.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

HiPerFET Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 749

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Nombre comercial = HiPerFET

Fabricante

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 400A

IXFH400N075T2
IXYS
1: S/ 63.68
3,347En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH400N075T2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH400N075T2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 400A

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Hoja de datos

3,347En existencias

S/ 63.68

S/ 45.49

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

75 V

400 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

420 nC

- 55 C

+ 175 C

1 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode

IXFK150N30P3
IXYS
1: S/ 98.64
1,540En existencias
75En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IXFK150N30P3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK150N30P3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode

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1,540En existencias

75En pedido

S/ 98.64

S/ 67.12

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

300 V

150 A

19 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

197 nC

- 55 C

+ 150 C

1.3 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 800V 1.1 Rds

IXFA10N80P
IXYS
1: S/ 23.82
8,959En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFA10N80P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFA10N80P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 800V 1.1 Rds

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8,959En existencias

S/ 23.82

S/ 12.51

S/ 11.40

S/ 10.49

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

10 A

1.1 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

300 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V UltraJunc X3 Pwr MOSFET

IXFK240N25X3
IXYS
1: S/ 138.25
855En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK240N25X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK240N25X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V UltraJunc X3 Pwr MOSFET

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855En existencias

S/ 138.25

S/ 105.78

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

250 V

240 A

4.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

345 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

IXFX64N60P
IXYS
1: S/ 100.45
1,148En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFX64N60P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX64N60P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

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1,148En existencias

S/ 100.45

S/ 68.67

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

64 A

96 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

200 nC

- 55 C

+ 150 C

1.04 mW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 200V 72A N-CH X3CLASS

IXFP72N20X3
IXYS
1: S/ 41.11
3,528En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFP72N20X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP72N20X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 200V 72A N-CH X3CLASS

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3,528En existencias

S/ 41.11

S/ 22.75

S/ 21.63

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

72 A

20 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

55 nC

- 55 C

+ 150 C

320 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 230A 200V

IXFK230N20T
IXYS
1: S/ 112.10
903En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK230N20T

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK230N20T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 230A 200V

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903En existencias

S/ 112.10

S/ 81.31

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

200 V

230 A

7.5 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

358 nC

- 55 C

+ 175 C

1.67 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 24A N-CH X2CLASS

IXTH24N65X2
IXYS
1: S/ 33.37
586En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH24N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH24N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 24A N-CH X2CLASS

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586En existencias

S/ 33.37

S/ 19.31

S/ 17.20

S/ 16.51

S/ 15.74

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

145 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

- 55 C

+ 150 C

390 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 360Amps 55V

IXTT360N055T2
IXYS
1: S/ 58.57
548En existencias
530En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IXTT360N055T2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTT360N055T2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 360Amps 55V

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548En existencias

530En pedido

S/ 58.57

S/ 35.60

S/ 30.53

S/ 29.58

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

55 V

360 A

2.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

330 nC

- 55 C

+ 175 C

935 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/44A

IXFB44N100Q3
IXYS
1: S/ 215.77
66En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFB44N100Q3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFB44N100Q3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/44A

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66En existencias

S/ 215.77

S/ 173.29

S/ 151.83

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PLUS-264-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

44 A

220 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

264 nC

- 55 C

+ 150 C

1.56 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 Amps 500V 0.05 Ohms Rds

IXFB100N50P
IXYS
1: S/ 132.91
467En existencias
300Se espera el 18/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXFB100N50P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFB100N50P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 Amps 500V 0.05 Ohms Rds

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467En existencias

300Se espera el 18/05/2026

S/ 132.91

S/ 106.17

S/ 95.50

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PLUS-264-3

N-Channel

1 Channel

500 V

100 A

49 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

240 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TrenchT2 HiperFETs Power MOSFET

IXFT400N075T2
IXYS
1: S/ 79.94
148En existencias
90En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IXFT400N075T2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFT400N075T2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TrenchT2 HiperFETs Power MOSFET

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Hoja de datos

148En existencias

90En pedido

S/ 79.94

S/ 64.20

S/ 51.34

S/ 42.79

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

75 V

400 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

420 nC

- 55 C

+ 175 C

1 mW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 32A TO-264 Power MOSFET

IXFK32N100X
IXYS
1: S/ 104.32
194En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK32N100X

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK32N100X

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 32A TO-264 Power MOSFET

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Hoja de datos

194En existencias

S/ 104.32

S/ 79.85

S/ 72.63

S/ 60.54

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

32 A

220 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

130 nC

- 55 C

+ 150 C

890 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET

IXTK600N04T2
IXYS
1: S/ 108.45
186En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTK600N04T2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTK600N04T2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET

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Hoja de datos

186En existencias

S/ 108.45

S/ 88.71

S/ 76.80

S/ 63.98

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

40 V

600 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

590 nC

- 55 C

+ 175 C

1.25 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench HiperFET Power MOSFET

IXFT94N30T
IXYS
1: S/ 91.63
169En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFT94N30T

N.º de artículo de Mouser
747-IXFT94N30T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench HiperFET Power MOSFET

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Hoja de datos

169En existencias

S/ 91.63

S/ 78.35

S/ 62.69

S/ 52.25

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

300 V

94 A

36 mOhms

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarP2 Power MOSFET

IXFK94N50P2
IXYS
1: S/ 90.99
280En existencias
300En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IXFK94N50P2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK94N50P2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarP2 Power MOSFET

