.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Transistores

Transistors are in stock with same-day shipping at Mouser Electronics from industry leading manufacturers. Mouser is an authorized distributor for many transistor manufacturers including Diodes Inc., Infineon, IXYS, Nexperia, onsemi, ROHM, STMicroelectronics, Texas Instruments, Toshiba, Vishay & more. You can buy many types of transistors at Mouser including, Bipolar transistors, Darlington transistors, MOSFETs, RF transistors, JFETs & more. Please view our large selection of transistors below.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Tipos de Transistores

Lista Imágenes

Resultados: 46,668

Filtros aplicados:

Fabricante

Tipo de producto

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Descargar tabla (.CSV)

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD87502Q2

CSD87502Q2T
Texas Instruments
1: S/4.52
5,955En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD87502Q2T

N.º de artículo de Mouser
595-CSD87502Q2T

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD87502Q2

Obtenga más información

Hoja de datos

5,955En existencias

Cinta cortada

S/4.52

S/2.95

S/2.43

Envase tipo carrete

S/2.43

S/2.28

S/2.19

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 250

MOSFETs

SMD/SMT

WSON-FET-6

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.6A 1.2W

DMN10H170SVT-7
Diodes Incorporated
1: S/3.18
38,635En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN10H170SVT-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN10H170SVT-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.6A 1.2W

Hoja de datos

38,635En existencias

Cinta cortada

S/3.18

S/1.98

S/1.33

S/1.04

S/0.933

Envase tipo carrete

S/0.718

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

TSOT-26-6

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V 24V PowerDI3333-8 T&R 2K

DMN22M5UFG-7
Diodes Incorporated
1: S/5.42
22,510En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN22M5UFG-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN22M5UFG-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V 24V PowerDI3333-8 T&R 2K

Hoja de datos

22,510En existencias

Cinta cortada

S/5.42

S/3.39

S/2.24

S/1.74

Envase tipo carrete

S/1.23

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerDI3333-8

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 175c N-Ch FET 28mOhm 10V 55A

DMNH10H028SK3Q-13
Diodes Incorporated
1: S/10.97
2,048En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMNH10H028SK3Q-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMNH10H028SK3Q13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 175c N-Ch FET 28mOhm 10V 55A

Obtenga más información

Hoja de datos

2,048En existencias

Cinta cortada

S/10.97

S/7.10

S/4.86

S/3.89

S/3.76

Envase tipo carrete

S/3.66

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -20V ENH Mode 35mOhm -4.5V -6.0A

DMP2035UVT-7
Diodes Incorporated
1: S/2.71
19,027En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMP2035UVT-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMP2035UVT-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -20V ENH Mode 35mOhm -4.5V -6.0A

Hoja de datos

19,027En existencias

Cinta cortada

S/2.71

S/1.58

S/1.07

S/0.813

S/0.727

Envase tipo carrete

S/0.516

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

TSOT-26-6

P-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Ch Enh FET 20Vgss 0.9W -80A

DMP3008SFGQ-13
Diodes Incorporated
1: S/7.83
8,753En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMP3008SFGQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMP3008SFGQ-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Ch Enh FET 20Vgss 0.9W -80A

Obtenga más información

Hoja de datos

8,753En existencias

Cinta cortada

S/7.83

S/4.47

S/3.21

S/2.64

S/2.42

Envase tipo carrete

S/2.26

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerDI3333-8

P-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60

DMTH6010SK3-13
Diodes Incorporated
1: S/6.84
3,127En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH6010SK3-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH6010SK3-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60

Obtenga más información

Hoja de datos

3,127En existencias

Cinta cortada

S/6.84

S/4.12

S/2.99

S/2.45

S/2.24

Envase tipo carrete

S/2.09

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

Módulos IGBT IGBT Module 50A 600V

FS50R06W1E3_B11
Infineon Technologies
1: S/138.25
242En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FS50R06W1E3_B11

