CoolMOS – Mouser Perú

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31.2A TO247-3

IPW65R110CFDA
Infineon Technologies
1: S/31.00
584En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R110CFDA

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R110CFDA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31.2A TO247-3

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584En existencias

S/31.00

S/22.92

S/18.53

S/16.43

S/14.58

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 21A D2PAK-2 CoolMOS CP

IPB60R165CP
Infineon Technologies
1: S/20.34
2,498En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R165CP

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R165CP

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 21A D2PAK-2 CoolMOS CP

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2,498En existencias

Cinta cortada

S/20.34

S/13.46

S/10.54

S/9.37

Envase tipo carrete

S/8.30

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R185C7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/14.75
2,662En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R185C7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R185C7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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2,662En existencias

Cinta cortada

S/14.75

S/9.63

S/6.79

S/5.81

S/5.72

Envase tipo carrete

S/5.33

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R285P7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/12.43
1,722En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R285P7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R285P7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

1,722En existencias

Cinta cortada

S/12.43

S/7.96

S/5.42

S/4.52

Envase tipo carrete

S/4.05

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 75A TO247-3 CoolMOS C7

IPW65R019C7
Infineon Technologies
1: S/92.79
815En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R019C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R019C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 75A TO247-3 CoolMOS C7

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815En existencias

S/92.79

S/69.32

S/59.94

S/59.90

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Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 46A TO247-4

IPZ65R045C7
Infineon Technologies
1: S/27.52
622En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPZ65R045C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPZ65R045C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 46A TO247-4

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622En existencias

S/27.52

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_PRC/PRFRM

IPA60R600P6
Infineon Technologies
1: S/8.94
430En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R600P6

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R600P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_PRC/PRFRM

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430En existencias

S/8.94

S/5.72

S/3.96

S/3.35

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

IPP60R160P6
Infineon Technologies
1: S/15.27
411En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R160P6

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R160P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

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411En existencias

S/15.27

S/9.93

S/7.61

S/6.32

S/5.55

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRC/PRFRM

IPA60R190P6
Infineon Technologies
1: S/12.69
619En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R190P6

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R190P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRC/PRFRM

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S/12.69

S/8.21

S/6.06

S/5.03

S/4.39

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRC/PRFRM

IPP60R190P6
Infineon Technologies
1: S/13.76
919En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R190P6

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R190P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRC/PRFRM

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S/13.76

S/8.99

S/6.88

S/5.72

S/4.99

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRC/PRFRM

IPW60R190P6
Infineon Technologies
1: S/16.94
616En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R190P6

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R190P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRC/PRFRM

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S/16.94

S/11.09

S/8.17

S/7.22

S/6.45

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPL60R365P7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/12.21
4,532En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R365P7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R365P7AUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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S/12.21

S/7.78

S/5.38

S/4.56

Envase tipo carrete

S/3.84

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3

SPW47N65C3
Infineon Technologies
1: S/82.60
274En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPW47N65C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPW47N65C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3

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S/82.60

S/70.22

S/33.76

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.6A DPAK-2

IPD60R380C6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.63
2,690En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R380C6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R380C6ATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.6A DPAK-2

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2,690En existencias

Cinta cortada

S/9.63

S/6.19

S/4.18

S/3.34

S/3.16

Envase tipo carrete

S/3.01

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 8A TO220-3 CoolMOS C3

SPP08N80C3XKSA1
Infineon Technologies
1: S/12.08
853En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SPP08N80C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPP08N80C3XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 8A TO220-3 CoolMOS C3

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853En existencias

S/12.08

S/6.02

S/5.42

S/4.29

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 9A ThinPAK-4 CoolMOS CP

IPL60R385CP
Infineon Technologies
1: S/8.39
2,086En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R385CP

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R385CP

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 9A ThinPAK-4 CoolMOS CP

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2,086En existencias

Cinta cortada

S/8.39

S/4.12

Envase tipo carrete

S/4.12

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 6A TO220FP-3 CoolMOS C3

SPA06N80C3
Infineon Technologies
1: S/11.09
2,284En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPA06N80C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPA06N80C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 6A TO220FP-3 CoolMOS C3

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2,284En existencias

S/11.09

S/7.18

S/5.12

S/4.27

S/3.70

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

SPD04N60C3ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.15
2,836En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPD04N60C3ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPD04N60C3ATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

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2,836En existencias

Cinta cortada

S/10.15

S/6.54

S/4.47

S/3.56

S/3.48

Envase tipo carrete

S/3.25

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 9A DPAK-2

IPD50R399CPATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.99
2,219En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD50R399CPATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R399CPATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 9A DPAK-2

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2,219En existencias

Cinta cortada

S/8.99

S/5.76

S/3.88

S/3.09

S/2.88

Envase tipo carrete

S/2.74

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPU80R900P7AKMA1
Infineon Technologies
1: S/8.82
1,441En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPU80R900P7AKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPU80R900P7AKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Hoja de datos

1,441En existencias

S/8.82

S/5.55

S/3.65

S/2.89

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Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

IPD60R1K4C6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.50
15,464En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R1K4C6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R1K4C6ATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

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15,464En existencias

Cinta cortada

S/5.50

S/3.34

S/2.29

S/1.82

S/1.66

Envase tipo carrete

S/1.40

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1.9A DPAK-2

IPD80R2K8CEATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.36
8,754En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R2K8CEATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R2K8CEATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1.9A DPAK-2

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Hoja de datos

8,754En existencias

Cinta cortada

S/6.36

S/4.02

S/2.67

S/2.16

S/1.97

Envase tipo carrete

S/1.70

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 6A D2PAK-2

IPB65R660CFDAATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.66
918En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R660CFDAATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R660CFDAATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 6A D2PAK-2

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Hoja de datos

918En existencias

Cinta cortada

S/10.66

S/6.88

S/4.73

S/3.76

Envase tipo carrete

S/3.47

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

IPD60R600P6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.92
2,016En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R600P6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R600P6ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

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Hoja de datos

2,016En existencias

Cinta cortada

S/6.92

S/4.39

S/2.92

S/2.30

S/2.09

Envase tipo carrete

S/1.91

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPP65R115CFD7AAKSA1
Infineon Technologies
1: S/21.16
335En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP65R115CFD7AAKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R115CFD7AAK

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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335En existencias

S/21.16

S/11.27

S/10.19

S/9.20

Min.: 1
Mult.: 1

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

Semiconductores

Soluciones incluidas