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Hoja de datos

280En existencias

300En pedido

S/ 90.99

S/ 69.19

S/ 61.06

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

500 V

94 A

55 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

228 nC

- 55 C

+ 150 C

1.3 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 16A

IXFH16N50P
IXYS
1: S/ 29.03
2,989En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH16N50P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH16N50P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 16A

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Hoja de datos

2,989En existencias

S/ 29.03

S/ 16.64

S/ 13.89

S/ 13.67

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

500 V

16 A

400 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

300 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/46A Ultra Junction X2

IXFH46N65X2
IXYS
1: S/ 48.59
403En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH46N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH46N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/46A Ultra Junction X2

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Hoja de datos

403En existencias

S/ 48.59

S/ 29.07

S/ 26.92

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

46 A

76 mOhms

- 30 V, 30 V

2.7 V

75 nC

- 55 C

+ 150 C

660 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 52 Amps 300V 0.066 Rds

IXFH52N30P
IXYS
1: S/ 37.37
2,908En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH52N30P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH52N30P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 52 Amps 300V 0.066 Rds

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Hoja de datos

2,908En existencias

S/ 37.37

S/ 22.27

S/ 19.52

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

300 V

52 A

73 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

110 nC

- 55 C

+ 150 C

400 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 300V 72A N-CH X3CLASS

IXFH72N30X3
IXYS
1: S/ 54.01
235En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH72N30X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH72N30X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 300V 72A N-CH X3CLASS

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Hoja de datos

235En existencias

S/ 54.01

S/ 32.59

S/ 30.92

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

300 V

72 A

19 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

82 nC

- 55 C

+ 150 C

390 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 200V 0.018 Rds

IXFK140N20P
IXYS
1: S/ 74.05
295En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK140N20P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK140N20P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 200V 0.018 Rds

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Hoja de datos

295En existencias

S/ 74.05

S/ 46.91

S/ 46.53

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

200 V

140 A

18 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

240 nC

- 55 C

+ 175 C

830 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 7 Amps 1000V

IXFP7N100P
IXYS
1: S/ 30.23
745En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFP7N100P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP7N100P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 7 Amps 1000V

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Hoja de datos

745En existencias

S/ 30.23

S/ 17.33

S/ 15.87

S/ 15.61

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

7 A

1.9 Ohms

- 30 V, 30 V

- 55 C

+ 150 C

300 W

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 100V 0.011 Rds

IXFT140N10P
IXYS
1: S/ 74.00
515En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFT140N10P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFT140N10P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 100V 0.011 Rds

Obtenga más información

Hoja de datos

515En existencias

S/ 74.00

S/ 52.68

S/ 44.25

S/ 44.12

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

140 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

155 nC

- 55 C

+ 175 C

600 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 16 Amps 1200V 1 Rds

IXFT16N120P
IXYS
1: S/ 107.59
324En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFT16N120P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFT16N120P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 16 Amps 1200V 1 Rds

Obtenga más información

Hoja de datos

324En existencias

S/ 107.59

S/ 85.44

S/ 66.82

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

16 A

950 mOhms

- 30 V, 30 V

6.5 V

120 nC

- 55 C

+ 150 C

660 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 32A TO-268HV Power MOSFET

IXFT32N100XHV
IXYS
1: S/ 90.95
257En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFT32N100XHV

N.º de artículo de Mouser
747-IXFT32N100XHV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 32A TO-268HV Power MOSFET

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257En existencias

S/ 90.95

S/ 79.16

S/ 73.62

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

1 kV

32 A

220 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

130 nC

- 55 C

+ 150 C

890 W

Enhancement

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HiPerFET Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Recursos

Soporte

D2PAK-3 (TO-263-3)
D3PAK-3 (TO-268-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
ISOPLUS-i4-PAK-5
ISOPLUS-i5-PAK-5
PLUS-264-3
SMPD-24
TO-220-3
TO-220FP-3
TO-247-3
TO-247-4
TO-247-PLUS-3
TO-251-3
TO-252-3
TO-263-3
TO-263-7
TO-263AA-3
TO-264-3
TO-268-3
TO-3P

36 V
40 V
55 V
60 V
65 V
70 V
75 V
85 V
100 V
105 V
120 V
135 V
150 V
170 V
175 V
200 V
250 V
300 V
500 V
600 V

2 A
2.1 A
2.3 A
3 A
3.5 A
4 A
5 A
6 A
7 A
8 A
9 A
9.5 A
10 A
10.5 A
12 A
13 A
14 A
15 A
16 A
18 A

1 mOhms
1.25 mOhms
1.3 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.8 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.3 mOhms
3.5 mOhms
4 mOhms
4.1 mOhms

4.3 nC
6.9 nC
7 nC
8.3 nC
11 nC
11.8 nC
12 nC
17 nC
17.7 nC
18.5 nC
21 nC
22 nC
25.5 nC
26 nC
27 nC
27.4 nC
29 nC
30 nC
32 nC
33 nC

1 mW
1.04 mW
1.13 mW
1.2 mW
1.25 mW
1.3 mW
1.67 mW
1.785 mW
30 W
32 W
33 W
34 W
36 W
37 W
40 W
42 W
43 W
50 W
55 W
58 W