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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V 24V X2-DFN0806-3 T&R 10K

DMN2992UFA-7B
Diodes Incorporated
1: S/0.645
Nuevo producto

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DMN2992UFA-7B

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621-DMN2992UFA-7B

Nuevo producto

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V 24V X2-DFN0806-3 T&R 10K

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MOSFETs

SMD/SMT

X2-DFN0806-3

N-Channel

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) General Purpose Transistor U-DFN1412-3 T&R 5K

BC857CFSWQ-7
Diodes Incorporated
1: S/1.29
20,000Existencias en fábrica disponibles
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
BC857CFSWQ-7

N.º de artículo de Mouser
621-BC857CFSWQ-7

Nuevo producto

Diodes Incorporated

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) General Purpose Transistor U-DFN1412-3 T&R 5K

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S/1.29

S/0.882

S/0.559

S/0.348

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: 5,000

BJTs - Bipolar Transistors

SMD/SMT

U-DFN1412-3

PNP

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) General Purpose Transistor U-DFN1412-3 T&R 5K

BC857BFSWQ-7
Diodes Incorporated
1: S/1.29
20,000Existencias en fábrica disponibles
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
BC857BFSWQ-7

N.º de artículo de Mouser
621-BC857BFSWQ-7

Nuevo producto

Diodes Incorporated

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) General Purpose Transistor U-DFN1412-3 T&R 5K

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S/1.29

S/0.882

S/0.559

S/0.348

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S/0.155

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: 5,000

BJTs - Bipolar Transistors

SMD/SMT

U-DFN1412-3

PNP

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) General Purpose Transistor U-DFN1412-3 T&R 5K

BC856AFSWQ-7
Diodes Incorporated
1: S/1.29
20,000Existencias en fábrica disponibles
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
BC856AFSWQ-7

N.º de artículo de Mouser
621-BC856AFSWQ-7

Nuevo producto

Diodes Incorporated

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) General Purpose Transistor U-DFN1412-3 T&R 5K

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20,000Existencias en fábrica disponibles

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S/1.29

S/0.882

S/0.559

S/0.348

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BJTs - Bipolar Transistors

SMD/SMT

U-DFN1412-3

PNP

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) General Purpose Transistor U-DFN1412-3 T&R 5K

BC857CFSW-7
Diodes Incorporated
1: S/1.12
30,000Existencias en fábrica disponibles
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
BC857CFSW-7

N.º de artículo de Mouser
621-BC857CFSW-7

Nuevo producto

Diodes Incorporated

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) General Purpose Transistor U-DFN1412-3 T&R 5K

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S/1.12

S/0.77

S/0.486

S/0.301

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SMD/SMT

U-DFN1412-3

PNP

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) General Purpose Transistor U-DFN1412-3 T&R 5K

BC847CFSWQ-7
Diodes Incorporated
1: S/1.29
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BC847CFSWQ-7

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621-BC847CFSWQ-7

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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) General Purpose Transistor U-DFN1412-3 T&R 5K

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S/0.877

S/0.555

S/0.344

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BJTs - Bipolar Transistors

SMD/SMT

U-DFN1412-3

NPN

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) General Purpose Transistor U-DFN1412-3 T&R 5K

BC857AFSWQ-7
Diodes Incorporated
1: S/1.29
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BC857AFSWQ-7

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621-BC857AFSWQ-7

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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) General Purpose Transistor U-DFN1412-3 T&R 5K

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S/1.29

S/0.882

S/0.559

S/0.348

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S/0.155

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: 5,000

BJTs - Bipolar Transistors

SMD/SMT

U-DFN1412-3

PNP

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) General Purpose Transistor U-DFN1412-3 T&R 5K

BC847BFSWQ-7
Diodes Incorporated
1: S/1.29
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BC847BFSWQ-7

N.º de artículo de Mouser
621-BC847BFSWQ-7

Nuevo producto

Diodes Incorporated

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) General Purpose Transistor U-DFN1412-3 T&R 5K

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S/1.29

S/0.877

S/0.555

S/0.344

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S/0.155

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Mult.: 1

: 5,000

BJTs - Bipolar Transistors

SMD/SMT

U-DFN1412-3

NPN

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SS Mid-Perf Transistor SOT563 T&R 3K

DSS5240VQ-7
Diodes Incorporated
1: S/2.11
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
DSS5240VQ-7

N.º de artículo de Mouser
621-DSS5240VQ-7

Nuevo producto

Diodes Incorporated

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SS Mid-Perf Transistor SOT563 T&R 3K

