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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 2,259

Filtros aplicados:

Fabricante = onsemi

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN S08FL

NVMFS5C456NLAFT1G-YE
onsemi
1: S/5.89
1,184En existencias
1,500En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C456NLAFT1G-YE

N.º de artículo de Mouser
863-FS5C456NLAFT1GYE

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN S08FL

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Cinta cortada

S/5.89

S/3.70

S/2.45

S/2.01

Envase tipo carrete

S/1.57

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

87 A

3.7 mOhms

20 V

2 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

55 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 172A 2.3M0

NVMFS5830NLWFT1G-UM
onsemi
1: S/13.12
1,050En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5830NLWFT1G-UM

N.º de artículo de Mouser
863-FS5830NLWFT1G-UM

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 172A 2.3M0

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1,050En existencias

Cinta cortada

S/13.12

S/8.47

S/6.06

S/5.07

S/4.69

Envase tipo carrete

S/4.39

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

185 A

2.3 mOhms

20 V

2.4 V

113 nC

- 55 C

+ 175 C

158 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V S08FL

NVMFS5C442NLAFT1G-YE
onsemi
1: S/7.01
1,224En existencias
1,500En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C442NLAFT1G-YE

N.º de artículo de Mouser
863-FS5C442NLAFT1GYE

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V S08FL

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Cinta cortada

S/7.01

S/4.47

S/2.96

S/2.43

S/2.30

Envase tipo carrete

S/1.95

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

130 A

2.5 mOhms

20 V

2 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET 20V 890 mA 350 mOhm Single N-Channel with ESD Protection

NTK3134NT3G
onsemi
1: S/1.46
7,081En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NTK3134NT3G

N.º de artículo de Mouser
863-NTK3134NT3G

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET 20V 890 mA 350 mOhm Single N-Channel with ESD Protection

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7,081En existencias

Cinta cortada

S/1.46

S/1.08

S/0.611

S/0.413

Ver

Envase tipo carrete

S/0.202

Min.: 1
Mult.: 1

: 40,000

SMD/SMT

SOT-723-3

N-Channel

1 Channel

20 V

890 mA

1.2 Ohms

- 8 V, 8 V

1.2 V

- 55 C

+ 150 C

450 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

NVMFS5C460NLAFT1G-YE
onsemi
1: S/6.24
1,500En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C460NLAFT1G-YE

N.º de artículo de Mouser
863-S5C460NLAFT1GYE

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

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1,500En existencias

Cinta cortada

S/6.24

S/3.89

S/2.53

S/1.95

Envase tipo carrete

S/1.60

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

78 A

4.5 mOhms

20 V

2 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL LFPAK

NTMYS006N08LHTWG
onsemi
1: S/13.89
1,454En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NTMYS006N08LHTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMYS006N08LHTWG

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL LFPAK

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1,454En existencias

Cinta cortada

S/13.89

S/13.50

S/9.93

S/8.34

S/7.14

Envase tipo carrete

S/4.82

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

80 V

77 A

7.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

89 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V/20V N-Channel PowerTrench MOSFET

FDMS7682
onsemi
1: S/4.86
128,023En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDMS7682

N.º de artículo de Mouser
512-FDMS7682

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V/20V N-Channel PowerTrench MOSFET

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Hoja de datos

128,023En existencias

Cinta cortada

S/4.86

S/2.04

S/1.55

S/1.33

S/1.26

Envase tipo carrete

S/1.17

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

Power-56-8

N-Channel

1 Channel

30 V

22 A

6.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.9 V

9.9 nC

- 55 C

+ 150 C

33 W

Enhancement

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V 0.2A 20Ohm N-Channel

FQT1N80TF-WS
onsemi
1: S/6.58
72,894En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FQT1N80TF-WS

N.º de artículo de Mouser
512-FQT1N80TF_WS

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V 0.2A 20Ohm N-Channel

Hoja de datos

72,894En existencias

Cinta cortada

S/6.58

S/3.88

S/2.77

S/2.17

Ver

Envase tipo carrete

S/1.78

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

SOT-223-4

N-Channel

1 Channel

800 V

200 mA

20 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

7.2 nC

- 55 C

+ 150 C

2.1 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch QFET Logic Level

FQD13N10LTM
onsemi
1: S/4.77
228,786En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FQD13N10LTM

N.º de artículo de Mouser
512-FQD13N10LTM

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch QFET Logic Level

Hoja de datos

228,786En existencias

Cinta cortada

S/4.77

S/2.99

S/1.97

S/1.52

Envase tipo carrete

S/1.25

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

10 A

180 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

8.7 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 30V NCH

NTMFS4C324NT1G
onsemi
1: S/4.52
1,448En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS4C324NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS4C324NT1G

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 30V NCH

Hoja de datos

1,448En existencias

Cinta cortada

S/4.52

S/2.82

S/1.84

S/1.41

S/1.28

Envase tipo carrete

S/1.05

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

136 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

20.8 nC

- 55 C

+ 150 C

64 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG NCH U8FL

NTTFS002N04CLTAG-SR01
onsemi
1: S/9.20
1,500En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NTTFS002N04CLTAG-SR01

