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Transistores

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LL IN

NVTFS010N10MCLTAG
onsemi
1: S/9.20
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N.º de artículo del Fabricante
NVTFS010N10MCLTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS010N10MCLTG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LL IN

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S/9.20

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S/3.98

S/2.95

S/2.83

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S/2.83

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: 1,500

MOSFETs

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

MOSFETs de SiC 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET

C3M0021120D
Wolfspeed
1: S/77.36
1,513En existencias
1,800En pedido

N.º de artículo del Fabricante
C3M0021120D

N.º de artículo de Mouser
941-C3M0021120D

Wolfspeed

MOSFETs de SiC 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET

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1,513En existencias

1,800En pedido

S/77.36

S/48.50

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SiC MOSFETS

SiC

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 8 Watt

CGH60008D-GP4
MACOM
10: S/146.24
680En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CGH60008D-GP4

N.º de artículo de Mouser
941-CGH60008D

MACOM

GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 8 Watt

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S/146.24

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GaN FETs

GaN

SMD/SMT

Die

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 7.7A DSO-8 OptiMOS 3M

BSO220N03MDGXUMA1
Infineon Technologies
1: S/5.20
62,857En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSO220N03MDGXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSO220N03MDGXUMA

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 7.7A DSO-8 OptiMOS 3M

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Cinta cortada

S/5.20

S/3.25

S/2.13

S/1.66

S/1.51

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S/1.23

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Mult.: 1

: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+

IPD35N12S3L24ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.80
23,547En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD35N12S3L24ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD35N12S3L24AT

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+

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S/9.80

S/6.28

S/4.27

S/3.41

S/3.14

Envase tipo carrete

S/3.09

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Mult.: 1

: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 0.0125 Ohm typ., 45 A STripFET F7 Power MOSFET

STD47N10F7AG
STMicroelectronics
1: S/10.45
18,460En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD47N10F7AG

N.º de artículo de Mouser
511-STD47N10F7AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 0.0125 Ohm typ., 45 A STripFET F7 Power MOSFET

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S/10.45

S/6.75

S/4.60

S/3.67

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S/3.56

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: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET, N-Channel, SUPERFE II, FRFETÂ®, 650 V, 35 A, 110 mohm, D2-PAK

FCB110N65F
onsemi
1: S/32.08
3,035En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FCB110N65F

N.º de artículo de Mouser
512-FCB110N65F

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET, N-Channel, SUPERFE II, FRFETÂ®, 650 V, 35 A, 110 mohm, D2-PAK

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S/32.08

S/21.84

S/16.51

S/15.18

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S/14.45

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: 800

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET2 800V

FCH060N80-F155
onsemi
1: S/79.38
1,479En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FCH060N80-F155

N.º de artículo de Mouser
512-FCH060N80_F155

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET2 800V

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S/79.38

S/56.46

S/50.14

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MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench

FDMS3669S
onsemi
1: S/11.14
42,679En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDMS3669S

N.º de artículo de Mouser
512-FDMS3669S

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench

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S/11.14

S/7.18

S/4.95

S/3.95

S/3.68

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S/3.68

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

Power-56-8

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel PowerTrench MOSFET

FDMS86520L
onsemi
1: S/8.26
16,180En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDMS86520L

N.º de artículo de Mouser
512-FDMS86520L

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel PowerTrench MOSFET

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S/8.26

S/5.98

S/4.64

S/4.18

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S/4.18

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: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

Power-56-8

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel QFET

FQD8P10TM-F085
onsemi
1: S/5.68
31,408En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FQD8P10TM-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FQD8P10TM_F085

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel QFET

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S/5.68

S/4.05

S/3.07

S/2.46

Envase tipo carrete

S/2.46

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Mult.: 1

: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N Chnl HDMOS

ZXM61N02FTC
Diodes Incorporated
1: S/3.01
84,045En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ZXM61N02FTC

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522-ZXM61N02FTC

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N Chnl HDMOS

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Cinta cortada

S/3.01

S/1.86

S/1.35

S/1.11

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Envase tipo carrete

S/0.774

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 10,000

MOSFETs

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

MOSFETs de SiC 1200V 80mOhm SiC MOSFET

LSIC1MO120E0080
IXYS
1: S/88.49
4,159En existencias

N.º de artículo del Fabricante
LSIC1MO120E0080

N.º de artículo de Mouser
576-LSICMO120E0080

IXYS

MOSFETs de SiC 1200V 80mOhm SiC MOSFET

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4,159En existencias

S/88.49

S/66.82

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

SiC

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30 5V-30V,TSOT23,3K

DMG6602SVT-7
Diodes Incorporated
1: S/1.76
406,621En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMG6602SVT-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMG6602SVT-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30 5V-30V,TSOT23,3K

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406,621En existencias

Cinta cortada

S/1.76

S/1.09

S/0.619

S/0.516

Envase tipo carrete

S/0.353

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

TSOT-26-6

N-Channel, P-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch Enh Mode 12Vgss 80A .61W

DMN2011UFDE-7
Diodes Incorporated
1: S/4.39
73,616En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN2011UFDE-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN2011UFDE7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch Enh Mode 12Vgss 80A .61W

