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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 6 Amp Zener SuperMESH

STB6NK60ZT4
STMicroelectronics
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STB6NK60ZT4

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511-STB6NK60Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 6 Amp Zener SuperMESH

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S/4.90

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MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 15 Amp

STD15NF10T4
STMicroelectronics
1: S/4.90
9,144En existencias

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STD15NF10T4

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511-STD15NF10

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 15 Amp

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S/4.90

S/3.48

S/2.62

S/2.19

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 4.2Ohm typ 2A Zener-protected

STD2N95K5
STMicroelectronics
1: S/8.39
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STD2N95K5

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511-STD2N95K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 4.2Ohm typ 2A Zener-protected

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S/8.39

S/5.20

S/3.66

S/2.90

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MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900 Volt 2.1Amp Zener SuperMESH

STD2NK90ZT4
STMicroelectronics
1: S/10.06
6,116En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD2NK90ZT4

N.º de artículo de Mouser
511-STD2NK90Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900 Volt 2.1Amp Zener SuperMESH

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S/10.06

S/7.10

S/4.95

S/3.98

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S/3.37

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MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 900V-5ohms Zener SuperMESH 2.1A

STD2NK90Z-1
STMicroelectronics
1: S/9.59
2,947En existencias

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STD2NK90Z-1

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511-STD2NK90Z-1

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 900V-5ohms Zener SuperMESH 2.1A

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S/9.59

S/5.33

S/4.82

S/4.05

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MOSFETs

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 1000 V, 5.4 Ohm typ., 2.2 A SuperMESH Power MOSFET in

STD4NK100Z
STMicroelectronics
1: S/13.59
7,366En existencias

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STD4NK100Z

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511-STD4NK100Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 1000 V, 5.4 Ohm typ., 2.2 A SuperMESH Power MOSFET in

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S/13.59

S/8.86

S/6.15

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S/4.23

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MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 5 Amp

STD5NM60T4
STMicroelectronics
1: S/9.85
1,848En existencias

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STD5NM60T4

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511-STD5NM60

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 5 Amp

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S/9.85

S/6.75

S/5.16

S/4.47

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Presupuesto

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MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) STripFET

STD65N55F3
STMicroelectronics
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2,243En existencias

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STD65N55F3

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511-STD65N55F3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) STripFET

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S/12.69

S/8.21

S/5.68

S/4.73

Envase tipo carrete

S/4.43

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: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2

STD7N60M2
STMicroelectronics
1: S/7.91
3,271En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD7N60M2

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511-STD7N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2

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S/7.91

S/4.95

S/3.35

S/2.67

Envase tipo carrete

S/2.09

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: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 500V 0.47 Ohm 7.5A

STD9NM50N
STMicroelectronics
1: S/8.08
7,194En existencias

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STD9NM50N

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511-STD9NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 500V 0.47 Ohm 7.5A

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S/8.08

S/5.16

S/3.47

S/2.74

Envase tipo carrete

S/2.15

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch 650 V 0.168 Ohm 18 A MDmesh M5

STF20N65M5
STMicroelectronics
1: S/14.66
5,773En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF20N65M5

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511-STF20N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch 650 V 0.168 Ohm 18 A MDmesh M5

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S/14.66

S/6.58

S/6.19

S/5.63

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MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

IGBTs 4.5 A 600V IGBT 20V VGE 25A IFSM

STGD3HF60HDT4
STMicroelectronics
1: S/5.55
18,564En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGD3HF60HDT4

N.º de artículo de Mouser
511-STGD3HF60HDT4

STMicroelectronics

IGBTs 4.5 A 600V IGBT 20V VGE 25A IFSM

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S/5.55

S/3.45

S/2.31

S/1.80

Envase tipo carrete

S/1.29

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

IGBT Transistors

SMD/SMT

DPAK

IGBTs N-Ch 600 Volt 10 Amp

STGF10NB60SD
STMicroelectronics
1: S/7.10
2,709En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGF10NB60SD

N.º de artículo de Mouser
511-STGF10NB60SD

STMicroelectronics

IGBTs N-Ch 600 Volt 10 Amp

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2,709En existencias

S/7.10

S/4.82

S/4.34

S/3.44

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Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

TO-220-3 FP

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-6 pac

STH240N10F7-6
STMicroelectronics
1: S/20.08
3,650En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH240N10F7-6

N.º de artículo de Mouser
511-STH240N10F7-6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-6 pac

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S/20.08

S/13.29

S/9.46

S/8.82

Envase tipo carrete

S/7.22

S/7.14

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 3 mOhm typ.,105 A STripFET F7 Power MOSFET in P

STL105N4LF7AG
STMicroelectronics
1: S/6.67
5,654En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL105N4LF7AG

N.º de artículo de Mouser
511-STL105N4LF7AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 3 mOhm typ.,105 A STripFET F7 Power MOSFET in P

