Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
IPD068N10N3GATMA1
Infineon Technologies
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S/8.08
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NRND
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726-IPD068N10N3GATMA
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
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S/8.08
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Si
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DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
PD55008-E
STMicroelectronics
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511-PD55008-E
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
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RF MOSFET Transistors
Si
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PowerSO-10RF-Formed-4
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 250 V 17A STripFET II
STD18NF25
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 250 V 17A STripFET II
17,882 En existencias
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S/12.00
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S/4.09
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MOSFETs
Si
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DPAK-3 (TO-252-3)
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
STL36DN6F7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
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Si
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PowerFLAT-5x6-8
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V N-Ch MOSFET
FDA59N25
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V N-Ch MOSFET
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Through Hole
TO-3PN-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V NChannel UniFET
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FDD18N20LZ
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V NChannel UniFET
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S/3.95
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MOSFETs
Si
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DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 12A 10 OHM NCH POWER TRENCH MOSFET
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FDS5672
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FDS5672
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 12A 10 OHM NCH POWER TRENCH MOSFET
32,938 En existencias
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S/10.45
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
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FDS86141
onsemi
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512-FDS86141
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
21,734 En existencias
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S/11.35
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S/7.91
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S/5.89
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S/4.95
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S/4.56
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S/4.56
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP Medium Power
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FMMT593TC
Diodes Incorporated
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522-FMMT593TC
Diodes Incorporated
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP Medium Power
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S/2.62
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S/0.632
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S/0.469
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BJTs - Bipolar Transistors
Si
SMD/SMT
SOT-23-3
PNP
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) BIPOLAR COMP.
BC847BVN-7
Diodes Incorporated
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621-BC847BVN-7
Diodes Incorporated
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) BIPOLAR COMP.
148,161 En existencias
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S/2.45
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S/1.52
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S/0.972
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S/0.512
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BJTs - Bipolar Transistors
Si
SMD/SMT
SOT-563-6
NPN, PNP
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563
DMG1016V-7
Diodes Incorporated
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N.º de artículo de Mouser
621-DMG1016V-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563
270,714 En existencias
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S/2.06
10
S/1.28
100
S/0.808
500
S/0.606
1,000
S/0.542
3,000
S/0.426
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
SOT-563-6
N-Channel, P-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC110N06NS3 G
Infineon Technologies
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79,850 En existencias
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726-BSC110N06NS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
79,850 En existencias
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S/6.15
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S/3.85
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S/2.56
500
S/2.02
5,000
S/1.67
10,000
Ver
1,000
S/1.82
2,500
S/1.67
10,000
S/1.66
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
IGBTs 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
IKW40N65ET7XKSA1
Infineon Technologies
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7,871 En existencias
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726-IKW40N65ET7XKSA1
Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
7,871 En existencias
1
S/16.38
10
S/8.43
100
S/7.27
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IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 800V 1.1 Rds
IXFA10N80P
IXYS
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747-IXFA10N80P
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 800V 1.1 Rds
8,999 En existencias
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1
S/23.82
10
S/12.51
100
S/11.40
500
S/10.49
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V UltraJunc X3 Pwr MOSFET
IXFK240N25X3
IXYS
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855 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-IXFK240N25X3
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V UltraJunc X3 Pwr MOSFET
855 En existencias
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-264-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
+1 imagen
IXFX64N60P
IXYS
1:
S/100.45
1,148 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-IXFX64N60P
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
1,148 En existencias
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Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 200V 86A N-CH X4CLASS
IXTA86N20X4
IXYS
1:
S/57.32
2,003 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-IXTA86N20X4
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 200V 86A N-CH X4CLASS
2,003 En existencias
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Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
TO-263-3
N-Channel
Módulos MOSFET MBLOC 150V 400A N-CH X4CLASS
IXTN400N15X4
IXYS
1:
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408 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-IXTN400N15X4
IXYS
Módulos MOSFET MBLOC 150V 400A N-CH X4CLASS
408 En existencias
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Detalles
MOSFET Modules
Si
Screw Mount
SOT-227-4
N-Channel
IGBTs XPT 600V IGBT 300A
IXXX300N60B3
IXYS
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686 En existencias
300 En pedido
N.º de artículo de Mouser
747-IXXX300N60B3
IXYS
IGBTs XPT 600V IGBT 300A
686 En existencias
300 En pedido
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Detalles
IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-247-PLUS-3
IGBTs TO247 1200V 85A XPT
IXYH85N120A4
IXYS
1:
S/82.26
1,397 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-IXYH85N120A4
IXYS
IGBTs TO247 1200V 85A XPT
1,397 En existencias
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Detalles
IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-247-3
IGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT PLUS247
+1 imagen
IXYX110N120B4
IXYS
1:
S/103.59
1,266 En existencias
150 Se espera el 21/05/2026
N.º de artículo de Mouser
747-IXYX110N120B4
IXYS
IGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT PLUS247
1,266 En existencias
150 Se espera el 21/05/2026
1
S/103.59
10
S/77.01
120
S/69.62
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-247-3
MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS
SCT3022ALGC11
ROHM Semiconductor
1:
S/194.15
389 En existencias
N.º de artículo de Mouser
755-SCT3022ALGC11
ROHM Semiconductor
MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS
389 En existencias
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Mult.: 1
Detalles
SiC MOSFETS
SiC
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ200F04M3L,LXHQ
Toshiba
1:
S/17.85
45,212 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-TJ200F04M3L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
45,212 En existencias
1
S/17.85
10
S/11.78
100
S/8.30
500
S/7.53
1,000
S/7.01
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1,000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
TO-220SM-3
P-Channel
GaN FETs DC-6.0GHz 18 Watt 28V GaN
T2G6001528-Q3
Qorvo
1:
S/766.65
129 En existencias
N.º de artículo de Mouser
772-T2G6001528-Q3
Qorvo
GaN FETs DC-6.0GHz 18 Watt 28V GaN
129 En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
GaN FETs
GaN
NI-200
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT363 P-CH 20V 3A
+2 imágenes
SI1467DH-T1-BE3
Vishay
1:
S/4.47
59,562 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SI1467DH-T1-BE3
Vishay
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT363 P-CH 20V 3A
59,562 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/4.47
10
S/2.38
100
S/1.72
500
S/1.41
3,000
S/1.09
6,000
Ver
1,000
S/1.28
6,000
S/1.06
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
SOT-363-6
P-Channel