CoolMOS – Mouser Perú

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC HIGH POWER_NEW

IPDQ60R037CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: S/33.15
300En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ60R037CM8XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ60R037CM8XTM

Nuevo en Mouser

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC HIGH POWER_NEW

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300En existencias

Cinta cortada

S/33.15

S/26.53

S/21.46

S/19.09

Envase tipo carrete

S/16.90

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60T040S7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/32.64
135En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60T040S7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60T040S7XTMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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135En existencias

Cinta cortada

S/32.64

S/26.10

S/21.11

S/18.75

S/16.64

Envase tipo carrete

S/16.64

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPTA60R180CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: S/11.65
1,309En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
IPTA60R180CM8XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPTA60R180CM8XTM

Nuevo en Mouser

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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1,309En existencias

Cinta cortada

S/11.65

S/7.57

S/5.20

S/4.15

S/3.91

Envase tipo carrete

S/3.71

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20.2A TO220FP-3 CoolMOS C6

IPA60R190C6XKSA1
Infineon Technologies
1: S/14.88
226En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R190C6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R190C6XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20.2A TO220FP-3 CoolMOS C6

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Hoja de datos

226En existencias

S/14.88

S/7.53

S/6.84

S/5.72

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.2A TO220FP-3 CoolMOS E6

IPA60R190E6
Infineon Technologies
1: S/13.29
311En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R190E6

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R190E6

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.2A TO220FP-3 CoolMOS E6

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311En existencias

S/13.29

S/9.98

S/5.72

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.3A TO220FP-3

IPA60R400CEXKSA1
Infineon Technologies
1: S/7.87
393En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R400CEXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R400CEXKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.3A TO220FP-3

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393En existencias

S/7.87

S/4.21

S/3.33

S/2.47

S/2.17

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

IPA65R095C7
Infineon Technologies
1: S/31.18
242En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA65R095C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R095C7

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

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242En existencias

S/31.18

S/20.43

S/15.01

S/13.37

S/11.87

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA65R1K0CEXKSA1
Infineon Technologies
1: S/6.71
954En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA65R1K0CEXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R1K0CEXKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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954En existencias

S/6.71

S/3.16

S/2.82

S/2.20

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Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA65R400CEXKSA1
Infineon Technologies
1: S/7.57
381En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA65R400CEXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R400CEXKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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381En existencias

S/7.57

S/3.44

S/3.29

S/2.43

S/2.25

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA80R1K0CEXKSA2
Infineon Technologies
1: S/10.06
648En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA80R1K0CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R1K0CEXKSA2

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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648En existencias

S/10.06

S/5.68

S/4.39

S/3.64

S/3.16

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA80R310CEXKSA2
Infineon Technologies
1: S/16.38
216En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA80R310CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R310CEXKSA2

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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216En existencias

S/16.38

S/9.63

S/7.91

S/6.24

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 38A D2PAK-2 CoolMOS C6

IPB60R099C6
Infineon Technologies
1: S/26.36
1,365En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R099C6

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726-IPB60R099C6

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 38A D2PAK-2 CoolMOS C6

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Cinta cortada

S/26.36

S/18.62

S/13.72

S/13.42

Envase tipo carrete

S/12.51

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31A D2PAK-2 CoolMOS CP

IPB60R099CPATMA1
Infineon Technologies
1: S/34.79
995En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R099CPATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R099CPATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31A D2PAK-2 CoolMOS CP

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Cinta cortada

S/34.79

S/22.83

S/17.20

S/16.17

Envase tipo carrete

S/15.09

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20.2A D2PAK-2 CoolMOS C6

IPB60R190C6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/16.64
644En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R190C6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R190C6ATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20.2A D2PAK-2 CoolMOS C6

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644En existencias

Cinta cortada

S/16.64

S/10.92

S/7.65

S/6.49

Envase tipo carrete

S/6.02

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 72A D2PAK-2

IPB65R150CFDAATMA1
Infineon Technologies
1: S/22.66
1,000En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R150CFDAATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R150CFDAATM

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 72A D2PAK-2

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1,000En existencias

Cinta cortada

S/22.66

S/15.05

S/10.75

S/9.76

Envase tipo carrete

S/9.12

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN60R2K1CEATMA1
Infineon Technologies
1: S/3.35
15,364En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPN60R2K1CEATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R2K1CEATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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15,364En existencias

Cinta cortada

S/3.35

S/2.05

S/1.33

S/1.01

Envase tipo carrete

S/0.722

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31A TO220-3 CoolMOS CP

IPP60R099CP
Infineon Technologies
1: S/31.78
330En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R099CP

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R099CP

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31A TO220-3 CoolMOS CP

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330En existencias

S/31.78

S/23.74

S/19.57

S/16.60

S/15.09

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31A TO220-3 CoolMOS CP

IPP60R099CPXKSA1
Infineon Technologies
1: S/29.07
85En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R099CPXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R099CPXKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31A TO220-3 CoolMOS CP

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Hoja de datos

85En existencias

S/29.07

S/16.56

S/15.18

S/15.09

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP65R125C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/19.52
263En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPP65R125C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R125C7XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

263En existencias

S/19.52

S/10.11

S/9.20

S/8.26

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPU60R2K1CEAKMA1
Infineon Technologies
1: S/3.40
2,921En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPU60R2K1CEAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPU60R2K1CEAKMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

2,921En existencias

S/3.40

S/1.44

S/1.28

S/1.04

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 77.5A TO247-3 CoolMOS C6

IPW60R041C6FKSA1
Infineon Technologies
1: S/57.49
160En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R041C6FKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R041C6FKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 77.5A TO247-3 CoolMOS C6

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Hoja de datos

160En existencias

S/57.49

S/35.00

S/34.40

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 30A TO247-3 CoolMOS C6

IPW60R125C6
Infineon Technologies
1: S/21.16
184En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R125C6

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R125C6

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 30A TO247-3 CoolMOS C6

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Hoja de datos

184En existencias

S/21.16

S/16.94

S/13.67

S/12.13

S/10.75

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 30A TO247-3 CoolMOS C6

IPW60R125C6FKSA1
Infineon Technologies
1: S/20.68
164En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R125C6FKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R125C6FKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 30A TO247-3 CoolMOS C6

Obtenga más información

Hoja de datos

164En existencias

S/20.68

S/13.46

S/11.18

S/10.75

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 16A TO247-3 CoolMOS CP

IPW60R199CP
Infineon Technologies
1: S/21.33
218En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R199CP

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R199CP

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 16A TO247-3 CoolMOS CP

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Hoja de datos

218En existencias

S/21.33

S/14.15

S/11.27

S/9.98

S/8.86

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 38A TO247-3

IPW65R099C6
Infineon Technologies
1: S/31.52
161En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R099C6

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R099C6

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 38A TO247-3

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Hoja de datos

161En existencias

S/31.52

S/22.27

S/18.53

S/16.51

S/15.44

Min.: 1
Mult.: 1

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