IGBTs DISCRETE SWITCHES
AIKB40N65DF5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/19.26
1,680 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-AIKB40N65DF5ATMA
Infineon Technologies
IGBTs DISCRETE SWITCHES
1,680 En existencias
1
S/19.26
10
S/12.77
100
S/9.03
500
S/8.34
1,000
S/7.78
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IGBT Transistors
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V,30V 40A,40A TISON-8
BSC0924NDI
Infineon Technologies
1:
S/6.67
4,158 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC0924NDI
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V,30V 40A,40A TISON-8
4,158 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/6.67
10
S/2.42
100
S/1.81
5,000
S/1.81
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
TISON-8
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -100V -680mA SOT-223-3
+2 imágenes
BSP316P H6327
Infineon Technologies
1:
S/4.39
15,167 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSP316PH6327
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -100V -680mA SOT-223-3
15,167 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/4.39
10
S/2.73
100
S/1.78
500
S/1.37
1,000
S/1.23
2,000
Ver
2,000
S/1.12
5,000
S/1.00
10,000
S/0.993
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
SOT-223-4
P-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
IPB011N04LGATMA1
Infineon Technologies
1:
S/11.83
1,970 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB011N04LGATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
1,970 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/11.83
10
S/8.56
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S/6.49
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S/6.45
1,000
S/6.45
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1,000
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
IPB016N06L3 G
Infineon Technologies
1:
S/20.81
1,746 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB016N06L3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
1,746 En existencias
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1
S/20.81
10
S/13.76
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S/10.79
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S/9.59
1,000
S/8.47
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB090N06N3 G
Infineon Technologies
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S/7.91
4,047 En existencias
4,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-IPB090N06N3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3
4,047 En existencias
4,000 En pedido
1
S/7.91
10
S/5.07
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S/3.41
500
S/2.72
1,000
S/2.29
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1,000
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
IPB180N04S4-01
Infineon Technologies
1:
S/15.70
9,396 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB180N04S4-01
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
9,396 En existencias
1
S/15.70
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S/10.28
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S/7.18
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S/6.32
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S/5.89
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
IPB180N04S400ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/20.12
3,348 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB180N04S400ATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
3,348 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/20.12
10
S/13.33
100
S/9.46
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S/8.82
1,000
S/8.26
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 6A D2PAK-2
IPB65R660CFDA
Infineon Technologies
1:
S/11.05
1,871 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R660CFDA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 6A D2PAK-2
1,871 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/11.05
10
S/7.10
100
S/4.82
500
S/4.01
1,000
S/3.52
2,000
S/3.47
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
IPB80R290C3AATMA2
Infineon Technologies
1:
S/21.67
1,161 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB80R290C3AATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
1,161 En existencias
1
S/21.67
10
S/17.33
100
S/12.90
500
S/12.47
1,000
S/11.05
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1,000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
TO-263-3-2
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS
IPD30N08S2L-21
Infineon Technologies
1:
S/10.75
17,856 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD30N08S2L-21
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS
17,856 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/10.75
10
S/6.88
100
S/4.69
500
S/3.90
1,000
S/3.44
2,500
S/3.38
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Carrete :
2,500
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
IPD50N04S4-08
Infineon Technologies
1:
S/5.29
16,184 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD50N04S4-08
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
16,184 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/5.29
10
S/3.30
100
S/2.17
500
S/1.72
1,000
S/1.53
2,500
S/1.30
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPD60R180C7ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/13.89
7,294 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R180C7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
7,294 En existencias
1
S/13.89
10
S/8.99
100
S/6.41
500
S/5.33
1,000
S/4.99
2,500
S/4.64
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.6A DPAK-2
IPD60R380P6ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/8.26
7,306 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R380P6ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.6A DPAK-2
7,306 En existencias
1
S/8.26
10
S/5.29
100
S/3.57
500
S/2.83
1,000
S/2.59
2,500
S/2.46
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
IPD90N04S403ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/7.87
18,029 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD90N04S403ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
18,029 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/7.87
10
S/5.03
100
S/3.36
500
S/2.66
1,000
S/2.44
2,500
S/2.28
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPD95R2K0P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/7.57
27,761 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD95R2K0P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
27,761 En existencias
1
S/7.57
10
S/4.82
100
S/3.18
500
S/2.52
1,000
S/2.24
2,500
S/1.90
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMosfet NCh Std-VeryHiVolt TO-268AA
IXTT1N250HV
IXYS
1:
S/195.61
304 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-IXTT1N250HV
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMosfet NCh Std-VeryHiVolt TO-268AA
304 En existencias
Embalaje alternativo
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
D3PAK-3 (TO-268-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET
SSM6N35FE,LM
Toshiba
1:
S/1.51
32,129 En existencias
40,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N35FELM
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET
32,129 En existencias
40,000 En pedido
1
S/1.51
10
S/0.937
100
S/0.589
500
S/0.426
4,000
S/0.271
8,000
Ver
1,000
S/0.387
2,000
S/0.344
8,000
S/0.249
24,000
S/0.215
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
4,000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
ES6-6
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Mosfet 30V 150A 8DSOP
+1 imagen
TPWR8503NL,L1Q
Toshiba
1:
S/14.88
4,889 En existencias
5,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
757-TPWR8503NLL1Q
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Mosfet 30V 150A 8DSOP
4,889 En existencias
5,000 En pedido
1
S/14.88
10
S/9.72
100
S/6.79
500
S/5.89
1,000
S/5.50
5,000
S/5.50
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DSOP-8
N-Channel
GaN FETs DC-4GHz 15W 28-50V SSG 24dB PAE 72% GaN
QPD1009
Qorvo
1:
S/290.77
244 En existencias
N.º de artículo del Fabricante
QPD1009
N.º de artículo de Mouser
772-QPD1009
Qorvo
GaN FETs DC-4GHz 15W 28-50V SSG 24dB PAE 72% GaN
244 En existencias
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Mult.: 1
Detalles
GaN FETs
GaN
SMD/SMT
QFN-16
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 16V Vgs PowerPAK SC-70
SIAA00DJ-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/3.87
5,790 En existencias
5,950 En pedido
N.º de artículo de Mouser
78-SIAA00DJ-T1-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 16V Vgs PowerPAK SC-70
5,790 En existencias
5,950 En pedido
1
S/3.87
10
S/2.45
100
S/1.75
500
S/1.54
3,000
S/1.41
6,000
Ver
1,000
S/1.48
6,000
S/1.32
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
SC-70-6
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC
SIDR680DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/17.42
5,994 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SIDR680DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC
5,994 En existencias
1
S/17.42
10
S/11.44
100
S/8.08
500
S/7.27
3,000
S/6.88
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
SIHF28N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/32.72
693 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SIHF28N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
693 En existencias
1
S/32.72
10
S/21.76
100
S/17.63
500
S/15.65
1,000
S/14.06
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V PowerPAK 8x8 N-CHANNEL
SIHH070N60EF-T1GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/32.72
3,169 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SIHH070N60EFT1GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V PowerPAK 8x8 N-CHANNEL
3,169 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerPAK-8 x 8
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
SIHP35N60E-GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/31.65
760 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SIHP35N60E-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
760 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/31.65
10
S/21.03
100
S/17.03
500
S/15.14
1,000
S/13.59
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel