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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 58A 46W 7.5mohm @ 10V

SI7884BDP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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SI7884BDP-T1-GE3

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Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 58A 46W 7.5mohm @ 10V

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PowerPAK-SO-8

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-247AC

SIHG22N60E-E3
Vishay / Siliconix
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SIHG22N60E-E3

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781-SIHG22N60E-E3

Vishay / Siliconix

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TO-247-3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -100V 195mOhms@ 10V -8.8A

SUD09P10-195-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.89
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SUD09P10-195-GE3

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781-SUD09P10-195-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -100V 195mOhms@ 10V -8.8A

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DPAK-3 (TO-252-3)

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IRFPF50PBF
Vishay Semiconductors
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IRFPF50PBF

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844-IRFPF50PBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRFP

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TO-247-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 3.1 Amp

IRFU320PBF
Vishay Semiconductors
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IRFU320PBF

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844-IRFU320PBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 3.1 Amp

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TO-251-3

N-Channel

IGBTs IGBT 1200V 75A UFS

FGY75T120SQDN
onsemi
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FGY75T120SQDN

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863-FGY75T120SQDN

onsemi

IGBTs IGBT 1200V 75A UFS

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S/28.55

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IGBT Transistors

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 55V 60A 5.5mohm TO-252 / DPAK

NP60N055VUK-E1-AY
Renesas Electronics
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2,385En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NP60N055VUK-E1-AY

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968-NP60N055VUKE1AY

Renesas Electronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 55V 60A 5.5mohm TO-252 / DPAK

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S/6.49

S/4.43

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MOSFETs

SMD/SMT

TO-252-4

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel PowerTrench MOSFET

FDMS8050ET30
onsemi
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8,614En existencias
NRND

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FDMS8050ET30

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512-FDMS8050ET30

NRND

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MOSFETs

SMD/SMT

Power-56-8

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MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE

AIMW120R060M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/119.33
781En existencias
NRND

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AIMW120R060M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-W120R060M1HXKSA1

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE

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S/119.33

S/77.40

S/76.54

S/76.50

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SiC MOSFETS

SiC

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET TOLL 60V 1.0MO

NVBLS001N06C
onsemi
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4,435En existencias
NRND

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NVBLS001N06C

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863-NVBLS001N06C

NRND

onsemi

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S/35.95

S/27.18

S/26.23

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SMD/SMT

TO-LL8-8

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ4403P_R2_00001
Panjit
1: S/3.78
110,600En existencias
NRND

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PJQ4403P_R2_00001

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NRND

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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: 5,000

MOSFETs

SMD/SMT

DFN-3333-8

P-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPC100N04S51R2ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.00
19,898En existencias
NRND

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IPC100N04S51R2ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPC100N04S51R2AT

NRND

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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S/5.46

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: 5,000

MOSFETs

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

SPD02N80C3ATMA1
Infineon Technologies
1: S/3.74
33,407En existencias
NRND

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SPD02N80C3ATMA1

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726-SPD02N80C3ATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

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S/2.06

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: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPTG063N15NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/21.50
1,574En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPTG063N15NM5ATMA1

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726-TG063N15NM5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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S/15.57

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S/10.11

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: 1,800

MOSFETs

SMD/SMT

HSOG-8

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC054N04NSGATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.33
53,740En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC054N04NSGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC054N04NSGATMA

NRND

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3

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S/5.33

S/3.34

S/2.20

S/1.71

Envase tipo carrete

S/1.20

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: 5,000

MOSFETs

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

Módulos MOSFET MOSFET Linear 500 V 52 A SOT-227

APL502J
Microchip Technology
1: S/240.50
69En existencias

N.º de artículo del Fabricante
APL502J

N.º de artículo de Mouser
494-APL502J

Microchip Technology

Módulos MOSFET MOSFET Linear 500 V 52 A SOT-227

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S/240.50

S/237.62

S/231.08

S/219.00

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MOSFET Modules

Screw Mount

SOT-227-4

N-Channel

MOSFETs de SiC MOSFET SIC 700 V 15 mOhm TO-247-4

MSC015SMA070B4
Microchip Technology
1: S/82.69
150En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MSC015SMA070B4

