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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

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Resultados: 627

Filtros aplicados:

Fabricante

Polaridad del transistor

Tecnología

Id - Corriente de drenaje continua

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Frecuencia de trabajo

Ganancia

Potencia de salida

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Empaquetado

Restablecer todos

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En existencias

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Matched pair Transistors

MRF150MP
MACOM
1: S/1,168.18
165En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MRF150MP

N.º de artículo de Mouser
937-MRF150MP

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Matched pair Transistors

Hoja de datos

165En existencias

Más información disponible

S/1,168.18

S/1,108.88

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

16 A

125 V

150 MHz

17 dB

150 W

+ 200 C

SMD/SMT

221-11-3

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor

PD54008L-E
STMicroelectronics
1: S/36.03
3,796En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD54008L-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD54008L-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor

Hoja de datos

3,796En existencias

Cinta cortada

S/36.03

S/25.93

S/22.66

S/22.32

Envase tipo carrete

S/22.32

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

N-Channel

5 A

25 V

1 GHz

15 dB

8 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerFLAT (5x5)

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS

PD55003-E
STMicroelectronics
1: S/47.86
6,597En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55003-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55003-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS

Hoja de datos

6,597En existencias

S/47.86

S/33.33

S/30.66

S/30.62

S/30.49

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

2.5 A

40 V

1 GHz

17 dB

3 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch

PD54008-E
STMicroelectronics
1: S/65.62
1,546En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD54008-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD54008-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch

Hoja de datos

1,546En existencias

S/65.62

S/46.44

S/43.13

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

5 A

25 V

1 GHz

11.5 dB

8 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam

PD57060-E
STMicroelectronics
1: S/247.34
870En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD57060-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD57060-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam

Hoja de datos

870En existencias

S/247.34

S/202.96

S/200.68

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

7 A

65 V

1 GHz

14.3 dB

60 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6E 60W TO270-2N FET

MRFE6S9060NR1
NXP Semiconductors
1: S/399.38
532En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MRFE6S9060NR1

N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6S9060NR1

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6E 60W TO270-2N FET

Hoja de datos

532En existencias

Cinta cortada

S/399.38

S/325.81

S/292.70

Envase tipo carrete

S/292.70

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 500

N-Channel

1.5 A

66 V

1 GHz

21.1 dB

14 W

+ 150 C

Screw Mount

TO-270

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 750 W 40 MHz T1

ARF1501
Microchip Technology
1: S/1,322.72
60En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ARF1501

N.º de artículo de Mouser
494-ARF1501

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 750 W 40 MHz T1

Hoja de datos

60En existencias

S/1,322.72

S/1,266.48

S/1,192.91

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

30 A

1 kV

40 MHz

17 dB

750 W

- 55 C

+ 175 C

Screw Mount

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS

PD55008-E
STMicroelectronics
1: S/73.83
1,494En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55008-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55008-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS

Hoja de datos

1,494En existencias

S/73.83

S/49.41

S/49.06

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

4 A

40 V

1 GHz

17 dB

8 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) SMT Low Noise Amplifier, 45 MHz - 6 GHz

TAV1-541NM+
Mini-Circuits
1: S/73.79
537En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TAV1-541NM+

N.º de artículo de Mouser
139-TAV1-541NM+

Mini-Circuits

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) SMT Low Noise Amplifier, 45 MHz - 6 GHz

Obtenga más información

Hoja de datos

537En existencias

Cinta cortada

S/73.79

S/10.75

S/10.49

S/10.28

Envase tipo carrete

S/8.77

S/8.73

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 500

N-Channel

GaAs

60 mA

4 V

45 MHz to 6 GHz

8.9 dB

20.3 dBm

- 40 C

+ 85 C

SMD/SMT

1.4 mm x 1.2 mm

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) SMT Low Noise Amplifier, 10 MHz - 4 GHz

TAV1-331NM+
Mini-Circuits
1: S/88.71
433En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TAV1-331NM+

N.º de artículo de Mouser
139-TAV1-331NM+

Mini-Circuits

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) SMT Low Noise Amplifier, 10 MHz - 4 GHz

Obtenga más información

Hoja de datos

433En existencias

Cinta cortada

S/88.71

S/11.52

Envase tipo carrete

S/10.79

S/10.75

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 500

N-Channel

GaAs

60 mA

4 V

10 MHz to 4 GHz

12.3 dB

21.5 dBm

- 40 C

+ 85 C

SMD/SMT

1.42 mm x 1.2 mm x 0.85 mm

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power

AFM907NT1
NXP Semiconductors
1: S/20.43
15,675En existencias
15,000En pedido
NRND