N.º de artículo de Mouser
863-S002N04CLTAGSR01

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG NCH U8FL

1,500En existencias

Cinta cortada

S/9.20

S/8.82

S/6.11

S/5.20

S/2.88

Envase tipo carrete

S/2.74

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET

FDC608PZ
onsemi
1: S/2.24
148,481En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDC608PZ

N.º de artículo de Mouser
512-FDC608PZ

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET

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Hoja de datos

148,481En existencias

Cinta cortada

S/2.24

S/1.53

S/1.14

S/0.972

S/0.886

Envase tipo carrete

S/0.843

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SSOT-6

P-Channel

1 Channel

20 V

5.8 A

30 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

1.6 W

Enhancement

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V/20V N-Ch PowerTrench SyncFET

FDMS7678
onsemi
1: S/5.16
72,296En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDMS7678

N.º de artículo de Mouser
512-FDMS7678

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V/20V N-Ch PowerTrench SyncFET

Hoja de datos

72,296En existencias

Cinta cortada

S/5.16

S/3.38

S/2.35

S/1.84

S/1.55

Envase tipo carrete

S/1.47

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

Power-56-8

N-Channel

1 Channel

30 V

17.5 A

5.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

39 nC

- 55 C

+ 150 C

41 W

Enhancement

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PFET TSOP6 60V 2.5A 111MO

NVGS5120PT1G
onsemi
1: S/5.98
198,075En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVGS5120PT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVGS5120PT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PFET TSOP6 60V 2.5A 111MO

Hoja de datos

198,075En existencias

Cinta cortada

S/5.98

S/3.74

S/2.48

S/1.95

S/1.76

Envase tipo carrete

S/1.56

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

60 V

2.5 A

72 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18.1 nC

- 55 C

+ 150 C

1.1 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 14.5 MOHM T8 S08FL DUAL

NTMFD5C478NLT1G
onsemi
1: S/6.79
1,500En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NTMFD5C478NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFD5C478NLT1G

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 14.5 MOHM T8 S08FL DUAL

Obtenga más información

1,500En existencias

Cinta cortada

S/6.79

S/6.45

S/4.26

S/3.36

S/2.02

Envase tipo carrete

S/1.78

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET2 800V

FCH060N80-F155
onsemi
1: S/79.38
1,479En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FCH060N80-F155

N.º de artículo de Mouser
512-FCH060N80_F155

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET2 800V

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Hoja de datos

1,479En existencias

S/79.38

S/56.46

S/50.14

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

800 V

58 A

60 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

350 nC

- 55 C

+ 150 C

500 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench

FDMS3669S
onsemi
1: S/11.14
42,679En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDMS3669S

N.º de artículo de Mouser
512-FDMS3669S

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench

Hoja de datos

42,679En existencias

Cinta cortada

S/11.14

S/7.18

S/4.95

S/3.95

S/3.68

Envase tipo carrete

S/3.68

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

Power-56-8

N-Channel

2 Channel

30 V

60 A

10 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel PowerTrench MOSFET

FDMS86520L
onsemi
1: S/8.26
16,180En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDMS86520L

N.º de artículo de Mouser
512-FDMS86520L

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel PowerTrench MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

16,180En existencias

Cinta cortada

S/8.26

S/5.98

S/4.64

S/4.18

Envase tipo carrete

S/4.18

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

Power-56-8

N-Channel

1 Channel

60 V

13.5 A

8.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel QFET

FQD8P10TM-F085
onsemi
1: S/5.68
31,497En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FQD8P10TM-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FQD8P10TM_F085

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel QFET

Hoja de datos

31,497En existencias

Cinta cortada

S/5.68

S/4.05

S/3.07

S/2.46

Envase tipo carrete

S/2.46

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

100 V

6.6 A

530 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

AEC-Q101

QFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 150V IN CEBU TOLL FOR INDUSTRIAL

NTBLS4D0N15MC
onsemi
1: S/28.38
6,220En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTBLS4D0N15MC

N.º de artículo de Mouser
863-NTBLS4D0N15MC

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 150V IN CEBU TOLL FOR INDUSTRIAL

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Hoja de datos

6,220En existencias

Cinta cortada

S/28.38

S/20.73

S/15.52

S/15.48

S/14.49

Envase tipo carrete

S/14.49

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

TO-LL8-8

N-Channel

1 Channel

150 V

187 A

4.4 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

90.4 nC

- 55 C

+ 175 C

316 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FRFET 650V 75A 27.4mOhm

NTHL027N65S3HF
onsemi
1: S/97.05
1,288En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTHL027N65S3HF

N.º de artículo de Mouser
863-NTHL027N65S3HF

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FRFET 650V 75A 27.4mOhm

Obtenga más información

Hoja de datos

1,288En existencias

S/97.05

S/64.80

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

75 A

27.4 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

225 nC

- 55 C

+ 150 C

595 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 650V 50MOHM

NTHL050N65S3HF
onsemi
1: S/65.83
1,908En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTHL050N65S3HF

