MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 650V
NVH4L025N065SC1
onsemi
1:
S/102.81
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863-NVH4L025N065SC1
onsemi
MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 650V
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SiC MOSFETS
SiC
Through Hole
TO-247-4
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
IPD068N10N3GATMA1
Infineon Technologies
1:
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NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPD068N10N3GATMA
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
33,148 En existencias
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S/8.08
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S/4.14
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S/4.14
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
Triacs Triacs 40 Amp 600 Volt
TG40E60
SanRex
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TG40E60
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197-TG40E60
SanRex
Triacs Triacs 40 Amp 600 Volt
7,946 En existencias
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S/56.12
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S/33.63
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S/32.04
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Triacs
Screw Mount
TO-3
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
PD55008-E
STMicroelectronics
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511-PD55008-E
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
1,494 En existencias
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RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Formed-4
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 250 V 17A STripFET II
STD18NF25
STMicroelectronics
1:
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511-STD18NF25
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 250 V 17A STripFET II
17,882 En existencias
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S/12.00
10
S/7.78
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S/5.38
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S/4.39
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S/4.09
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S/4.09
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
STL36DN6F7
STMicroelectronics
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511-STL36DN6F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
42,174 En existencias
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S/6.11
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S/3.86
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S/2.56
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1,000
S/1.82
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S/1.61
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V N-Ch MOSFET
FDA59N25
onsemi
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512-FDA59N25
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V N-Ch MOSFET
16,151 En existencias
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S/19.35
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-3PN-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V NChannel UniFET
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FDD18N20LZ
onsemi
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512-FDD18N20LZ
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V NChannel UniFET
52,024 En existencias
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S/11.14
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S/7.22
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S/4.95
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S/3.96
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S/3.95
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S/3.74
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 12A 10 OHM NCH POWER TRENCH MOSFET
+2 imágenes
FDS5672
onsemi
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FDS5672
N.º de artículo de Mouser
512-FDS5672
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 12A 10 OHM NCH POWER TRENCH MOSFET
32,938 En existencias
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S/10.45
10
S/6.75
100
S/4.60
500
S/3.68
1,000
S/3.44
2,500
S/3.43
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
SOIC-8
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
+2 imágenes
FDS86141
onsemi
1:
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N.º de artículo de Mouser
512-FDS86141
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
21,734 En existencias
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S/11.35
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S/7.91
100
S/5.89
500
S/4.95
1,000
S/4.56
2,500
S/4.56
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
SOIC-8
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP Medium Power
+2 imágenes
FMMT593TC
Diodes Incorporated
1:
S/2.62
145,280 En existencias
N.º de artículo de Mouser
522-FMMT593TC
Diodes Incorporated
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP Medium Power
145,280 En existencias
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S/2.62
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S/1.61
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S/1.03
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S/0.783
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Ver
10,000
S/0.469
1,000
S/0.632
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S/0.559
10,000
S/0.469
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BJTs - Bipolar Transistors
Si
SMD/SMT
SOT-23-3
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 8.0SMDJ - CA 30V
8.0SMDJ30CA
Littelfuse
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576-8.0SMDJ30CA
Littelfuse
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 8.0SMDJ - CA 30V
19,297 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/14.58
10
S/11.27
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S/8.30
1,000
S/7.61
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S/7.31
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SMC (DO-214AB)
Rectificadores y diodos Schottky 2x 20A 100V Rectifier
+1 imagen
MBR40100WT
Littelfuse
1:
S/21.07
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N.º de artículo de Mouser
576-MBR40100WT
Littelfuse
Rectificadores y diodos Schottky 2x 20A 100V Rectifier
7,965 En existencias
1
S/21.07
10
S/14.19
100
S/11.87
500
S/10.84
1,000
S/10.41
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Schottky Diodes & Rectifiers
Si
Through Hole
TO-247-3
Rectificadores y diodos Schottky 2x 5A 100V Rectifier
MBRF10100CTL
Littelfuse
1:
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19,529 En existencias
N.º de artículo de Mouser
576-MBRF10100CTL
Littelfuse
Rectificadores y diodos Schottky 2x 5A 100V Rectifier
19,529 En existencias
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Schottky Diodes & Rectifiers
Si
Through Hole
ITO-220AB-3
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 20V 2.2A 4 CHANNEL
+1 imagen
SP724AHTG
Littelfuse
1:
S/3.96
130,898 En existencias
N.º de artículo de Mouser
576-SP724AHTG
Littelfuse
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 20V 2.2A 4 CHANNEL
130,898 En existencias
1
S/3.96
10
S/3.68
1,000
S/3.57
3,000
S/3.23
6,000
S/3.20
9,000
S/3.12
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Carrete :
3,000
Detalles
SC-59-6 (SOT-23-6)
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Complete USB Port Pr ot Device
TPD4S014DSQR
Texas Instruments
1:
S/4.04
29,180 En existencias
N.º de artículo de Mouser
595-TPD4S014DSQR
Texas Instruments
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Complete USB Port Pr ot Device
29,180 En existencias
1
S/4.04
10
S/4.02
1,000
S/3.87
3,000
S/3.31
6,000
S/3.29
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3,000
Detalles
WSON-10
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) BIPOLAR COMP.
