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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Fabricante = STMicroelectronics

Tecnología

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5

STF21N90K5
STMicroelectronics
1: S/32.38
1,723En existencias

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STF21N90K5

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511-STF21N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5

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S/32.38

S/16.73

S/16.21

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

900 V

18.5 A

299 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5A MDmesh K5

STF25N80K5
STMicroelectronics
1: S/26.57
1,014En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF25N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF25N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5A MDmesh K5

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1,014En existencias

S/26.57

S/14.28

S/13.07

S/12.94

S/11.57

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

19.5 A

260 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 20 A Mdmesh

STF26NM60N
STMicroelectronics
1: S/26.49
1,993En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF26NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STF26NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 20 A Mdmesh

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1,993En existencias

S/26.49

S/17.76

S/15.91

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

165 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 24V 120A Zener SuperMESH

STF3NK100Z
STMicroelectronics
1: S/20.08
1,813En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF3NK100Z

N.º de artículo de Mouser
511-STF3NK100Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 24V 120A Zener SuperMESH

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1,813En existencias

S/20.08

S/10.75

S/9.80

S/8.17

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

2.5 A

6 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nchanl 600 V 78 Ohm typ 34 A Pwr MOSFET

STF40N60M2
STMicroelectronics
1: S/25.67
1,522En existencias
1,952En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STF40N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STF40N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nchanl 600 V 78 Ohm typ 34 A Pwr MOSFET

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1,522En existencias

1,952En pedido

S/25.67

S/13.59

S/12.38

S/11.40

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

34 A

88 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

57 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 3.2 mOhm typ., 180 A, STripFET F7 Power MOSFET in an H2PAK-2 p

STH200N10WF7-2
STMicroelectronics
1: S/21.59
649En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH200N10WF7-2

N.º de artículo de Mouser
511-STH200N10WF7-2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 3.2 mOhm typ., 180 A, STripFET F7 Power MOSFET in an H2PAK-2 p

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649En existencias

Cinta cortada

S/21.59

S/15.48

S/11.70

S/11.52

Envase tipo carrete

S/10.79

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

180 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

93 nC

- 55 C

+ 175 C

340 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.290 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H

STL18N65M2
STMicroelectronics
1: S/14.02
3,751En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL18N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STL18N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.290 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H

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Cinta cortada

S/14.02

S/9.12

S/6.41

S/5.46

S/4.86

Envase tipo carrete

S/4.86

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

650 V

8 A

290 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

21.5 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.186Ohm typ. 18A MDmesh M2

STL24N60M2
STMicroelectronics
1: S/16.38

N.º de artículo del Fabricante
STL24N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STL24N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.186Ohm typ. 18A MDmesh M2

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Cinta cortada

S/16.38

S/10.75

S/7.53

S/6.71

S/6.32

Envase tipo carrete

S/6.24

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-5

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

186 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH

STP10NK60Z
STMicroelectronics
1: S/16.17
3,110En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP10NK60Z

N.º de artículo de Mouser
511-STP10NK60Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH

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3,110En existencias

S/16.17

S/9.07

S/8.43

S/7.44

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

10 A

750 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

70 nC

- 55 C

+ 150 C

115 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH

STP10NK80Z
STMicroelectronics
1: S/21.50
2,157En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP10NK80Z

N.º de artículo de Mouser
511-STP10NK80Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH

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2,157En existencias

S/21.50

S/9.85

S/9.72

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

9 A

900 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

72 nC

- 55 C

+ 150 C

160 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0036Ohm typ. 110A

STP150N10F7
STMicroelectronics
1: S/12.13
3,089En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP150N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STP150N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0036Ohm typ. 110A

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3,089En existencias

S/12.13

S/7.10

S/6.75

S/5.89

S/5.50

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

110 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

117 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

STripFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp

STP20NM60FP
STMicroelectronics
1: S/24.73
1,293En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP20NM60FP

N.º de artículo de Mouser
511-STP20NM60FP

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp

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1,293En existencias

S/24.73

S/16.81

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

290 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

54 nC

- 65 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 6.2Amp Zener SuperMESH

STP8NK80Z
STMicroelectronics
1: S/18.62
1,571En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP8NK80Z

N.º de artículo de Mouser
511-STP8NK80Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 6.2Amp Zener SuperMESH

