Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 32A TO-264 Power MOSFET
IXFK32N100X
IXYS
1:
S/104.32
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747-IXFK32N100X
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 32A TO-264 Power MOSFET
194 En existencias
1
S/104.32
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S/72.63
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-264-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
IXTK600N04T2
IXYS
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747-IXTK600N04T2
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
186 En existencias
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S/108.45
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-264-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Disc Mosfet N-CH Linear L2 TO-247AD
IXTX240N075L2
IXYS
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747-IXTX240N075L2
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Disc Mosfet N-CH Linear L2 TO-247AD
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S/167.10
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120
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 60V 100A
BUK7Y6R0-60EX
Nexperia
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771-BUK7Y6R0-60EX
Nexperia
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 60V 100A
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S/10.06
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S/6.36
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S/3.49
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S/3.09
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S/3.09
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
LFPAK-56-5
N-Channel
GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 30 Watt
CGH60030D-GP4
MACOM
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941-CGH60030D
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GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 30 Watt
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GaN FETs
GaN
SMD/SMT
Die
N-Channel
GaN FETs Amplifier,400W,GaN HEMT, 50V,2.9-3.5GHz
CGHV35400F1
MACOM
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941-CGHV35400F1
MACOM
GaN FETs Amplifier,400W,GaN HEMT, 50V,2.9-3.5GHz
7 En existencias
40 En pedido
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GaN FETs
GaN
Screw Mount
440225
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS5 500 V 60 mOhm TO-264 MAX
+1 imagen
APT50M60L2VRG
Microchip Technology
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45 En existencias
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494-APT50M60L2VRG
Microchip Technology
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS5 500 V 60 mOhm TO-264 MAX
45 En existencias
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-264-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.155 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
STL28N60DM2
STMicroelectronics
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S/20.08
1,241 En existencias
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511-STL28N60DM2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.155 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
1,241 En existencias
1
S/20.08
10
S/13.29
100
S/10.41
500
S/9.25
1,000
S/8.17
3,000
S/8.17
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-8x8-5
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
IQE008N03LM5ATMA1
Infineon Technologies
1:
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5,069 En existencias
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726-IQE008N03LM5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
5,069 En existencias
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S/13.67
10
S/8.82
100
S/6.11
500
S/4.90
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S/4.56
5,000
S/4.15
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5,000
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4V Drive Nch MOSFET
RSJ550N10TL
ROHM Semiconductor
1:
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1,728 En existencias
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755-RSJ550N10TL
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4V Drive Nch MOSFET
1,728 En existencias
1
S/22.92
10
S/15.27
100
S/12.17
500
S/10.79
1,000
S/9.55
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1,000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
TO-263-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 200A 375 AEC-Q101 Qualified
SQM200N04-1m7L_GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/20.08
2,323 En existencias
N.º de artículo de Mouser
781-SQM200N041M7LGE
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 200A 375 AEC-Q101 Qualified
2,323 En existencias
1
S/20.08
10
S/13.12
100
S/10.28
500
S/8.60
800
S/8.00
2,400
S/7.61
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Carrete :
800
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 4 PNP Matched Trans. Array SO-14
320S14-U
THAT
1:
S/39.47
2,133 En existencias
N.º de artículo de Mouser
887-320S14-U
THAT
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 4 PNP Matched Trans. Array SO-14
2,133 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/39.47
10
S/28.72
110
S/23.91
550
S/21.29
1,045
S/18.96
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BJTs - Bipolar Transistors
Si
SMD/SMT
SOIC-14
PNP
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
PD55015S-E
STMicroelectronics
1:
S/99.16
