Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHANNEL SOT-523
DMG1013T-7
Diodes Incorporated
1:
S/1.08
1,537,193 En existencias
N.º de artículo de Mouser 621-DMG1013T-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHANNEL SOT-523
1,537,193 En existencias
1
S/1.08
10
S/0.615
100
S/0.413
500
S/0.301
3,000
S/0.172
6,000
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1,000
S/0.267
6,000
S/0.155
9,000
S/0.142
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
SOT-523-3
P-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 350V 15Ohm
+2 imágenes
TN5335K1-G
Microchip Technology
1:
S/3.96
27,701 En existencias
N.º de artículo de Mouser 689-TN5335K1-G
Microchip Technology
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 350V 15Ohm
27,701 En existencias
1
S/3.96
10
S/3.90
25
S/3.57
100
S/3.27
3,000
S/2.98
9,000
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S/3.26
1,000
S/3.25
9,000
S/2.84
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 95A TDSON-8
BSC052N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/10.49
16,787 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSC052N08NS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 95A TDSON-8
16,787 En existencias
1
S/10.49
10
S/6.62
100
S/5.29
500
S/4.34
1,000
Ver
5,000
S/4.01
1,000
S/4.30
2,500
S/4.15
5,000
S/4.01
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
Módulos IGBT 1200V, 180A Tch IGBT SOT-227 Bplr Tnstr
VS-GT180DA120U
Vishay Semiconductors
1:
S/235.77
632 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-VS-GT180DA120U
Vishay Semiconductors
Módulos IGBT 1200V, 180A Tch IGBT SOT-227 Bplr Tnstr
632 En existencias
1
S/235.77
10
S/175.91
100
S/168.30
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IGBT Modules
Si
Screw Mount
SOT-227-4
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8
SI7617DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/5.98
39,760 En existencias
N.º de artículo de Mouser 781-SI7617DN-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8
39,760 En existencias
1
S/5.98
10
S/3.78
100
S/2.51
500
S/1.96
1,000
S/1.78
3,000
S/1.59
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerPAK-1212-8
P-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch QFET Logic Level
+1 imagen
FQD13N10LTM
onsemi
1:
S/4.77
228,716 En existencias
N.º de artículo de Mouser 512-FQD13N10LTM
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch QFET Logic Level
228,716 En existencias
1
S/4.77
10
S/2.99
100
S/1.97
500
S/1.52
2,500
S/1.25
5,000
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1,000
S/1.38
5,000
S/1.16
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistor de unión de efecto de campo (JFET) NCh RF Transistor
+2 imágenes
MMBF5485
onsemi
1:
S/1.94
399,893 En existencias
134,790 En pedido
N.º de artículo de Mouser 512-MMBF5485
onsemi
Transistor de unión de efecto de campo (JFET) NCh RF Transistor
399,893 En existencias
134,790 En pedido
1
S/1.94
10
S/1.18
100
S/0.748
500
S/0.559
3,000
S/0.417
9,000
Ver
1,000
S/0.499
9,000
S/0.396
24,000
S/0.361
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JFETs
Si
SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
Módulos IGBT ELECTRONIC COMPONENT
FF300R12KS4
Infineon Technologies
1:
S/778.69
318 En existencias
N.º de artículo de Mouser 641-FF300R12KS4
Infineon Technologies
Módulos IGBT ELECTRONIC COMPONENT
318 En existencias
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IGBT Modules
Si
Screw Mount
62 mm
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
IPD380P06NMATMA1
Infineon Technologies
1:
S/10.49
32,283 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPD380P06NMATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
32,283 En existencias
1
S/10.49
10
S/5.98
100
S/4.82
500
S/3.70
1,000
S/3.46
2,500
S/3.40
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
P-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V/20V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDMS7682
onsemi
1:
S/4.86
128,007 En existencias
N.º de artículo de Mouser 512-FDMS7682
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V/20V N-Channel PowerTrench MOSFET
128,007 En existencias
1
S/4.86
10
S/2.04
100
S/1.55
500
S/1.33
1,000
S/1.26
3,000
S/1.17
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
Power-56-8
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V 0.2A 20Ohm N-Channel
+2 imágenes
FQT1N80TF-WS
onsemi
1:
S/6.58
72,844 En existencias
N.º de artículo de Mouser 512-FQT1N80TF_WS
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V 0.2A 20Ohm N-Channel
72,844 En existencias
1
S/6.58
10
S/3.88
100
S/2.77
500
S/2.17
1,000
Ver
4,000
S/1.78
1,000
S/1.87
2,000
S/1.78
4,000
S/1.78
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Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
SOT-223-4
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD13380F3
CSD13380F3T
Texas Instruments
1:
S/5.72
52,301 En existencias
N.º de artículo de Mouser 595-CSD13380F3T
Texas Instruments
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD13380F3
52,301 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/5.72
10
S/3.60
100
S/2.06
250
S/2.06
500
S/1.76
1,000
Ver
1,000
S/1.58
2,500
S/1.51
5,000
S/1.47
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Carrete :250
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PICOSTAR-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
IPD50N06S2L13ATMA2
Infineon Technologies
1:
S/9.42
29,782 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPD50N06S2L13ATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
29,782 En existencias
1
S/9.42
10
S/5.98
100
S/4.18
500
S/3.34
1,000
S/3.16
2,500
S/3.01
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,500
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs SO-8
