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IXTR16P60P

Name: IXYS IXTR16P60P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTR16P60P
Price: 46.05 PEN
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

747-IXTR16P60P

Fabricante N.º:

IXTR16P60P

Fabricante:

IXYS

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	S/ 46.05	S/ 13,815.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Polaridad del transistor:	P-Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	600 V
Id - Corriente de drenaje continua:	10 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	790 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	92 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	190 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	PolarP
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	38 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	11 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	25 ns
Serie:	IXTR16P60
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	60 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	29 ns
Peso de la unidad:	6 g