N.º de artículo de Mouser
494-MSC015SMA070B4

Microchip Technology

MOSFETs de SiC MOSFET SIC 700 V 15 mOhm TO-247-4

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150En existencias

S/82.69

S/77.27

S/67.17

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SiC MOSFETS

SiC

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 60 Amp

STB60NF06T4
STMicroelectronics
1: S/9.89
4,538En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB60NF06T4

N.º de artículo de Mouser
511-STB60NF06

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 60 Amp

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4,538En existencias

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S/9.89

S/6.36

S/4.34

S/3.45

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S/3.04

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: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET Dual N-CH 60V 4A

STS5DNF60L
STMicroelectronics
1: S/7.18
3,762En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STS5DNF60L

N.º de artículo de Mouser
511-STS5DNF60L

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET Dual N-CH 60V 4A

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S/7.18

S/4.56

S/3.04

S/2.40

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S/2.01

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: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 900V N-Channel QFET

FQD2N90TM
onsemi
1: S/6.92
12,904En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FQD2N90TM

N.º de artículo de Mouser
512-FQD2N90TM

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 900V N-Channel QFET

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12,904En existencias

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S/6.92

S/5.12

S/4.11

S/3.29

Envase tipo carrete

S/2.47

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Mult.: 1

: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch NexFET Power MO SFETs A 595-CSD1640 A 595-CSD16401Q5T

CSD16401Q5
Texas Instruments
1: S/12.34
2,074En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD16401Q5

N.º de artículo de Mouser
595-CSD16401Q5

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch NexFET Power MO SFETs A 595-CSD1640 A 595-CSD16401Q5T

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S/12.34

S/8.69

S/6.24

S/5.50

S/5.42

Envase tipo carrete

S/4.56

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: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

VSON-CLIP-8

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch NexFET Power MO SFETs

CSD16413Q5A
Texas Instruments
1: S/8.39
3,383En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD16413Q5A

N.º de artículo de Mouser
595-CSD16413Q5A

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch NexFET Power MO SFETs

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S/8.39

S/5.38

S/3.60

S/2.86

Envase tipo carrete

S/2.36

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: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18511Q5A

CSD18511Q5AT
Texas Instruments
1: S/9.63
5,308En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD18511Q5AT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD18511Q5AT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18511Q5A

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S/9.63

S/6.19

S/3.66

Envase tipo carrete

S/3.66

S/3.18

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Mult.: 1

: 250

MOSFETs

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD19506KTTT

CSD19506KTT
Texas Instruments
1: S/21.89
1,768En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD19506KTT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD19506KTT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD19506KTTT

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S/21.89

S/16.04

S/12.69

Envase tipo carrete

S/10.58

S/10.19

S/10.15

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: 500

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Synch Buck NexFET Po wer Block

CSD87351Q5D
Texas Instruments
1: S/8.56
3,575En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD87351Q5D

N.º de artículo de Mouser
595-CSD87351Q5D

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Synch Buck NexFET Po wer Block

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S/8.56

S/5.76

S/4.86

S/4.69

Envase tipo carrete

S/4.30

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: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

LSON-CLIP-8

N-Channel

Transistores

Tipos de Transistores

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Ampleon
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Diotec Semiconductor
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iDEAL Semiconductor
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InterFET
IXYS
Linear Integrated Systems
Littelfuse
MACOM
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Micro Commercial Components (MCC)
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Navitas Semiconductor
Nexperia
Nuvoton
NXP
onsemi
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Panjit
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Rectron
Renesas Electronics
ROHM Semiconductor
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STMicroelectronics
Taiwan Semiconductor
TDK-Lambda
TE Connectivity
Texas Instruments
THAT Corporation
Torex Semiconductor
Toshiba
TT Electronics
Vishay
WeEn Semiconductors
Wolfspeed
YAGEO
ZiLOG

0.41 mm x 0.34 mm
1.4 mm x 1.2 mm
1.42 mm x 1.2 mm x 0.85 mm
100 mm x 140 mm
106.4 mm x 61.4 mm
106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm
108 mm x 67.3 mm x 17.2 mm
110 mm x 65 mm x 12.2 mm
1212-8S
1212-8SCD
1212-8SLW
1212-8W
130 mm x 103 mm x 20.55 mm
130 mm x 140 mm
140 mm x 190 mm
144 mm x 99.8 mm
152 mm x 62.15 mm
152 mm x 62.5 mm x 20.5 mm
152 mm x 62.5 mm x 20.8 mm
183AB