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Cinta cortada

S/6.67

S/3.88

S/3.05

S/2.69

Envase tipo carrete

S/2.48

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-4

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.475 Ohm typ., 8.5 A MDmesh M5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x5

STL11N65M5
STMicroelectronics
1: S/12.43
2,059En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL11N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STL11N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.475 Ohm typ., 8.5 A MDmesh M5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x5

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Cinta cortada

S/12.43

S/5.63

S/4.34

S/3.89

Envase tipo carrete

S/3.74

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-5x5-12

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 80 V, 4.0 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x

STL120N8F7
STMicroelectronics
1: S/12.94
7,211En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL120N8F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL120N8F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 80 V, 4.0 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x

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Cinta cortada

S/12.94

S/8.39

S/5.85

S/4.90

Envase tipo carrete

S/3.88

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 4 mOhm 24A STripFET VII

STL130N8F7
STMicroelectronics
1: S/11.87
7,064En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL130N8F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL130N8F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 4 mOhm 24A STripFET VII

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S/11.87

S/8.90

S/6.79

S/5.89

S/5.50

Envase tipo carrete

S/4.77

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.29 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV

STL16N60M2
STMicroelectronics
1: S/12.99
3,116En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL16N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STL16N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.29 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV

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S/12.99

S/8.43

S/5.85

S/4.90

Envase tipo carrete

S/4.56

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.195 Ohm typ., 15 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

STL24N60DM2
STMicroelectronics
1: S/17.63
7,582En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL24N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STL24N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.195 Ohm typ., 15 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

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S/17.63

S/11.61

S/8.26

S/6.75

Envase tipo carrete

S/6.28

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-5

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh

STP11NM80
STMicroelectronics
1: S/23.95
1,957En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP11NM80

N.º de artículo de Mouser
511-STP11NM80

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh

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S/23.95

S/14.66

S/13.85

S/12.17

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Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 0.41Ohm typ. 12A MDmesh K5

STP15N95K5
STMicroelectronics
1: S/20.98
884En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP15N95K5

N.º de artículo de Mouser
511-STP15N95K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 0.41Ohm typ. 12A MDmesh K5

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884En existencias

S/20.98

S/13.80

S/10.79

S/9.59

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Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ., 20 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package

STP20N90K5
STMicroelectronics
1: S/25.93
1,434En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP20N90K5

N.º de artículo de Mouser
511-STP20N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ., 20 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package

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Hoja de datos

1,434En existencias

S/25.93

S/17.85

S/17.03

S/14.79

S/14.75

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5

STP21N90K5
STMicroelectronics
1: S/31.61
1,395En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP21N90K5

N.º de artículo de Mouser
511-STP21N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5

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1,395En existencias

S/31.61

S/17.07

S/15.65

S/13.24

S/13.20

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.078Ohm typ. 34A MDmesh M2

STP40N60M2
STMicroelectronics
1: S/22.83
980En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP40N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STP40N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.078Ohm typ. 34A MDmesh M2

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Hoja de datos

980En existencias

S/22.83

S/13.03

S/11.87

S/9.89

S/9.46

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistores

Tipos de Transistores

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

Advanced Linear Devices
Ampleon
Analog Devices Inc.
APC-E
Bourns
CEL
Central Semiconductor
CML Micro
Coherent
Comchip Technology
Diodes Incorporated
Diotec Semiconductor
EPC
GigaDevice
Guerrilla RF
iDEAL Semiconductor
Infineon
InterFET
IXYS
Linear Integrated Systems
Littelfuse
MACOM
Microchip
Micro Commercial Components (MCC)
Mini-Circuits
Mitsubishi Electric
Navitas Semiconductor
Nexperia
Nuvoton
NXP
onsemi
Panasonic
Panjit
Qorvo
Rectron
Renesas Electronics
ROHM Semiconductor
SanRex
Schneider Electric
SemiQ
Shindengen
Skyworks
Soldered
STMicroelectronics
Taiwan Semiconductor
TDK-Lambda
TE Connectivity
Texas Instruments
THAT Corporation
Torex Semiconductor
Toshiba
TT Electronics
Vishay
WeEn Semiconductors
Wolfspeed
YAGEO
ZiLOG

0.41 mm x 0.34 mm
1.4 mm x 1.2 mm
1.42 mm x 1.2 mm x 0.85 mm
100 mm x 140 mm
106.4 mm x 61.4 mm
106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm
108 mm x 67.3 mm x 17.2 mm
110 mm x 65 mm x 12.2 mm
1212-8S
1212-8SCD
1212-8SLW
1212-8W
130 mm x 103 mm x 20.55 mm
130 mm x 140 mm
140 mm x 190 mm
144 mm x 99.8 mm
152 mm x 62.15 mm
152 mm x 62.5 mm x 20.5 mm
152 mm x 62.5 mm x 20.8 mm
183AB