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References Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 7

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V 24V X2-DFN0806-3 T&R 10K

DMN2992UFA-7B
Diodes Incorporated
1: S/0.645
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
DMN2992UFA-7B

N.º de artículo de Mouser
621-DMN2992UFA-7B

Nuevo producto

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V 24V X2-DFN0806-3 T&R 10K

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S/0.645

S/0.43

S/0.271

S/0.172

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Envase tipo carrete

S/0.099

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 10,000

SMD/SMT

X2-DFN0806-3

N-Channel

1 Channel

20 V

520 uA

990 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

410 pC

- 55 C

+ 150 C

410 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V 40V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

DMTH43M8SPDWQ-13
Diodes Incorporated
2,500: S/3.26
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
DMTH43M8SPDWQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH43M8SPDWQ-13

Nuevo producto

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V 40V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

Envase tipo carrete

S/3.26

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

: 2,500

SMD/SMT

PowerDI5060-8

N-Channel

2 Channel

40 V

105 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

40 nC

- 55 C

+ 175 C

3 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-6 T&R 10K

DMT3006LFDFQ-13
Diodes Incorporated
10,000: S/0.654
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
DMT3006LFDFQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT3006LFDFQ-13

Nuevo producto

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-6 T&R 10K

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas

Envase tipo carrete

S/0.654

Min.: 10,000
Mult.: 10,000

: 10,000

SMD/SMT

U-DFN2020-6

N-Channel

1 Channel

30 V

14.1 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

16.7 nC

- 55 C

+ 150 C

800 mW

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V 40V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

DMTH43M8LPDW-13
Diodes Incorporated
2,500: S/3.04
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
DMTH43M8LPDW-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH43M8LPDW-13

Nuevo producto

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V 40V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

Envase tipo carrete

S/3.04

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

: 2,500

SMD/SMT

PowerDI5060-8

N-Channel

2 Channel

40 V

110 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

41.9 nC

- 55 C

+ 175 C

3 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V 40V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

DMTH43M8SPDW-13
Diodes Incorporated
2,500: S/3.04
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
DMTH43M8SPDW-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH43M8SPDW-13

Nuevo producto

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V 40V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

Envase tipo carrete

S/3.04

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

: 2,500

SMD/SMT

PowerDI5060-8

N-Channel

2 Channel

40 V

105 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

40 nC

- 55 C

+ 175 C

3 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V 40V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

DMTH43M8LPDWQ-13
Diodes Incorporated
2,500: S/3.26
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
DMTH43M8LPDWQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH43M8LPDWQ-13

Nuevo producto

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V 40V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

Envase tipo carrete

S/3.26

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

: 2,500

SMD/SMT

PowerDI5060-8

N-Channel

2 Channel

40 V

110 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

41.9 nC

- 55 C

+ 175 C

2.98 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V 30V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

DMTH3M70LPSW-13
Diodes Incorporated
1: S/13.98
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
DMTH3M70LPSW-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH3M70LPSW-13

Nuevo producto

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V 30V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

Cinta cortada

S/13.98

S/9.12

S/6.97

S/5.85

S/5.07

Envase tipo carrete

S/5.07

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

PowerDI5060-8

N-Channel

1 Channel

30 V

150 A

550 uOhms

- 20 V, 20 V

3 V

152.7 nC

- 55 C

+ 175 C

2.13 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

References Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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