.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

PolarP Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 22

Filtros aplicados:

Nombre comercial = PolarP

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Empaquetado

Restablecer todos

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En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -52.0 Amps -100V 0.050 Rds

IXTH52P10P
IXYS
1: S/ 40.42
306En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH52P10P

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH52P10P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -52.0 Amps -100V 0.050 Rds

Hoja de datos

306En existencias

S/ 40.42

S/ 23.82

S/ 21.16

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

P-Channel

1 Channel

100 V

52 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

300 W

Enhancement

PolarP

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -52.0 Amps -100V 0.050 Rds

IXTP52P10P
IXYS
1: S/ 28.85
329En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP52P10P

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP52P10P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -52.0 Amps -100V 0.050 Rds

Hoja de datos

329En existencias

S/ 28.85

S/ 18.36

S/ 16.81

S/ 16.73

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

P-Channel

1 Channel

100 V

52 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

300 W

Enhancement

PolarP

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 10A P-CH POLAR

IXTA10P50P-TRL
IXYS
1: S/ 34.40
3,720En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA10P50P-TRL

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA10P50P-TRL

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 10A P-CH POLAR

Hoja de datos

3,720En existencias

Cinta cortada

S/ 34.40

S/ 23.13

S/ 18.15

S/ 14.84

Envase tipo carrete

S/ 14.79

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

P-Channel

1 Channel

500 V

10 A

1 Ohms

- 20 V, 20 V

2 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

300 W

Enhancement

PolarP

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXTA26P20P TRL

IXTA26P20P-TRL
IXYS
1: S/ 34.49
3,143En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA26P20P-TRL

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA26P20P-TRL

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXTA26P20P TRL

Hoja de datos

3,143En existencias

Cinta cortada

S/ 34.49

S/ 23.48

S/ 18.15

S/ 18.10

Envase tipo carrete

S/ 14.84

S/ 14.79

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

P-Channel

1 Channel

200 V

26 A

170 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

56 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

PolarP

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -36.0 Amps -150V 0.110 Rds

IXTA36P15P
IXYS
1: S/ 32.59
425En existencias
400En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IXTA36P15P

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA36P15P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -36.0 Amps -150V 0.110 Rds

Hoja de datos

425En existencias

400En pedido

S/ 32.59

S/ 17.63

S/ 17.16

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

P-Channel

1 Channel

150 V

36 A

110 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

55 nC

- 55 C

+ 150 C

300 W

Enhancement

PolarP

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -36.0 Amps -150V 0.110 Rds

IXTA36P15P TRL
IXYS
1: S/ 33.84
753En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA36P15P TRL

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA36P15PTRL

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -36.0 Amps -150V 0.110 Rds

Hoja de datos

753En existencias

Cinta cortada

S/ 33.84

S/ 23.48

S/ 18.15

S/ 17.20

Envase tipo carrete

S/ 17.20

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

P-Channel

1 Channel

150 V

36 A

110 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

55 nC

- 55 C

+ 150 C

300 W

Enhancement

PolarP

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -16.0 Amps -600V 0.720 Rds

IXTH16P60P
IXYS
1: S/ 53.84
340En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH16P60P

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH16P60P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -16.0 Amps -600V 0.720 Rds

Hoja de datos

340En existencias

S/ 53.84

S/ 34.40

S/ 29.46

S/ 28.38

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

P-Channel

1 Channel

600 V

16 A

720 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

92 nC

- 55 C

+ 150 C

460 W

Enhancement

PolarP

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -32 Amps -600V 0.350 Rds

IXTK32P60P
IXYS
1: S/ 96.54
783En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTK32P60P

N.º de artículo de Mouser
747-IXTK32P60P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -32 Amps -600V 0.350 Rds

Hoja de datos

783En existencias

S/ 96.54

S/ 64.97

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

P-Channel

1 Channel

600 V

32 A

350 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

196 nC

- 55 C

+ 150 C

890 W

Enhancement

PolarP

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -52.0 Amps -100V 0.050 Rds

IXTQ52P10P
IXYS
1: S/ 37.02
576En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTQ52P10P

N.º de artículo de Mouser
747-IXTQ52P10P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -52.0 Amps -100V 0.050 Rds

Hoja de datos

576En existencias

S/ 37.02

S/ 21.63

S/ 18.58

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3P-3

P-Channel

1 Channel

100 V

52 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

300 W

Enhancement

PolarP

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -108.0 Amps -100V 0.013 Rds

IXTR170P10P
IXYS
1: S/ 103.97
110En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTR170P10P

N.º de artículo de Mouser
747-IXTR170P10P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -108.0 Amps -100V 0.013 Rds

Hoja de datos

110En existencias

Más información disponible

S/ 103.97

S/ 70.74

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

P-Channel

1 Channel

100 V

108 A

13 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

240 nC

- 55 C

+ 150 C

312 W

Enhancement

PolarP

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -16.0 Amps -600V 0.720 Rds

IXTT16P60P
IXYS
1: S/ 69.27
398En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTT16P60P

N.º de artículo de Mouser
747-IXTT16P60P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -16.0 Amps -600V 0.720 Rds

Hoja de datos

398En existencias

Más información disponible

S/ 69.27

S/ 42.74

S/ 42.70

S/ 36.81

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

P-Channel

1 Channel

600 V

16 A

720 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

92 nC

- 55 C

+ 150 C

460 W

Enhancement

PolarP

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -32 Amps -600V 0.350 Rds

IXTX32P60P
IXYS
1: S/ 96.49
328En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTX32P60P

