IPD65R950CFDATMA2

Infineon Technologies
726-IPD65R950CFDATMA
IPD65R950CFDATMA2

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

Ciclo de vida:
NRND:
No recomendado para nuevos diseños.
Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
19 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
S/ -.--
Precio ext.:
S/ -.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/ 7.40 S/ 7.40
S/ 4.69 S/ 46.90
S/ 3.12 S/ 312.00
S/ 2.46 S/ 1,230.00
S/ 2.24 S/ 2,240.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
S/ 1.96 S/ 4,900.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
650 V
3.9 A
950 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
14.1 nC
- 55 C
+ 150 C
36.7 W
Enhancement
CoolMOS
Reel
Cut Tape
Marca: Infineon Technologies
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: DE
Tiempo de caída: 13.8 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 6.5 ns
Serie: CFD2
Cantidad de empaque de fábrica: 2500
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 43 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 9 ns
Alias de las piezas n.º: IPD65R950CFD SP001977060
Peso de la unidad: 330 mg
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99