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Transistores

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N.° de pieza

Módulos IGBT 950 V, 600 A 3-level IGBT module

F3L600R10W4S7FC22BPSA1
Infineon Technologies
1: S/1,036.56
11En existencias

N.º de artículo del Fabricante
F3L600R10W4S7FC22BPSA1

N.º de artículo de Mouser
726-R10W4S7FC22BPSA1

Infineon Technologies

Módulos IGBT 950 V, 600 A 3-level IGBT module

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11En existencias

S/1,036.56

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 49mOhm NexFET P ower MOSFET A 595-C A 595-CSD19538Q2

CSD19538Q2T
Texas Instruments
1: S/7.96
29,520En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD19538Q2T

N.º de artículo de Mouser
595-CSD19538Q2T

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 49mOhm NexFET P ower MOSFET A 595-C A 595-CSD19538Q2

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29,520En existencias

Cinta cortada

S/7.96

S/5.07

S/2.97

Envase tipo carrete

S/2.97

S/2.56

S/2.32

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 250

MOSFETs

SMD/SMT

WSON-FET-6

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUC100N04S6L025ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.41
46,152En existencias
15,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IAUC100N04S6L025ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC100N04S6L025

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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46,152En existencias

15,000En pedido

Cinta cortada

S/6.41

S/4.05

S/2.69

S/2.11

Ver

Envase tipo carrete

S/1.72

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

MOSFETs

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+

IPB120N10S405ATMA1
Infineon Technologies
1: S/16.90
14,560En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB120N10S405ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB120N10S405ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+

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14,560En existencias

Cinta cortada

S/16.90

S/11.09

S/7.78

S/6.97

Envase tipo carrete

S/6.54

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2

IPD025N06N
Infineon Technologies
1: S/13.29
13,674En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD025N06N

N.º de artículo de Mouser
726-IPD025N06N

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2

Hoja de datos

13,674En existencias

Cinta cortada

S/13.29

S/8.60

S/6.32

S/5.33

S/4.69

Envase tipo carrete

S/4.60

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPD053N08N3GATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.50
50,360En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD053N08N3GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD053N08N3GA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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50,360En existencias

Cinta cortada

S/9.50

S/6.88

S/5.42

S/4.86

Envase tipo carrete

S/4.86

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS

IPD30N08S2L21ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.45
36,720En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD30N08S2L21ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD30N08S2L21ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS

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36,720En existencias

Cinta cortada

S/10.45

S/6.75

S/4.60

S/3.68

S/3.62

Envase tipo carrete

S/3.38

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -18.6A DPAK-2

SPD18P06PGBTMA1
Infineon Technologies
1: S/7.22
52,648En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SPD18P06PGBTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPD18P06PGBTMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -18.6A DPAK-2

Hoja de datos

52,648En existencias

Cinta cortada

S/7.22

S/4.60

S/3.07

S/2.42

S/2.21

Envase tipo carrete

S/2.03

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PFET TSOP6 60V 2.5A 111MO

NVGS5120PT1G
onsemi
1: S/5.98
201,575En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVGS5120PT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVGS5120PT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PFET TSOP6 60V 2.5A 111MO

Hoja de datos

201,575En existencias

Cinta cortada

S/5.98

S/3.74

S/2.48

S/1.95

S/1.76

Envase tipo carrete

S/1.56

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

Módulos IGBT 1200 V, 150 A sixpack IGBT module

FS150R12N2T7B54BPSA1
Infineon Technologies
1: S/374.44
39En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FS150R12N2T7B54BPSA1

N.º de artículo de Mouser
726-FS150R12N2T7B54B

Infineon Technologies

Módulos IGBT 1200 V, 150 A sixpack IGBT module

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Hoja de datos

39En existencias

S/374.44

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules

Through Hole

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPTC054N15NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/25.93
861En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPTC054N15NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-TC054N15NM5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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Hoja de datos

861En existencias

Cinta cortada

S/25.93

S/17.37

S/12.51

S/11.95

S/11.74

Envase tipo carrete

S/11.14

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,800

MOSFETs

SMD/SMT

HDSOP-16

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V NCH NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1657 A 595-CSD16570Q5B

CSD16570Q5BT
Texas Instruments
1: S/15.95
10,499En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD16570Q5BT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD16570Q5BT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V NCH NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1657 A 595-CSD16570Q5B

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Hoja de datos

10,499En existencias

Cinta cortada

S/15.95

S/10.45

S/6.02

Envase tipo carrete

S/6.02

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 250

MOSFETs

SMD/SMT

VSON-CLIP-8

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low Side IntelliFET

ZXMS6005DN8Q-13
Diodes Incorporated
1: S/4.43
74,964En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ZXMS6005DN8Q-13

N.º de artículo de Mouser
621-ZXMS6005DN8Q-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low Side IntelliFET

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Hoja de datos

74,964En existencias

Cinta cortada

S/4.43

S/2.89

S/2.38

S/2.28

S/2.16

Envase tipo carrete

S/1.97

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS

BSC110N15NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.96
10,450En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC110N15NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC110N15NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS

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Hoja de datos

10,450En existencias

Cinta cortada

S/14.96

S/9.98

S/7.22

S/6.32

S/5.93

Envase tipo carrete

S/5.89

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

MOSFETs

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

IPD30N06S2L23ATMA3
Infineon Technologies
1: S/5.72
58,939En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD30N06S2L23ATMA3