240 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-PD55015S-E
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
240 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/99.16
10
S/81.14
100
S/71.68
400
S/66.91
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RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Straight-4
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 365 mOhm typ., 9 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
360°
+5 imágenes
STD9N65DM6AG
STMicroelectronics
1:
S/12.17
2,317 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD9N65DM6AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 365 mOhm typ., 9 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
2,317 En existencias
1
S/12.17
10
S/7.87
100
S/5.63
500
S/4.73
1,000
S/4.06
2,500
S/4.06
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Carrete :
2,500
Detalles
MOSFETs
Si
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarP2 Power MOSFET
IXFK94N50P2
IXYS
1:
S/90.99
280 En existencias
300 En pedido
N.º de artículo de Mouser
747-IXFK94N50P2
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarP2 Power MOSFET
280 En existencias
300 En pedido
1
S/90.99
10
S/69.19
100
S/61.06
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-264-3
N-Channel
GaN FETs GaN HEMT 2.9-3.5GHz, 400 Watt
CGHV35400F
MACOM
1:
S/4,858.10
5 En existencias
N.º de artículo de Mouser
941-CGHV35400F
MACOM
GaN FETs GaN HEMT 2.9-3.5GHz, 400 Watt
5 En existencias
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Detalles
GaN FETs
GaN
Screw Mount
440217
N-Channel
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) W/ANNEAL TXARRAY 2X PNP MATCHED INDEL
+1 imagen
HFA3135IHZ96
Renesas / Intersil
1:
S/57.19
1,290 En existencias
N.º de artículo de Mouser
968-HFA3135IHZ96
Renesas / Intersil
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) W/ANNEAL TXARRAY 2X PNP MATCHED INDEL
1,290 En existencias
1
S/57.19
10
S/42.53
100
S/34.10
500
S/32.77
3,000
S/32.77
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
RF Bipolar Transistors
Si
SOT-23
PNP
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 74mohm 53A Fast Recovery Qrr trr SJ MOSFET
PJMH074N60FRC_T0_00601
Panjit
1:
S/20.94
1,490 En existencias
N.º de artículo de Mouser
241-PJMH074N60FRCT06
Panjit
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 74mohm 53A Fast Recovery Qrr trr SJ MOSFET
1,490 En existencias
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Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
IQE030N06NM5CGSCATMA1
Infineon Technologies
1:
S/16.00
4,782 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IQE030N06NM5CGSC
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
4,782 En existencias
1
S/16.00
10
S/10.75
100
S/7.35
500
S/6.49
1,000
S/6.11
6,000
S/5.25
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
6,000
MOSFETs
Si
SMD/SMT
WHTFN-9
N-Channel
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SOT346T 50V 1A MID-PWR TRANS
2SAR513RHZGTL
ROHM Semiconductor
1:
S/4.09
4,978 En existencias
N.º de artículo de Mouser
755-2SAR513RHZGTL
ROHM Semiconductor
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SOT346T 50V 1A MID-PWR TRANS
4,978 En existencias
1
S/4.09
10
S/2.55
100
S/1.66
500
S/1.28
3,000
S/0.89
6,000
Ver
1,000
S/1.17
6,000
S/0.86
9,000
S/0.804
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
BJTs - Bipolar Transistors
Si
SMD/SMT
SOT-346T-3
PNP
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 650V 12A N-CH MOSFET
R6004RND3TL1
ROHM Semiconductor
1:
S/4.00
2,890 En existencias
N.º de artículo de Mouser
755-R6004RND3TL1
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 650V 12A N-CH MOSFET
2,890 En existencias
1
S/4.00
10
S/2.83
100
S/2.33
500
S/2.24
2,500
S/2.10
5,000
Ver
1,000
S/2.16
5,000
S/2.00
10,000
S/1.95
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
TO-252-3
N-Channel
MOSFETs de SiC TO247 750V 34A N-CH SIC
SCT4045DRHRC15
ROHM Semiconductor
1:
S/46.66
321 En existencias
N.º de artículo de Mouser
755-SCT4045DRHRC15
ROHM Semiconductor
MOSFETs de SiC TO247 750V 34A N-CH SIC
321 En existencias
1
S/46.66
10
S/30.70
450
S/29.50
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
SiC MOSFETS
SiC
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6F S-MOS(LF)
+1 imagen
SSM6K824R,LF
Toshiba
1:
S/2.75
11,562 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K824RLF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6F S-MOS(LF)
11,562 En existencias
1
S/2.75
10
S/1.69
100
S/1.08
500
S/0.817
1,000
Ver
1,000
S/0.722
2,500
S/0.606
5,000
S/0.525
10,000
S/0.486
25,000
S/0.46
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SOT363 40V .2A PNP/PNP BJT
PMP3906AYS-QZ
Nexperia
1:
S/2.75
9,501 En existencias
N.º de artículo de Mouser
771-PMP3906AYS-QZ
Nexperia
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SOT363 40V .2A PNP/PNP BJT
9,501 En existencias
1
S/2.75
10
S/1.71
100
S/1.10
500
S/0.83
10,000
S/0.503
20,000
Ver
1,000
S/0.675
2,500
S/0.667
5,000
S/0.593
20,000
S/0.482
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
10,000
Detalles
BJTs - Bipolar Transistors
Si
SMD/SMT
SOT-363-6
PNP
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 500V 2.4A N-CH MOSFET
IRFR420PBF-BE3
Vishay Semiconductors
1:
S/8.30
8,798 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-IRFR420PBF-BE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 500V 2.4A N-CH MOSFET
8,798 En existencias
1
S/8.30
10
S/4.69
100
S/4.20
500
S/3.55
1,000
S/3.31
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel