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CoolMOS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 669

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Nombre comercial = CoolMOS

Fabricante

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600 V CoolMOS 8 Power Transistor

IPLT60R055CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: S/27.74
500En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPLT60R055CM8XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPLT60R055CM8XTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600 V CoolMOS 8 Power Transistor

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Hoja de datos

500En existencias

S/27.74

S/18.15

S/13.37

S/11.87

S/10.49

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

PG-HDSOP-16

N-Channel

1 Channel

650 V

48 A

55 mOhms

20 V

4.7 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

278 W

Enhancement

CoolMOS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 23A D2PAK-2 CoolMOS CP

IPB50R140CP
Infineon Technologies
1: S/19.74
930En existencias
1,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPB50R140CP

N.º de artículo de Mouser
726-IPB50R140CP

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 23A D2PAK-2 CoolMOS CP

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930En existencias

1,000En pedido

Cinta cortada

S/19.74

S/13.07

S/10.23

S/9.12

Envase tipo carrete

S/8.04

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

23 A

130 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

192 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 17A D2PAK-2 CoolMOS CP

IPB50R199CPATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.87
2,664En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB50R199CPATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB50R199CPATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 17A D2PAK-2 CoolMOS CP

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2,664En existencias

Más información disponible

Cinta cortada

S/15.87

S/10.36

S/8.08

S/6.79

Envase tipo carrete

S/5.89

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

17 A

180 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

139 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R180C7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.37
2,732En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R180C7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R180C7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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2,732En existencias

Cinta cortada

S/9.37

S/5.12

Envase tipo carrete

S/5.12

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

13 A

180 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

68 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB65R095C7ATMA2
Infineon Technologies
1: S/25.59
1,397En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R095C7ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R095C7ATMA2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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1,397En existencias

Cinta cortada

S/25.59

S/17.16

S/12.34

S/12.17

Envase tipo carrete

S/11.40

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

84 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

128 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R750P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.91
4,517En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R750P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R750P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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4,517En existencias

Cinta cortada

S/7.91

S/5.07

S/3.39

S/2.68

S/2.46

Envase tipo carrete

S/2.30

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

7 A

640 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

51 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 46A TO220-3 CoolMOS C7

IPP65R045C7
Infineon Technologies
1: S/42.53
774En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP65R045C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R045C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 46A TO220-3 CoolMOS C7

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774En existencias

S/42.53

S/33.28

S/27.74

S/24.68

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

46 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

93 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPA60R125P6XKSA1
Infineon Technologies
1: S/18.19
864En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R125P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R125P6XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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Hoja de datos

864En existencias

S/18.19

S/9.98

S/8.73

S/7.22

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

113 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 6A D2PAK-2

IPB65R660CFDA
Infineon Technologies
1: S/11.05
1,871En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R660CFDA

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R660CFDA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 6A D2PAK-2

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Hoja de datos

1,871En existencias

Cinta cortada

S/11.05

S/7.10

S/4.82

S/4.01

Envase tipo carrete

S/3.52

S/3.47

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

6 A

594 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

20 nC

- 40 C

+ 150 C

62.5 W

Enhancement

AEC-Q100

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPB80R290C3AATMA2
Infineon Technologies
1: S/21.67
1,177En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB80R290C3AATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB80R290C3AATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

Hoja de datos

1,177En existencias

Cinta cortada

S/21.67

S/17.33

S/12.90

S/12.47

Envase tipo carrete

S/11.05

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-3-2

N-Channel

1 Channel

800 V

17 A

670 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

88 nC

- 40 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPD60R180C7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.77
7,460En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R180C7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R180C7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

7,460En existencias

Cinta cortada

S/12.77

S/8.30

S/5.81

S/4.82

Envase tipo carrete

S/4.47

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

13 A

180 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

68 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.6A DPAK-2

IPD60R380P6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.26
7,306En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R380P6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R380P6ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.6A DPAK-2

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Hoja de datos

7,306En existencias

Cinta cortada

S/8.26

S/5.29

S/3.57

S/2.83

S/2.59

Envase tipo carrete

S/2.46

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

10.6 A

380 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

31 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD95R2K0P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.67
27,778En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD95R2K0P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD95R2K0P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Hoja de datos

27,778En existencias

Cinta cortada

S/6.67

S/4.20

S/2.80

S/2.20

S/2.00

Envase tipo carrete

S/1.81

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

950 V

4 A

2 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

10 nC

- 55 C

+ 150 C

37 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWERNEW

IPW65R095C7
Infineon Technologies
1: S/25.03
897En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R095C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R095C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWERNEW

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Hoja de datos

897En existencias

S/25.03

S/20.04

S/16.21

S/14.36

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

84 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

128 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPB60R360P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.64
2,822En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R360P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R360P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Hoja de datos

