CoolMOS – Mouser Perú

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.6A TO220FP-3 CoolMOS C6

IPA60R380C6XKSA1
Infineon Technologies
1: S/10.06
Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R380C6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R380C6XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.6A TO220FP-3 CoolMOS C6

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas

S/10.06

S/5.12

S/4.60

S/3.68

S/3.51

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPAN65R650CEXKSA1
Infineon Technologies
1: S/6.97
Plazo de entrega no en existencias 15 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPAN65R650CEXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPAN65R650CEXKSA

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 15 Semanas

S/6.97

S/3.32

S/2.96

S/2.33

S/2.01

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R3K4CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/3.35
Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R3K4CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R3K4CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas

Cinta cortada

S/3.35

S/2.06

S/1.33

S/1.02

Envase tipo carrete

S/0.722

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

IPD65R950CFDATMA2
Infineon Technologies
1: S/7.40
Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD65R950CFDATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD65R950CFDATMA

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas

Cinta cortada

S/7.40

S/4.69

S/3.12

S/2.46

S/2.24

Envase tipo carrete

S/1.96

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 3.9A DPAK-2

IPD80R1K4CEATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.74
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R1K4CEATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R1K4CEATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 3.9A DPAK-2

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

Cinta cortada

S/7.74

S/4.95

S/3.30

S/2.61

S/2.39

Envase tipo carrete

S/2.23

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPLK70R1K2P7ATMA1
Infineon Technologies
5,000: S/1.74
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPLK70R1K2P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPLK70R1K2P7ATMA

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

Envase tipo carrete

S/1.74

S/1.68

S/1.63

Min.: 5,000
Mult.: 5,000

: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPLK80R750P7ATMA1
Infineon Technologies
5,000: S/2.53
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPLK80R750P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPLK80R750P7ATMA

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

Envase tipo carrete

S/2.53

Min.: 5,000
Mult.: 5,000

: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 38A TO220-3 CoolMOS C6

IPP60R099C6XKSA1
Infineon Technologies
1: S/25.54
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R099C6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R099C6XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 38A TO220-3 CoolMOS C6

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

S/25.54

S/14.19

S/12.99

S/12.51

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 25A TO220-3 CoolMOS CP

IPP60R125CPXKSA1
Infineon Technologies
1: S/24.77
Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R125CPXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R125CPXKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 25A TO220-3 CoolMOS CP

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas

S/24.77

S/13.12

S/11.95

S/11.35

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 23.8A TO220-3 CoolMOS C6

IPP60R160C6XKSA1
Infineon Technologies
1: S/17.67
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R160C6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R160C6XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 23.8A TO220-3 CoolMOS C6

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

S/17.67

S/9.07

S/8.21

S/7.22

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP

IPW60R045CPXK
Infineon Technologies
1: S/68.76
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R045CPXK

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R045CPXK

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

S/68.76

S/53.19

S/46.01

S/45.97

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 25A TO247-3 CoolMOS CP

IPW60R125CPFKSA1
Infineon Technologies
240: S/13.03
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R125CPFKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R125CPFKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 25A TO247-3 CoolMOS CP

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

S/13.03

Min.: 240
Mult.: 240

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 23.8A TO247-3 CoolMOS C6

IPW60R160C6
Infineon Technologies
1: S/21.41
Plazo de entrega 13 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R160C6

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R160C6

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 23.8A TO247-3 CoolMOS C6

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Hoja de datos

Plazo de entrega 13 Semanas

S/21.41

S/14.19

S/11.27

S/9.98

S/8.86

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 23.8A TO247-3 CoolMOS C6

IPW60R160C6FKSA1
Infineon Technologies
1: S/20.60
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R160C6FKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R160C6FKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 23.8A TO247-3 CoolMOS C6

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

S/20.60

S/11.52

S/9.55

S/8.86

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.2A TO247-3 CoolMOS E6

IPW60R190E6FKSA1
Infineon Technologies
240: S/8.56
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R190E6FKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R190E6FKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.2A TO247-3 CoolMOS E6

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

S/8.56

S/7.78

Min.: 240
Mult.: 240

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 53.5A TO247-3 CoolMOS C6

IPW65R070C6
Infineon Technologies
1: S/39.56
Plazo de entrega 17 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R070C6

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R070C6

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 53.5A TO247-3 CoolMOS C6

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Hoja de datos

Plazo de entrega 17 Semanas

S/39.56

S/23.31

S/21.07

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

IPW65R420CFDFKSA2
Infineon Technologies
1: S/13.46
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R420CFDFKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R420CFDFKSA

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

S/13.46

S/7.31

S/5.93

S/4.99

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPZ60R060C7XKSA1
Infineon Technologies
240: S/24.34
Plazo de entrega no en existencias 15 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPZ60R060C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZ60R060C7XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 15 Semanas

S/24.34

S/21.67

S/20.30

Min.: 240
Mult.: 240

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A TO220FP CoolMOS CFD

SPA11N60CFD
Infineon Technologies
1: S/15.48
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPA11N60CFD

N.º de artículo de Mouser
726-SPA11N60CFD

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A TO220FP CoolMOS CFD

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

S/15.48

S/10.11

S/7.91

S/5.76

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 13.4A TO220-3

SPP15N60CFDXKSA1
Infineon Technologies
500: S/6.58
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPP15N60CFDXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPP15N60CFDXKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 13.4A TO220-3

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

S/6.58

Min.: 500
Mult.: 500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 24 Amps 600V

IXKH24N60C5
IXYS
1: S/29.46
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXKH24N60C5

N.º de artículo de Mouser
747-IXKH24N60C5

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 24 Amps 600V

Hoja de datos

No en existencias

S/29.46

S/21.59

S/17.42

S/15.48

S/13.24

Min.: 1
Mult.: 1

Herramientas de desarrollo de administración de IC SONSTIGES

KIT6W12VP7950VTOBO1
Infineon Technologies
1: S/191.61
Plazo de entrega 53 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
KIT6W12VP7950VTOBO1

N.º de artículo de Mouser
726-KIT6W12VP7950VTO

Infineon Technologies

Herramientas de desarrollo de administración de IC SONSTIGES

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega 53 Semanas

S/191.61

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 35 Amps 600V

IXKH35N60C5
IXYS
Plazo de entrega no en existencias 83 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXKH35N60C5

N.º de artículo de Mouser
747-IXKH35N60C5

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 35 Amps 600V

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 83 Semanas

Cotización

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 47 Amps 600V 70 Rds

IXKH47N60C
IXYS
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Pedido especial de fábrica

N.º de artículo del Fabricante
IXKH47N60C

N.º de artículo de Mouser
747-IXKH47N60C

Pedido especial de fábrica

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 47 Amps 600V 70 Rds

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

Cotización

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 85 Amps 600V 36 Rds

IXKK85N60C
IXYS
Plazo de entrega 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXKK85N60C

N.º de artículo de Mouser
747-IXKK85N60C

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 85 Amps 600V 36 Rds

Hoja de datos

Plazo de entrega 13 Semanas

Cotización

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

Semiconductores

Soluciones incluidas