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IPDQ60R037CM8XTMA1

Name: Infineon IPDQ60R037CM8XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPDQ60R037CM8XTM
Price: 33.15 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-IPDQ60R037CM8XTM

Fabricante N.º:

IPDQ60R037CM8XTMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFETs de SiC HIGH POWER_NEW

Ciclo de vida:

Nuevo en Mouser

Hoja de datos:

IPDQ60R037CM8XTMA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/ 33.15	S/ 33.15
	S/ 26.53	S/ 265.30
	S/ 21.46	S/ 2,146.00
	S/ 19.09	S/ 9,545.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 750)
	S/ 16.90	S/ 12,675.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	HDSOP-22
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	600 V
Id - Corriente de drenaje continua:	65 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	37 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.7 V
Qg - Carga de puerta:	79 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	338 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	CoolMOS
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	AT
Tiempo de caída:	5.8 ns
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	7.6 ns
Serie:	600V CM8
Cantidad de empaque de fábrica:	750
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo de retardo de apagado típico:	101.6 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	20.6 ns
Alias de las piezas n.º:	IPDQ60R037CM8 SP005578047

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolMOS™ 8 SJ MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ 8 SJ MOSFETs are high-voltage super-junction MOSFET technology solutions. The Infineon Technologies CoolMOS 8 has an integrated fast body diode and is ideal for diverse applications. The CoolMOS 8 enhances Infineon's wide-bandgap (WBG) portfolio as the successor to the 600V CoolMOS 7 MOSFET family.