N.º de artículo de Mouser
641-FS50R06W1E3_B11

Infineon Technologies

Módulos IGBT IGBT Module 50A 600V

Obtenga más información

Hoja de datos

242En existencias

S/138.25

S/101.27

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules

SMD/SMT

Module

Módulos IGBT MIPAQ BASE 1200V 100A

IFS100B12N3E4_B31
Infineon Technologies
1: S/434.13
43En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IFS100B12N3E4_B31

N.º de artículo de Mouser
641-IFS100B12N3E4B31

Infineon Technologies

Módulos IGBT MIPAQ BASE 1200V 100A

Obtenga más información

Hoja de datos

43En existencias

S/434.13

S/410.95

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 1KOhm

LND250K1-G
Microchip Technology
1: S/2.28
26,788En existencias

N.º de artículo del Fabricante
LND250K1-G

N.º de artículo de Mouser
689-LND250K1-G

Microchip Technology

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 1KOhm

Hoja de datos

26,788En existencias

Cinta cortada

S/2.28

S/1.94

S/1.93

Envase tipo carrete

S/1.93

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 400V 15Ohm

TP2640LG-G
Microchip Technology
1: S/10.71
1,526En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TP2640LG-G

N.º de artículo de Mouser
689-TP2640LG-G

Microchip Technology

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 400V 15Ohm

Hoja de datos

1,526En existencias

Cinta cortada

S/10.71

S/8.90

S/8.13

S/7.01

Envase tipo carrete

S/6.97

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,300

MOSFETs

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Enhancmnt Mode MOSFET

VN0550N3-G-P013
Microchip Technology
1: S/8.34
1,937En existencias

N.º de artículo del Fabricante
VN0550N3-G-P013

N.º de artículo de Mouser
689-VN0550N3-G-P013

Microchip Technology

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Enhancmnt Mode MOSFET

Hoja de datos

1,937En existencias

S/8.34

S/7.01

S/6.41

S/5.59

Envase tipo carrete

S/5.59

S/5.55

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

MOSFETs

Through Hole

TO-92-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3Ohm

VN0606L-G
Microchip Technology
1: S/6.45
3,246En existencias

N.º de artículo del Fabricante
VN0606L-G

N.º de artículo de Mouser
689-VN0606L-G

Microchip Technology

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3Ohm

Hoja de datos

3,246En existencias

S/6.45

S/4.77

S/4.43

S/4.34

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-92-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

BSC155N06NDATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.30
4,117En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC155N06NDATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC155N06NDATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

Obtenga más información

Hoja de datos

4,117En existencias

Cinta cortada

S/8.30

S/4.52

S/3.48

S/2.84

Ver

Envase tipo carrete

S/2.48

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

MOSFETs

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -100V -680mA SOT-223-3

BSP316PH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/4.26
38,707En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSP316PH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSP316PH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -100V -680mA SOT-223-3

Obtenga más información

Hoja de datos

38,707En existencias

Cinta cortada

S/4.26

S/2.63

S/1.76

S/1.36

Envase tipo carrete

S/0.993

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

SOT-223-4

P-Channel

Módulos IGBT 1200 V, 600 A dual IGBT module

FF600R12KE4PBOSA1
Infineon Technologies
1: S/901.37
65En existencias
80En pedido

N.º de artículo del Fabricante
FF600R12KE4PBOSA1

N.º de artículo de Mouser
726-FF600R12KE4PBOSA

Infineon Technologies

Módulos IGBT 1200 V, 600 A dual IGBT module

Obtenga más información

Hoja de datos

65En existencias

80En pedido

S/901.37

S/761.14

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules

Módulos IGBT 1200 V, 100 A sixpack IGBT module

FS100R12W2T7BOMA1
Infineon Technologies
1: S/278.30
154En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FS100R12W2T7BOMA1

N.º de artículo de Mouser
726-FS100R12W2T7BOMA

Infineon Technologies

Módulos IGBT 1200 V, 100 A sixpack IGBT module

Obtenga más información

Hoja de datos

154En existencias

S/278.30

S/255.33

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules

Screw Mount

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

IPB017N06N3GATMA1
Infineon Technologies
1: S/16.64
5,482En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB017N06N3GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB017N06N3GATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