N.º de artículo de Mouser
747-IXTX32P60P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -32 Amps -600V 0.350 Rds

Hoja de datos

328En existencias

S/ 96.49

S/ 64.33

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

P-Channel

1 Channel

600 V

32 A

350 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

196 nC

- 55 C

+ 150 C

890 W

Enhancement

PolarP

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40.0 Amps -500V 0.230 Rds

IXTX40P50P
IXYS
1: S/ 96.49
330En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTX40P50P

N.º de artículo de Mouser
747-IXTX40P50P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40.0 Amps -500V 0.230 Rds

Hoja de datos

330En existencias

S/ 96.49

S/ 64.33

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

P-Channel

1 Channel

500 V

40 A

230 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

205 nC

- 55 C

+ 150 C

890 W

Enhancement

PolarP

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -90.0 Amps -200V 0.044 Rds

IXTX90P20P
IXYS
1: S/ 93.61
240En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTX90P20P

N.º de artículo de Mouser
747-IXTX90P20P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -90.0 Amps -200V 0.044 Rds

Hoja de datos

240En existencias

Más información disponible

S/ 93.61

S/ 64.33

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

P-Channel

1 Channel

200 V

90 A

44 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

205 nC

- 55 C

+ 150 C

890 W

Enhancement

PolarP

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXTA52P10P TRL

IXTA52P10P-TRL
IXYS
1: S/ 33.28
247En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA52P10P-TRL

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA52P10P-TRL

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXTA52P10P TRL

Hoja de datos

247En existencias

Cinta cortada

S/ 33.28

S/ 23.48

S/ 18.15

S/ 16.94

Envase tipo carrete

S/ 16.94

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

P-Channel

1 Channel

100 V

52 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

300 W

Enhancement

PolarP

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -48.0 Amps -200V 0.085 Rds

IXTH48P20P
IXYS
1: S/ 56.72
6En existencias
300En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IXTH48P20P

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH48P20P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -48.0 Amps -200V 0.085 Rds

Hoja de datos

6En existencias

300En pedido

S/ 56.72

S/ 38.57

S/ 33.28

S/ 32.51

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

P-Channel

1 Channel

200 V

48 A

85 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

103 nC

- 55 C

+ 150 C

462 W

Enhancement

PolarP

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -36.0 Amps -150V 0.110 Rds

IXTP36P15P
IXYS
1: S/ 33.71
178En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP36P15P

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP36P15P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -36.0 Amps -150V 0.110 Rds

Hoja de datos

178En existencias

Más información disponible

S/ 33.71

S/ 18.36

S/ 16.81

S/ 14.41

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

P-Channel

1 Channel

150 V

36 A

110 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

55 nC

- 55 C

+ 150 C

300 W

Enhancement

PolarP

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20.0 Amps -500V 0.450 Rds

IXTT20P50P
IXYS
1: S/ 69.40
15En existencias
750En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IXTT20P50P

N.º de artículo de Mouser
747-IXTT20P50P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20.0 Amps -500V 0.450 Rds

Hoja de datos

15En existencias

750En pedido

S/ 69.40

S/ 46.18

S/ 42.05

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

P-Channel

1 Channel

500 V

20 A

450 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

103 nC

- 55 C

+ 150 C

460 W

Enhancement

PolarP

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -10.0 Amps -500V 1.000 Rds

IXTP10P50P
IXYS
1: S/ 33.67

N.º de artículo del Fabricante
IXTP10P50P

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP10P50P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -10.0 Amps -500V 1.000 Rds

Hoja de datos

Más información disponible

S/ 33.67

S/ 23.78

S/ 19.78

S/ 17.63

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

P-Channel

1 Channel

500 V

10 A

1 Ohms

- 20 V, 20 V

2 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

300 W

Enhancement

PolarP

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -10.0 Amps -600V 0.790 Rds

IXTR16P60P
IXYS
300: S/ 46.05
Plazo de entrega no en existencias 37 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXTR16P60P

N.º de artículo de Mouser
747-IXTR16P60P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -10.0 Amps -600V 0.790 Rds

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 37 Semanas

S/ 46.05

Min.: 300
Mult.: 30

Through Hole

TO-247-3

P-Channel

600 V

10 A

790 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

92 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

PolarP

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -18 Amps -600V 0.385 Rds

IXTR32P60P
IXYS
300: S/ 86.22
Plazo de entrega no en existencias 46 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXTR32P60P

N.º de artículo de Mouser
747-IXTR32P60P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -18 Amps -600V 0.385 Rds

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 46 Semanas

S/ 86.22

Min.: 300
Mult.: 30

Through Hole

TO-247-3

P-Channel

1 Channel

600 V

18 A

385 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

196 nC

- 55 C

+ 150 C

310 W

Enhancement

PolarP

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -90.0 Amps -200V 0.048 Rds

IXTR90P20P
IXYS
300: S/ 70.69
Plazo de entrega no en existencias 37 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXTR90P20P

N.º de artículo de Mouser
747-IXTR90P20P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -90.0 Amps -200V 0.048 Rds

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 37 Semanas

S/ 70.69

Min.: 300
Mult.: 30

Through Hole

TO-247-3

P-Channel

1 Channel

200 V

53 A

48 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

205 nC

- 55 C

+ 150 C

312 W

Enhancement

PolarP

Tube

PolarP Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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