6.28
132,277 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SISA72DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
132,277 En existencias
1
S/6.28
10
S/3.75
100
S/2.11
500
S/1.69
3,000
S/1.69
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerPAK-1212-8
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds; +/-25V Vgs PowerPAK 1212-8SH
SISH101DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/6.11
54,261 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SISH101DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds; +/-25V Vgs PowerPAK 1212-8SH
54,261 En existencias
1
S/6.11
10
S/3.84
100
S/2.55
500
S/2.00
1,000
S/1.82
3,000
S/1.63
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerPAK-1212-8SH-8
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 70V 19.6A
SISS76LDN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/8.64
33,877 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SISS76LDN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 70V 19.6A
33,877 En existencias
1
S/8.64
10
S/5.55
100
S/3.73
500
S/2.96
1,000
S/2.78
3,000
S/2.64
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerPAK-1212-8S
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 3A 3W AEC-Q101 Qualified
+2 imágenes
SQ1431EH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/3.70
164,465 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SQ1431EH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 3A 3W AEC-Q101 Qualified
164,465 En existencias
1
S/3.70
10
S/2.31
100
S/1.50
500
S/1.15
3,000
S/0.89
6,000
Ver
1,000
S/1.04
6,000
S/0.817
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
SOT-363-6
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
+2 imágenes
SQ2303ES-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/3.40
163,265 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SQ2303ES-T1_GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
163,265 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/3.40
10
S/2.12
100
S/1.37
500
S/1.04
3,000
S/0.804
6,000
Ver
1,000
S/0.942
6,000
S/0.74
24,000
S/0.714
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
SOT-23-3