N.º de artículo de Mouser
726-IPD30N06S2L23AT3

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

Hoja de datos

58,939En existencias

Cinta cortada

S/5.72

S/3.80

S/3.11

S/2.66

S/2.44

Envase tipo carrete

S/2.15

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DSOP-ADV PD=170W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TPWR6003PL,L1Q
Toshiba
1: S/17.37
23,773En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPWR6003PL,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPWR6003PLL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DSOP-ADV PD=170W 1MHz PWR MOSFET TRNS

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23,773En existencias

Cinta cortada

S/17.37

S/11.44

S/8.04

S/7.27

S/6.79

Envase tipo carrete

S/6.75

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

MOSFETs

SMD/SMT

DSOP-8

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80-V (D-S)

SIR680LDP-T1-RE3
Vishay Semiconductors
1: S/14.15
68,357En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR680LDP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR680LDP-T1-RE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80-V (D-S)

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68,357En existencias

Más información disponible

Cinta cortada

S/14.15

S/9.20

S/6.41

S/5.46

Envase tipo carrete

S/5.12

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

IGBTs 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 3pin package

IKQ50N120CH7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/31.39
451En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IKQ50N120CH7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IKQ50N120CH7XKSA

Infineon Technologies

IGBTs 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 3pin package

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451En existencias

S/31.39

S/19.65

S/19.61

S/16.34

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPT022N10NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.88
1,693En existencias
1,800En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPT022N10NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT022N10NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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1,693En existencias

1,800En pedido

Cinta cortada

S/14.88

S/9.72

S/6.79

S/5.89

S/5.50

Envase tipo carrete

S/5.50

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,800

MOSFETs

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

IGBTs 1200 V, 120 A IGBT7 S7 in TO247PLUS-3pin package

IGQ120N120S7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/47.82
347En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IGQ120N120S7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-GQ120N120S7XKSA1

Infineon Technologies

IGBTs 1200 V, 120 A IGBT7 S7 in TO247PLUS-3pin package

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Hoja de datos

347En existencias

S/47.82

S/33.41

S/29.37

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V/20V N-Channel PowerTrench MOSFET

FDMS7682
onsemi
1: S/4.86
128,023En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDMS7682

N.º de artículo de Mouser
512-FDMS7682

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V/20V N-Channel PowerTrench MOSFET

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Hoja de datos

128,023En existencias

Cinta cortada

S/4.86

S/2.07

S/1.55

S/1.33

S/1.26

Envase tipo carrete

S/1.17

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

Power-56-8

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V 0.2A 20Ohm N-Channel

FQT1N80TF-WS
onsemi
1: S/6.58
72,906En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FQT1N80TF-WS

N.º de artículo de Mouser
512-FQT1N80TF_WS

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V 0.2A 20Ohm N-Channel

Hoja de datos

72,906En existencias

Cinta cortada

S/6.58

S/3.95

S/2.77

S/2.17

Ver

Envase tipo carrete

S/1.78

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 4,000

MOSFETs

SMD/SMT

SOT-223-4

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD13380F3

CSD13380F3T
Texas Instruments
1: S/5.72
52,961En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD13380F3T

N.º de artículo de Mouser
595-CSD13380F3T

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD13380F3

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Hoja de datos

52,961En existencias

Cinta cortada

S/5.72

S/3.60

S/2.06

Envase tipo carrete

S/2.06

S/1.76

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 250

MOSFETs

SMD/SMT

PICOSTAR-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 7.7A DSO-8 OptiMOS 3M

BSO220N03MDGXUMA1
Infineon Technologies
1: S/5.20
62,877En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSO220N03MDGXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSO220N03MDGXUMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 7.7A DSO-8 OptiMOS 3M

Hoja de datos

62,877En existencias

Cinta cortada

S/5.20

S/3.25

S/2.13

S/1.66

S/1.51

Envase tipo carrete

S/1.23

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMBG65R057M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/30.75
3,984En existencias
2,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IMBG65R057M1HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG65R057M1HXTM

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

3,984En existencias

2,000En pedido

Cinta cortada

S/30.75

S/19.35

S/16.77

Envase tipo carrete

S/16.77

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SiC MOSFETS

SiC

SMD/SMT

N-Channel

Transistores

Tipos de Transistores

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

Advanced Linear Devices
Ampleon
Analog Devices Inc.
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Central Semiconductor
CML Micro
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Diotec Semiconductor
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GigaDevice
Guerrilla RF
iDEAL Semiconductor
Infineon
InterFET
IXYS
Linear Integrated Systems
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MACOM
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Micro Commercial Components (MCC)
Mini-Circuits
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Navitas Semiconductor
Nexperia
Nuvoton
NXP
onsemi
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Panjit
Qorvo
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Renesas Electronics
ROHM Semiconductor
SanRex
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STMicroelectronics
Taiwan Semiconductor
TDK-Lambda
TE Connectivity
Texas Instruments
THAT Corporation
Torex Semiconductor
Toshiba
TT Electronics
Vishay
WeEn Semiconductors
Wolfspeed
YAGEO
ZiLOG

0.41 mm x 0.34 mm
1.4 mm x 1.2 mm
1.42 mm x 1.2 mm x 0.85 mm
100 mm x 140 mm
106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm
108 mm x 67.3 mm x 17.2 mm
1212-8S
1212-8SCD
1212-8SLW
1212-8W
130 mm x 103 mm x 20.55 mm
130 mm x 140 mm
140 mm x 190 mm
144 mm x 99.8 mm
152 mm x 62.15 mm
152 mm x 62.5 mm x 20.5 mm
152 mm x 62.5 mm x 20.8 mm
183AB
190 mm x 140 mm x 38.5 mm
190 mm x 140 mm x 48 mm