N.º de artículo del Fabricante
AFM907NT1

N.º de artículo de Mouser
841-AFM907NT1

NRND

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power

Hoja de datos

15,675En existencias

15,000En pedido

Cinta cortada

S/20.43

S/14.28

S/12.26

S/10.97

Envase tipo carrete

S/10.71

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

N-Channel

3 A

30 V

136 MHz to 941 MHz

15 dB

8 W

- 40 C

+ 150 C

SMD/SMT

DFN-16

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MMIC AMPLIFIER

TAV1-551+
Mini-Circuits
1: S/59.13
828En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TAV1-551+

N.º de artículo de Mouser
139-TAV1-551+

Mini-Circuits

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MMIC AMPLIFIER

Obtenga más información

Hoja de datos

828En existencias

Cinta cortada

S/59.13

S/59.04

S/7.40

S/7.18

Envase tipo carrete

S/7.05

S/7.01

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 500

N-Channel

15 mA

3 V

45 MHz to 6 GHz

20.9 dB

20 dBm

- 40 C

+ 85 C

SMD/SMT

MCLP-4

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-400MHz 5 Watts 28Volt Gain 11dB

MRF134
MACOM
1: S/235.77
168En existencias
160En pedido

N.º de artículo del Fabricante
MRF134

N.º de artículo de Mouser
937-MRF134

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-400MHz 5 Watts 28Volt Gain 11dB

Obtenga más información

Hoja de datos

168En existencias

160En pedido

S/235.77

S/201.11

S/184.04

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

900 mA

65 V

400 MHz

11 dB

5 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

211-07-3

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F. N-Ch Trans

PD85035-E
STMicroelectronics
1: S/142.16
503En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD85035-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD85035-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F. N-Ch Trans

Hoja de datos

503En existencias

S/142.16

S/118.98

S/104.10

S/103.97

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

8 A

40 V

870 MHz

14.9 dB

35 W

- 65 C

+ 165 C

SMD/SMT

PowerSO-12

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S70G/TO270/REEL

BLP15M9S70GXY
Ampleon
1: S/111.97
89En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLP15M9S70GXY

N.º de artículo de Mouser
94-BLP15M9S70GXY

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S70G/TO270/REEL

Hoja de datos

89En existencias

Cinta cortada

S/111.97

S/93.57

Envase tipo carrete

S/77.14

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 100

N-Channel

LDMOS

65 V

370 mOhms

2 GHz

19.3 dB

100 W

+ 225 C

SMD/SMT

TO-270-2G-1-3

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor.Mosfet,60W,28V,2-175MHz

DU2860U
MACOM
1: S/740.72
18En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DU2860U

N.º de artículo de Mouser
937-DU2860U

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor.Mosfet,60W,28V,2-175MHz

Hoja de datos

18En existencias

S/740.72

S/618.99

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

12 A

65 V

175 MHz

13 dB

60 W

+ 200 C

Screw Mount

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,150MHz,28V,150W,Mosfet

MRF140
MACOM
1: S/680.65
22En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MRF140

N.º de artículo de Mouser
937-MRF140

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,150MHz,28V,150W,Mosfet

Hoja de datos

22En existencias

S/680.65

S/568.80

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

16 A

65 V

150 MHz

15 dB

150 W

+ 200 C

Screw Mount

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC2425M10LS250/SOT1270/REELDP

BLC2425M10LS250Y
Ampleon
1: S/508.60
57En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLC2425M10LS250Y

N.º de artículo de Mouser
94-BLC2425M10LS250Y

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC2425M10LS250/SOT1270/REELDP

Hoja de datos

57En existencias

Cinta cortada

S/508.60

S/427.25

Envase tipo carrete

S/395.60

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 100

N-Channel

LDMOS

65 V

40.5 mOhms

2.4 GHz to 2.5 GHz

14.4 dB

250 W

+ 225 C

SMD/SMT

SOT1270-1-3

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V

AFV09P350-04NR3
NXP Semiconductors
1: S/642.55
207En existencias

N.º de artículo del Fabricante
AFV09P350-04NR3

N.º de artículo de Mouser
841-AFV09P350-04NR3

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V

Hoja de datos

207En existencias

Cinta cortada

S/642.55

S/543.82

S/509.81

Envase tipo carrete

S/509.81

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 250

N-Channel

105 V

720 MHz to 960 MHz

19.2 dB

100 W

- 40 C

+ 150 C

SMD/SMT

OM-780-4

Reel, Cut Tape

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.

PD55003S-E
STMicroelectronics
1: S/44.72
472En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55003S-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55003S-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.