Hoja de datos

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S/2.11

S/1.55

S/0.963

S/0.667

S/0.546

Envase tipo carrete

S/0.387

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors

SMD/SMT

SOT563-6

PNP

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) General Purpose Transistor U-DFN1412-3 T&R 5K

BC846BFSWQ-7
Diodes Incorporated
1: S/1.29
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
BC846BFSWQ-7

N.º de artículo de Mouser
621-BC846BFSWQ-7

Nuevo producto

Diodes Incorporated

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) General Purpose Transistor U-DFN1412-3 T&R 5K

Hoja de datos

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Cinta cortada

S/1.29

S/0.877

S/0.555

S/0.344

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Envase tipo carrete

S/0.155

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

BJTs - Bipolar Transistors

SMD/SMT

U-DFN1412-3

NPN

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) General Purpose Transistor U-DFN1412-3 T&R 5K

BC856BFSWQ-7
Diodes Incorporated
1: S/1.29
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
BC856BFSWQ-7

N.º de artículo de Mouser
621-BC856BFSWQ-7

Nuevo producto

Diodes Incorporated

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) General Purpose Transistor U-DFN1412-3 T&R 5K

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas

Cinta cortada

S/1.29

S/0.882

S/0.559

S/0.348

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Envase tipo carrete

S/0.155

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

BJTs - Bipolar Transistors

SMD/SMT

U-DFN1412-3

PNP

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Pwr Low Sat Transistor SOT89 T&R 4K

FCX619-13R
Diodes Incorporated
4,000: S/0.972
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
FCX619-13R

N.º de artículo de Mouser
621-FCX619-13R

Nuevo producto

Diodes Incorporated

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Pwr Low Sat Transistor SOT89 T&R 4K

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas

Envase tipo carrete

S/0.972

Min.: 4,000
Mult.: 4,000

: 4,000

BJTs - Bipolar Transistors

SMD/SMT

SOT89

NPN

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) Full-Bridge 13.56 MHz Reference Design Kit

DRF1510-CLASS-D
Microchip Technology
1: S/41,189.49
No en existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
DRF1510-CLASS-D

N.º de artículo de Mouser
579-DRF1510CLASSD

Nuevo producto

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) Full-Bridge 13.56 MHz Reference Design Kit

Hoja de datos

No en existencias

S/41,189.49

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFETs

Screw Mount

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V 40V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

DMTH43M8SPDWQ-13
Diodes Incorporated
2,500: S/3.26
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
DMTH43M8SPDWQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH43M8SPDWQ-13

Nuevo producto

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V 40V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

Envase tipo carrete

S/3.26

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

PowerDI5060-8

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V 40V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

DMTH43M8LPDWQ-13
Diodes Incorporated
2,500: S/3.26
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
DMTH43M8LPDWQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH43M8LPDWQ-13

Nuevo producto

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V 40V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

Envase tipo carrete

S/3.26

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

PowerDI5060-8

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V 40V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

DMTH43M8SPDW-13
Diodes Incorporated
2,500: S/3.04
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
DMTH43M8SPDW-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH43M8SPDW-13

Nuevo producto

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V 40V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

Envase tipo carrete

S/3.04

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

PowerDI5060-8

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V 40V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

DMTH43M8LPDW-13
Diodes Incorporated
2,500: S/3.04
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
DMTH43M8LPDW-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH43M8LPDW-13

Nuevo producto

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V 40V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

Envase tipo carrete

S/3.04

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

PowerDI5060-8

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V 30V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

DMTH3M70LPSW-13
Diodes Incorporated
1: S/13.98
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
DMTH3M70LPSW-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH3M70LPSW-13

Nuevo producto

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V 30V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

Cinta cortada

S/13.98

S/9.12

S/6.97

S/5.85

S/5.07

Envase tipo carrete

S/5.07

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

PowerDI5060-8

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-6 T&R 10K

DMT3006LFDFQ-13
Diodes Incorporated
10,000: S/0.654
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
DMT3006LFDFQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT3006LFDFQ-13

Nuevo producto

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-6 T&R 10K

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas

Envase tipo carrete

S/0.654

Min.: 10,000
Mult.: 10,000

: 10,000

MOSFETs

SMD/SMT

U-DFN2020-6

N-Channel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) Push-Pull Hybrid 13.56 MHz Reference Design Kit

DRF1310-CLASS-D
Microchip Technology
1: S/17,284.28
No en existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
DRF1310-CLASS-D

N.º de artículo de Mouser
579-DRF1310CLASSD

Nuevo producto

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) Push-Pull Hybrid 13.56 MHz Reference Design Kit

No en existencias

S/17,284.28

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFETs

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