Hoja de datos

73,616En existencias

Cinta cortada

S/4.39

S/2.65

S/1.79

S/1.38

S/1.25

Envase tipo carrete

S/1.02

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

DFN-2020-6

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-CH MOSFET

DMP10H400SK3-13
Diodes Incorporated
1: S/4.52
146,572En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMP10H400SK3-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMP10H400SK3-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-CH MOSFET

Hoja de datos

146,572En existencias

Cinta cortada

S/4.52

S/2.81

S/1.84

S/1.41

S/1.28

Envase tipo carrete

S/1.06

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 300V 300mW

MMBTA42-7-F
Diodes Incorporated
1: S/0.731
780,599En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MMBTA42-7-F

N.º de artículo de Mouser
621-MMBTA42-F

Diodes Incorporated

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 300V 300mW

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780,599En existencias

Cinta cortada

S/0.731

S/0.439

S/0.271

S/0.198

S/0.172

Envase tipo carrete

S/0.125

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors

SMD/SMT

SOT-23-3

NPN

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A

IXTA6N100D2
IXYS
1: S/40.03
3,774En existencias
1,950En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IXTA6N100D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA6N100D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A

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3,774En existencias

1,950En pedido

S/40.03

S/25.03

S/24.30

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

SMD/SMT

TO-263AA-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Standard Linear Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

IXTT80N20L
IXYS
1: S/93.65
2,790En existencias
1,650En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IXTT80N20L

N.º de artículo de Mouser
747-IXTT80N20L

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Standard Linear Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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2,790En existencias

1,650En pedido

S/93.65

S/62.82

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

Módulos IGBT 1700V/85A High Voltage XPT IGBT

IXYN30N170CV1
IXYS
1: S/207.09
441En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXYN30N170CV1

N.º de artículo de Mouser
747-IXYN30N170CV1

IXYS

Módulos IGBT 1700V/85A High Voltage XPT IGBT

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441En existencias

S/207.09

S/169.76

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules

Screw Mount

SOT-227B

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=1.6A VDSS=30V

SSM6L40TU,LF
Toshiba
1: S/2.62
142,925En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6L40TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6L40TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=1.6A VDSS=30V

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S/2.62

S/1.61

S/1.03

S/0.783

Envase tipo carrete

S/0.503

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

UF-6

N-Channel, P-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=0.92mohm(max)

TPHR9203PL1,LQ
Toshiba
1: S/9.68
30,034En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPHR9203PL1,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TPHR9203PL1LQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=0.92mohm(max)

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S/9.68

S/6.24

S/4.22

S/3.37

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Envase tipo carrete

S/3.04

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

MOSFETs

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR

TPW1500CNH,L1Q
Toshiba
1: S/14.41
14,808En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPW1500CNH,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPW1500CNHL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR

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S/14.41

S/9.37

S/6.54

S/5.63

S/5.25

Envase tipo carrete

S/5.25

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

MOSFETs

SMD/SMT

DSOP-8

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SOT-23

SI2302DDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/2.62
224,394En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI2302DDS-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI2302DDS-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SOT-23

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S/2.62

S/1.63

S/1.04

S/0.791

Envase tipo carrete

S/0.705

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 60V 1.2A

SI2309CDS-T1-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/3.48
179,311En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI2309CDS-T1-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI2309CDS-T1-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 60V 1.2A

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Cinta cortada

S/3.48

S/2.17

S/1.41

S/1.08

Envase tipo carrete

S/0.761

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

Transistores

Tipos de Transistores

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

Advanced Linear Devices
Ampleon
Analog Devices Inc.
APC-E
Bourns
CEL
Central Semiconductor
CML Micro
Coherent
Comchip Technology
Diodes Incorporated
Diotec Semiconductor
EPC
GigaDevice
Guerrilla RF
iDEAL Semiconductor
Infineon
InterFET
IXYS
Linear Integrated Systems
Littelfuse
MACOM
Microchip
Micro Commercial Components (MCC)
Mini-Circuits
Mitsubishi Electric
Navitas Semiconductor
Nexperia
Nuvoton
NXP
onsemi
Panasonic
Panjit
Qorvo
Rectron
Renesas Electronics
ROHM Semiconductor
SanRex
Schneider Electric
SemiQ
Shindengen
Skyworks
Soldered
STMicroelectronics
Taiwan Semiconductor
TDK-Lambda
TE Connectivity
Texas Instruments
THAT Corporation
Torex Semiconductor
Toshiba
TT Electronics
Vishay
WeEn Semiconductors
Wolfspeed
YAGEO
ZiLOG

0.41 mm x 0.34 mm
1.4 mm x 1.2 mm
1.42 mm x 1.2 mm x 0.85 mm
100 mm x 140 mm
106.4 mm x 61.4 mm
106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm
108 mm x 67.3 mm x 17.2 mm
110 mm x 65 mm x 12.2 mm
1212-8S
1212-8SCD
1212-8SLW
1212-8W
130 mm x 103 mm x 20.55 mm
130 mm x 140 mm
140 mm x 190 mm
144 mm x 99.8 mm
152 mm x 62.15 mm
152 mm x 62.5 mm x 20.5 mm
152 mm x 62.5 mm x 20.8 mm
183AB