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IXFT140N10P

Name: IXYS IXFT140N10P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFT140N10P
Price: 74 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

747-IXFT140N10P

Fabricante N.º:

IXFT140N10P

Fabricante:

IXYS

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 100V 0.011 Rds

Hoja de datos:

IXFT140N10P Hoja de datos

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	S/ 74.00	S/ 74.00
	S/ 52.68	S/ 526.80
	S/ 44.25	S/ 5,310.00
	S/ 44.12	S/ 22,501.20

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	D3PAK-3 (TO-268-3)
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	140 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	11 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	5 V
Qg - Carga de puerta:	155 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	600 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	HiPerFET
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	26 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	45 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	50 ns
Serie:	IXFT140N10
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	85 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	35 ns
Peso de la unidad:	4.500 g

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
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MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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