Hoja de datos

5,482En existencias

Cinta cortada

S/16.64

S/10.88

S/8.51

S/7.14

Envase tipo carrete

S/6.92

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

IPB180N04S4-H0
Infineon Technologies
1: S/17.50
976En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB180N04S4-H0

N.º de artículo de Mouser
726-IPB180N04S4-H0

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

Obtenga más información

Hoja de datos

976En existencias

Cinta cortada

S/17.50

S/11.48

S/8.64

S/7.65

Envase tipo carrete

S/6.79

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R070CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/30.06
831En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R070CFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R070CFD7ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

831En existencias

Cinta cortada

S/30.06

S/20.00

S/16.17

S/14.36

Envase tipo carrete

S/12.73

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPB60R360P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.89
2,793En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R360P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R360P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

2,793En existencias

Cinta cortada

S/9.89

S/6.32

S/4.21

S/3.41

Envase tipo carrete

S/2.75

S/2.74

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

IPD50N06S4L08ATMA2
Infineon Technologies
1: S/7.27
9,457En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD50N06S4L08ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50N06S4L08ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

Hoja de datos

9,457En existencias

Cinta cortada

S/7.27

S/4.64

S/3.09

S/2.43

S/2.22

Envase tipo carrete

S/2.05

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPD50P03P4L11ATMA2
Infineon Technologies
1: S/6.84
3,880En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD50P03P4L11ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50P03P4L11ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

Obtenga más información

Hoja de datos

3,880En existencias

Cinta cortada

S/6.84

S/4.47

S/2.89

S/2.27

Envase tipo carrete

S/2.00

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

TO-252-3-11

P-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPD90P03P404ATMA2
Infineon Technologies
1: S/10.62
3,314En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD90P03P404ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90P03P404ATM2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

Obtenga más información

Hoja de datos

3,314En existencias

Cinta cortada

S/10.62

S/7.10

S/4.99

S/4.22

S/3.97

Envase tipo carrete

S/3.78

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 21A D2PAK-2 CoolMOS C3

SPB21N50C3
Infineon Technologies
1: S/13.85
1,432En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SPB21N50C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPB21N50C3

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 21A D2PAK-2 CoolMOS C3

Obtenga más información

Hoja de datos

1,432En existencias

Cinta cortada

S/13.85

S/10.58

S/8.56

S/8.04

Envase tipo carrete

S/7.35

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

Transistores

Tipos de Transistores

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

Advanced Linear Devices
Ampleon
Analog Devices Inc.
APC-E
Bourns
CEL
Central Semiconductor
CML Micro
Coherent
Comchip Technology
Diodes Incorporated
Diotec Semiconductor
EPC
GigaDevice
Guerrilla RF
iDEAL Semiconductor
Infineon
InterFET
IXYS
Linear Integrated Systems
Littelfuse
MACOM
Microchip
Micro Commercial Components (MCC)
Mini-Circuits
Mitsubishi Electric
Navitas Semiconductor
Nexperia
Nuvoton
NXP
onsemi
Panasonic
Panjit
Qorvo
Rectron
Renesas Electronics
ROHM Semiconductor
SanRex
Schneider Electric
SemiQ
Shindengen
Skyworks
Soldered
STMicroelectronics
Taiwan Semiconductor
TDK-Lambda
TE Connectivity
Texas Instruments
THAT Corporation
Torex Semiconductor
Toshiba
TT Electronics
Vishay
WeEn Semiconductors
Wolfspeed
YAGEO
ZiLOG

0.41 mm x 0.34 mm
1.4 mm x 1.2 mm
1.42 mm x 1.2 mm x 0.85 mm
100 mm x 140 mm
106.4 mm x 61.4 mm
106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm
108 mm x 67.3 mm x 17.2 mm
110 mm x 65 mm x 12.2 mm
1212-8S
1212-8SCD
1212-8SLW
1212-8W
130 mm x 103 mm x 20.55 mm
130 mm x 140 mm
140 mm x 190 mm
144 mm x 99.8 mm
152 mm x 62.15 mm
152 mm x 62.5 mm x 20.5 mm
152 mm x 62.5 mm x 20.8 mm
183AB