Hoja de datos

472En existencias

S/44.72

S/30.87

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

2.5 A

40 V

1 GHz

17 dB

3 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Straight-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V

AFM906NT1
NXP Semiconductors
1: S/15.95
972En existencias

N.º de artículo del Fabricante
AFM906NT1

N.º de artículo de Mouser
841-AFM906NT1

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V

Hoja de datos

972En existencias

Cinta cortada

S/15.95

S/11.01

S/9.42

S/9.12

Envase tipo carrete

S/8.13

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

N-Channel

4.7 A

30 V

136 MHz to 941 MHz

16.2 dB

6.5 W

- 40 C

+ 150 C

SMD/SMT

HVSON-16

Reel, Cut Tape

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,8W,12V,30-90MHz

FH2164
MACOM
1: S/765.53
17En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FH2164

N.º de artículo de Mouser
937-FH2164

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,8W,12V,30-90MHz

Hoja de datos

17En existencias

S/765.53

S/606.21

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

4 A

65 V

30 MHz to 90 MHz

13 dB

8 W

+ 200 C

Screw Mount

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications

MWT-PH11F
CML Micro
10: S/513.55
90En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MWT-PH11F

N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH11F

CML Micro

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications

Obtenga más información

Hoja de datos

90En existencias

S/513.55

S/487.53

S/487.41

Ver

Min.: 10
Mult.: 10

GaAs

440 mA to 800 mA

8 V

12 GHz

9 dB

32 dBm

+ 150 C

Die

Bulk

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H

MRFE6VP5600HR6
NXP Semiconductors
1: S/1,351.71
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
MRFE6VP5600HR6

N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6VP5600HR6

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas

Cinta cortada

S/1,351.71

S/1,113.74

S/1,072.38

Envase tipo carrete

S/1,072.38

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 150

N-Channel

130 V

1.8 MHz to 600 MHz

25 dB

600 W

+ 150 C

SMD/SMT

NI-1230

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch

PD55025-E
STMicroelectronics
1: S/133.17
210En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55025-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55025-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch

Hoja de datos

210En existencias

S/133.17

S/93.70

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

7 A

40 V

1 GHz

14.5 dB

25 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1.4 uA
774 uA
1 mA
1.27 mA
1.93 mA
6 mA
10 mA
15 mA
26 mA
40 mA to 60 mA
50 mA
60 mA
60 mA to 80 mA
85 mA
90 mA to 120 mA
100 mA
120 mA
125 mA
150 mA
150 mA to 190 mA

3 V
4 V
4.5 V
6.5 V
7.5 V
8 V
10 V
12 V
12.5 V
20 V
25 V
28 V
30 V
32 V
40 V
48 V
50 V
52 V
55 V
60 V

26 mOhms
30 mOhms
35 mOhms
40.5 mOhms
43 mOhms
45.5 mOhms
50 mOhms
52.5 mOhms
54 mOhms
57.5 mOhms
60 mOhms
60 mOhms, 90 mOhms
69 mOhms
70 mOhms
80 mOhms
84 mOhms
90 mOhms
95 mOhms
100 mOhms
106 mOhms

0 Hz to 3.5 GHz
0 Hz to 7 GHz
2.5 Hz to 2.7 Hz
30 kHz to 50 GHz
1 MHz
1 MHz to 2 GHz
1 MHz to 400 MHz
1 MHz to 425 MHz
1 MHz to 450 MHz
1 MHz to 500 MHz
1 MHz to 650 MHz
1.8 MHz to 250 MHz
1.8 MHz to 400 MHz
1.8 MHz to 50 MHz
1.8 MHz to 500 MHz
1.8 MHz to 600 MHz
2 MHz to 175 MHz
10 MHz to 4 GHz
30 MHz
30 MHz to 860 MHz

8 dB
8 dB, 11 dB
8.8 dB
8.9 dB
9 dB
10 dB
10 dB, 13 dB
10.8 dB
11 dB
11.2 dB
11.5 dB
12 bB
12 dB
12.3 dB
12.5 dB
13 dB
13.3 dB
13.4 dB
13.5 dB
14 dB

200 mW
2 W
2.2 W
3 W
4 W
4.9 W
5 W
6.5 W
7.3 W
8 W
10 W
12 W
14 W
15 W
15.7 W
16 W
16 dBm
18 W
20 W
20 dBm

1.4 mm x 1.2 mm
1.42 mm x 1.2 mm x 0.85 mm
211-07
211-07-3
221-11-3
244-4
249-06
305A-01
319-07
333-04
333-4
368-3
375-04
744A-01
A2-3
ACC-1230-6F-2-7
ACC-1230-6F-3-7
ACC-1230-6G-2-7
B2-3
B4E-5