+2 imágenes
SI4090DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/8.73
25,930 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SI4090DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs SO-8
25,930 En existencias
1
S/8.73
10
S/5.59
100
S/3.78
500
S/3.00
1,000
S/2.83
2,500
S/2.68
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,500
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 37A P-Channel
SUD50P10-43L-GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/14.49
11,968 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SUD50P10-43L-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 37A P-Channel
11,968 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/14.49
10
S/9.46
100
S/6.58
500
S/5.68
2,000
S/5.38
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
P-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology
IAUMN04S7N006GAUMA1
Infineon Technologies
1:
S/14.19
160 En existencias
200 En pedido
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser 726-IAUMN04S7N006GAU
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology
160 En existencias
200 En pedido
1
S/14.19
10
S/9.72
100
S/8.26
500
S/6.62
1,000
S/6.49
2,000
S/6.49
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,000
Detalles
MOSFETs
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PBSS5250PAS-Q/SOT1061/HUSON3
PBSS5250PAS-QX
Nexperia
1:
S/3.35
2,990 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser 771-PBSS5250PAS-QX
Nuevo producto
Nexperia
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PBSS5250PAS-Q/SOT1061/HUSON3
2,990 En existencias
1
S/3.35
10
S/2.08
50
S/1.77
100
S/1.33
3,000
S/0.641
6,000
Ver
500
S/1.01
1,000
S/0.907
6,000
S/0.585
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
BJTs - Bipolar Transistors
Si
SMD/SMT
DFN-2020D-3
PNP
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PBSS5250PAS/SOT1061/HUSON3
PBSS5250PASX
Nexperia
1:
S/3.27
2,980 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser 771-PBSS5250PASX
Nuevo producto
Nexperia
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PBSS5250PAS/SOT1061/HUSON3
2,980 En existencias
1
S/3.27
10
S/2.00
50
S/1.70
100
S/1.29
3,000
S/0.615
6,000
Ver
500
S/0.972
1,000
S/0.873
6,000
S/0.563
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
BJTs - Bipolar Transistors
Si
SMD/SMT
DFN-2020D-3
PNP
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 60V
SIHFU024-GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/5.50
576 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser 78-SIHFU024-GE3
Nuevo producto
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 60V
576 En existencias
1
S/5.50
10
S/3.47
100
S/2.30
500
S/1.89
3,000
S/1.49
6,000
Ver
1,000
S/1.76
6,000
S/1.35
9,000
S/1.32
24,000
S/1.29
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-251-3
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN MULTI-CHIP
NSVT5551DW1T1G
onsemi
1:
S/4.21
2,841 En existencias
2,890 En pedido
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser 863-NSVT5551DW1T1G
Nuevo producto
onsemi
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN MULTI-CHIP
2,841 En existencias
2,890 En pedido
1
S/4.21
10
S/2.62
100
S/1.71
500
S/1.32
1,000
S/1.23
3,000
S/1.02
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
BJTs - Bipolar Transistors
Si
SMD/SMT
SC88-6L
NPN
MOSFETs de SiC 1700V 1000mR, TO247-3L, Industrial Grade
AMR1k0V170E1
APC-E
1:
S/22.53
300 En existencias
300 En pedido
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser 896-AMR1K0V170E1
Nuevo producto
APC-E
MOSFETs de SiC 1700V 1000mR, TO247-3L, Industrial Grade
300 En existencias
300 En pedido
1
S/22.53
10
S/14.71
120
S/11.48
510
S/9.63
1,020
Ver
1,020
S/8.94
2,520
S/8.39
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
SiC MOSFETS
Through Hole
TO-247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-6 T&R 3K
DMP3014SFDE-7
Diodes Incorporated
1:
S/3.70
2,866 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser 621-DMP3014SFDE-7
Nuevo producto
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-6 T&R 3K
2,866 En existencias
1
S/3.70
10
S/2.30
100
S/1.57
500
S/1.23
1,000
S/1.03
3,000
S/0.856
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
U-DFN2020-6
P-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V 30V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K
DMT31M8LFVWQ-13
Diodes Incorporated
1:
S/6.41
2,980 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser 621-DMT31M8LFVWQ-13
Nuevo producto
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V 30V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K
2,980 En existencias
1
S/6.41
10
S/4.02
100
S/2.67
500
S/2.10
1,000
S/1.90
3,000
S/1.69
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerDI3333-8
N-Channel
MOSFETs de SiC SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO263-7 TUBE 50PCS
360°
+6 imágenes
DMWSH120H90SCT7Q
Diodes Incorporated
1:
S/49.97
35 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser 621-DMWSH120H90SCT7Q
Nuevo producto
Diodes Incorporated
MOSFETs de SiC SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO263-7 TUBE 50PCS
35 En existencias
1
S/49.97
10
S/33.45
100
S/28.60
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
SiC MOSFETS
SiC
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 40 V, 8.0 A, 0.0118 ohm at 10V, DFN2020B(WF)
XSM6K519NW,LXHF
Toshiba
1:
S/4.26
2,985 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser 757-XSM6K519NWLXHF
Nuevo producto
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 40 V, 8.0 A, 0.0118 ohm at 10V, DFN2020B(WF)
2,985 En existencias
1
S/4.26
10
S/2.66
100
S/1.73
500
S/1.33
3,000
S/1.05
6,000
Ver
1,000
S/1.24
6,000
S/0.976
9,000
S/0.968
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DFN-6
N-Channel
