IPP60R160P6

Infineon Technologies
726-IPP60R160P6
IPP60R160P6

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

Modelo ECAD:
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En existencias: 411

Existencias:
411 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
12 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
S/ -.--
Precio ext.:
S/ -.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/ 15.27 S/ 15.27
S/ 9.93 S/ 99.30
S/ 7.61 S/ 761.00
S/ 6.32 S/ 3,160.00
S/ 5.55 S/ 5,550.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
23.8 A
144 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
44 nC
- 55 C
+ 150 C
176 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Marca: Infineon Technologies
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: MY
Tiempo de caída: 5.8 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 7.6 ns
Serie: CoolMOS P6
Cantidad de empaque de fábrica: 500
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 40 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 12.5 ns
Alias de las piezas n.º: SP001017068 IPP60R160P6XKSA1
Peso de la unidad: 2 g
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99