N.º de artículo de Mouser
863-NTHL050N65S3HF

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 650V 50MOHM

Obtenga más información

Hoja de datos

1,908En existencias

S/65.83

S/40.38

S/39.43

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

58 A

50 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

125 nC

- 55 C

+ 150 C

378 W

Enhancement

SuperFET III

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LL NCH SO-8FL FOR INDUSTRIAL MARKET

NTMFS3D6N10MCLT1G
onsemi
1: S/13.59
15,859En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS3D6N10MCLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS3D6N10MCLT1

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LL NCH SO-8FL FOR INDUSTRIAL MARKET

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Cinta cortada

S/13.59

S/9.55

S/6.84

S/6.02

S/5.55

Envase tipo carrete

S/5.55

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

100 V

131 A

3.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

136 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 FRFET HF VERSION 82MOHM TO-220

NTP082N65S3HF
onsemi
1: S/28.94
7,747En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTP082N65S3HF

N.º de artículo de Mouser
863-NTP082N65S3HF

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 FRFET HF VERSION 82MOHM TO-220

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7,747En existencias

S/28.94

S/19.44

S/18.83

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

40 A

82 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

81 nC

- 55 C

+ 150 C

313 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SC75 30V 154MA 7OHM

NVTA7002NT1G
onsemi
1: S/1.08
750,229En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTA7002NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVTA7002NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SC75 30V 154MA 7OHM

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Cinta cortada

S/1.08

S/0.628

S/0.456

S/0.361

Envase tipo carrete

S/0.275

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SC-75-3

N-Channel

1 Channel

30 V

154 mA

1.4 Ohms

- 10 V, 10 V

500 mV

- 55 C

+ 150 C

300 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

APMCA-16
ATPAK-3
CSP-6
ChipFET-8
D2PAK-2
D2PAK-2 (TO-263-2)
D2PAK-3
D2PAK-3 (TO-263-3)
D2PAK-7
D2PAK-7L
DFLPAK-16
DFN-3
DFN-5
DFN-5060-8
DFN-6
DFN-8
DFNW-5
DFNW-8
DFNW5
DPAK-3

8 V
12 V
20 V
20 V, 30 V
20 V, 8 V
21 V, 20 V
24 V
25 V
25 V, 25 V
25 V, 30 V
30 V
30 V, 20 V
30 V, 60 V
35 V
40 V
42 V
46 V
50 V
52 V
55 V

115 mA
120 mA
127 mA, 220 mA
130 mA
154 mA
170 mA
180 mA
196 mA
200 mA
200 mA, 280 mA
220 mA
224 mA
238 mA
250 mA
250 mA, 880 mA
255 mA
270 mA
280 mA
294 mA
295 mA

400 uOhms
420 uOhms
440 uOhms
450 uOhms
480 uOhms
490 uOhms
500 uOhms
520 uOhms
560 uOhms
570 uOhms
580 uOhms
600 uOhms
620 uOhms
630 uOhms
640 uOhms
650 uOhms
670 uOhms
680 uOhms
700 uOhms
720 uOhms

- 500 mV, 8 V
- 30 V, 30 V
- 25 V, - 16 V, 16 V, 25 V
- 25 V, - 20 V, 20 V, 25 V
- 25 V, 25 V
- 20 V, - 12 V, 12 V, 20 V
- 20 V, - 12 V, 16 V, 20 V
- 20 V, 12 V
- 20 V, 20 V
- 16 V, 16 V
- 16 V, 20 V
- 15 V, 15 V
- 14 V, 14 V
- 12.5 V, 12.5 V
- 12 V, - 10 V, 10 V, 12 V
- 12 V, - 8 V, 8 V, 12 V
- 12 V, 12 V
- 12 V, 16 V
- 10 V, 10 V
- 8 V, 10 V

400 mV
400 mV, 1.5 V
450 mV
450 mV, 1 V
500 mV
500 mV, 600 mV
520 mV
600 mV
600 mV, 1.2 V
600 mV, 450 mV
610 mV, 1.2 V
650 mV
650 mV, 1.5 V
700 mV
700 mV, 600 mV
720 mV
800 mV
800 mV, 1.1 V
800 mV, 450 mV
850 mV

490 pC
700 pC
793 pC
800 pC
810 pC
900 pC
900 pC, 2.2 nC
1 nC
1.1 nC
1.15 nC
1.2 nC
1.3 nC
1.3 nC, 2.2 nC
1.4 nC
1.5 nC
1.5 nC, 1.7 nC
1.5 nC, 2.2 nC
1.7 nC
1.8 nC
1.82 nC

120 mW
125 mW
150 mW
155 mW
166 mW
170 mW
200 mW
225 mW
250 mW
270 mW
272 mW
280 mW
290 mW
300 mW
301 mW
310 mW
313 mW
329 mW
330 mW
350 mW