BC847BVN-7
Diodes Incorporated
1:
S/2.45
148,161 En existencias
N.º de artículo de Mouser
621-BC847BVN-7
Diodes Incorporated
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) BIPOLAR COMP.
148,161 En existencias
1
S/2.45
10
S/1.52
100
S/0.972
500
S/0.731
1,000
S/0.654
3,000
S/0.512
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Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
BJTs - Bipolar Transistors
Si
SMD/SMT
SOT-563-6
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563
DMG1016V-7
Diodes Incorporated
1:
S/2.06
270,714 En existencias
N.º de artículo de Mouser
621-DMG1016V-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563
270,714 En existencias
1
S/2.06
10
S/1.28
100
S/0.808
500
S/0.606
1,000
S/0.542
3,000
S/0.426
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
SOT-563-6
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: -30V
+2 imágenes
DMP3098LQ-7
Diodes Incorporated
1:
S/2.19
153,710 En existencias
N.º de artículo de Mouser
621-DMP3098LQ-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: -30V
153,710 En existencias
1
S/2.19
10
S/1.31
100
S/0.864
500
S/0.645
1,000
S/0.563
3,000
S/0.387
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
SOT-23-3
Rectificadores 2.5 Amp 1500 Volt
BY228GP-E3/54
Vishay Semiconductors
1:
S/17.93
18,006 En existencias
N.º de artículo de Mouser
625-BY228GP-E3
Vishay Semiconductors
Rectificadores 2.5 Amp 1500 Volt
18,006 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/17.93
10
S/11.70
100
S/9.16
500
S/7.70
1,400
S/7.14
2,800
S/6.75
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1,400
Detalles
Rectifiers
Through Hole
DO-201AD
Rectificadores en puente 40A,800V Enhanced Power Bridge
PB4008-E3/45
Vishay Semiconductors
1:
S/25.67
9,956 En existencias
N.º de artículo de Mouser
625-PB4008-E3/45
Vishay Semiconductors
Rectificadores en puente 40A,800V Enhanced Power Bridge
9,956 En existencias
1
S/25.67
10
S/16.81
100
S/12.34
500
S/10.97
1,000
S/9.72
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Bridge Rectifiers
Through Hole
SIP-4
Rectificadores en puente 45 A 600 Volts Enhanced Power
PB5006-E3/45
Vishay Semiconductors
1:
S/28.47
9,042 En existencias
N.º de artículo de Mouser
625-PB5006-E3
Vishay Semiconductors
Rectificadores en puente 45 A 600 Volts Enhanced Power
9,042 En existencias
1
S/28.47
10
S/12.60
100
S/10.75
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Bridge Rectifiers
Through Hole
SIP-4
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC110N06NS3 G
Infineon Technologies
1:
S/6.15
79,850 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC110N06NS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
79,850 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/6.15
10
S/3.85
100
S/2.56
500
S/2.02
5,000
S/1.67
10,000
Ver
1,000
S/1.82
2,500
S/1.67
10,000
S/1.66
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
TDSON-8
IGBTs 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
IKW40N65ET7XKSA1
Infineon Technologies
1:
S/16.38
7,871 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IKW40N65ET7XKSA1
Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
7,871 En existencias
1
S/16.38
10
S/8.43
100
S/7.27
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 800V 1.1 Rds
IXFA10N80P
IXYS
1:
S/23.82
8,999 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-IXFA10N80P
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 800V 1.1 Rds
8,999 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/23.82
10
S/12.51
100
S/11.40
500
S/10.49
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)