2,822En existencias

Cinta cortada

S/8.64

S/5.55

S/3.73

S/2.96

Envase tipo carrete

S/2.64

S/2.61

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

9 A

305 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

41 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 21A D2PAK-2 CoolMOS C3

SPB21N50C3
Infineon Technologies
1: S/14.06
1,452En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SPB21N50C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPB21N50C3

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 21A D2PAK-2 CoolMOS C3

Obtenga más información

Hoja de datos

1,452En existencias

Cinta cortada

S/14.06

S/10.62

S/8.56

S/8.08

Envase tipo carrete

S/7.35

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

21 A

190 mOhms

- 20 V, 20 V

3.9 V

95 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP65R065C7
Infineon Technologies
1: S/32.25
487En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP65R065C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R065C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

487En existencias

S/32.25

S/24.08

S/19.48

S/17.29

S/15.31

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

33 A

58 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

171 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R080G7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/26.40
1,805En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R080G7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R080G7XTMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

1,805En existencias

Cinta cortada

S/26.40

S/18.88

S/13.67

S/13.24

S/12.99

Envase tipo carrete

S/12.38

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

29 A

80 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

167 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPW60R099P6XKSA1
Infineon Technologies
1: S/21.80
1,327En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R099P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R099P6XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

Obtenga más información

Hoja de datos

1,327En existencias

S/21.80

S/12.86

S/10.15

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

37.9 A

89 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

70 nC

- 55 C

+ 150 C

278 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE

IPD80R2K7C3AATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.34
5,318En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R2K7C3AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R2K7C3AATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE

Hoja de datos

5,318En existencias

Cinta cortada

S/8.34

S/5.33

S/3.59

S/2.89

S/2.61

Envase tipo carrete

S/2.49

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

2 A

2.7 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

16 nC

- 40 C

+ 150 C

42 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R099C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/27.86
928En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R099C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R099C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

928En existencias

S/27.86

S/14.62

S/13.37

S/11.05

S/10.41

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

22 A

85 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPP60R360P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/6.28
5,835En existencias
6,490En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R360P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R360P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

5,835En existencias

6,490En pedido

S/6.28

S/3.59

S/3.31

S/2.76

S/2.61

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

9 A

305 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

41 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R045P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/33.88
380En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R045P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R045P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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380En existencias

S/33.88

S/18.62

S/16.60

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

61 A

45 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

90 nC

- 55 C

+ 150 C

201 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

IPW60R160P6
Infineon Technologies
1: S/18.92
844En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R160P6

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R160P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

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Hoja de datos

844En existencias

S/18.92

S/12.64

S/9.72

S/8.60

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

23.8 A

144 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

176 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

SPD02N80C3ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.33
33,427En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPD02N80C3ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPD02N80C3ATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

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33,427En existencias

Cinta cortada

S/5.33

S/3.70

S/2.58

S/2.06

S/1.95

Envase tipo carrete

S/1.95

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

2 A

2.7 Ohms

- 20 V, 20 V

2.1 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

42 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

CoolMOS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
HDSOP-10
HDSOP-22
HSOF-8
ISOPLUS-i4-PAK-5
LHSOF-4
PG-HDSOP-16
PG-HDSOP-22
PG-HSOF-8
PG-TO247-3
PG-TO247-4
SOT-223-3
TDFN-8
ThinPAK-5
ThinPAK-56-8
TO-220-3
TO-220FP-3
TO-247-3
TO-247-4

1.5 A
1.7 A
1.9 A
2 A
2.4 A
2.5 A
2.6 A
3 A
3.1 A
3.2 A
3.6 A
3.7 A
3.9 A
4 A
4.4 A
4.5 A
5 A
5.4 A
5.7 A
6 A

8 mOhms
10 mOhms
16 mOhms
17 mOhms
18 mOhms
19 mOhms
22 mOhms
24 mOhms
25 mOhms
26 mOhms
30 mOhms
33 mOhms
34 mOhms
35 mOhms
37 mOhms
40 mOhms
43 mOhms
45 mOhms
49 mOhms
50 mOhms

3.8 nC
4 nC
4.3 nC
4.6 nC
4.7 nC
5.8 nC
6 nC
6.7 nC
6.8 nC
7.5 nC
8.2 nC
9 nC
9.4 nC
10 nC
10.5 nC
11 nC
12 nC
12.4 nC
13 nC
13.1 nC

500 mW
5 W
6 W
6.2 W
6.9 W
7 W
7.1 W
7.2 W
13 W
18 W
18.1 W
21 W
22 W
22.7 W
24 W
24.9 W
25 W
25.7 W
26 W
26.4 W