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Hoja de datos

1,571En existencias

S/18.62

S/8.17

S/7.61

S/7.27

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

6.2 A

1.5 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

46 nC

- 55 C

+ 150 C

140 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 450 Volt 0.4 A

STS1DNC45
STMicroelectronics
1: S/9.42
4,386En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STS1DNC45

N.º de artículo de Mouser
511-STS1DNC45

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 450 Volt 0.4 A

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4,386En existencias

Cinta cortada

S/9.42

S/6.67

S/4.60

S/3.87

Envase tipo carrete

S/3.87

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

450 V

400 mA

4.1 Ohms

- 30 V, 30 V

2.3 V

10 nC

- 65 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

SuperMESH

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 100V-0.22ohms 6A

STU6NF10
STMicroelectronics
1: S/5.50
4,985En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STU6NF10

N.º de artículo de Mouser
511-STU6NF10

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 100V-0.22ohms 6A

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4,985En existencias

S/5.50

S/2.39

S/2.20

S/1.80

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

100 V

6 A

250 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

14 nC

- 65 C

+ 175 C

30 W

Enhancement

STripFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II

STW28NM50N
STMicroelectronics
1: S/32.81
687En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW28NM50N

N.º de artículo de Mouser
511-STW28NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II

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Hoja de datos

687En existencias

S/32.81

S/20.30

S/19.31

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

500 V

21 A

158 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.088 Ohm typ., 40 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

STW40N90K5
STMicroelectronics
1: S/60.11
421En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW40N90K5

N.º de artículo de Mouser
511-STW40N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.088 Ohm typ., 40 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

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Hoja de datos

421En existencias

S/60.11

S/43.09

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

900 V

40 A

88 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

89 nC

- 55 C

+ 150 C

446 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 33 Amp

STW42N65M5
STMicroelectronics
1: S/43.60
529En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW42N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STW42N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 33 Amp

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Hoja de datos

529En existencias

S/43.60

S/27.05

S/23.65

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

33 A

70 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

98 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

STW6N90K5
STMicroelectronics
1: S/14.71
1,618En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW6N90K5

N.º de artículo de Mouser
511-STW6N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

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Hoja de datos

1,618En existencias

S/14.71

S/8.21

S/5.59

S/5.20

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

900 V

6 A

910 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package

STB28N60M2
STMicroelectronics
1: S/11.27
1,882En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB28N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STB28N60M2

STMicroelectronics

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Hoja de datos

1,882En existencias

Cinta cortada

S/11.27

S/7.27

S/4.99

S/4.00

Envase tipo carrete

S/3.74

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

22 A

150 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

170 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 102 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

STB30N65DM6AG
STMicroelectronics
1: S/29.63
816En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB30N65DM6AG

N.º de artículo de Mouser
511-STB30N65DM6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 102 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

Obtenga más información

Hoja de datos

816En existencias

Cinta cortada

S/29.63

S/20.77

S/15.52

Envase tipo carrete

S/13.76

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

18 A

115 mOhms

- 25 V, 25 V

4.75 V

46 nC

- 55 C

+ 150 C

223 W

Enhancement

AEC-Q101

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 300 V, 37 mOhm typ., 53 A MDmesh M5 Power MOSFET in a

STB46N30M5
STMicroelectronics
1: S/40.51
957En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB46N30M5

N.º de artículo de Mouser
511-STB46N30M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 300 V, 37 mOhm typ., 53 A MDmesh M5 Power MOSFET in a

Hoja de datos

957En existencias

Cinta cortada

S/40.51

S/27.78

S/22.40

S/22.36

Envase tipo carrete

S/20.90

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

300 V

53 A

40 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

95 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

AEC-Q101

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

STB47N60DM6AG
STMicroelectronics
1: S/32.16
998En existencias

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STB47N60DM6AG

N.º de artículo de Mouser
511-STB47N60DM6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

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S/32.16

S/21.84

S/16.60

S/16.51

Envase tipo carrete

S/15.27

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

36 A

80 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

55 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

AEC-Q101

MDmesh

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch 60V 0.15Ohm 10A STripFET VI DeepGat

STD10P6F6
STMicroelectronics
1: S/5.93
12,234En existencias

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STD10P6F6

N.º de artículo de Mouser
511-STD10P6F6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch 60V 0.15Ohm 10A STripFET VI DeepGat

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S/3.71

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

10 A

160 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

6.4 nC

- 55 C

+ 175 C

35 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5

STD18N65M5
STMicroelectronics
1: S/15.01
1,317En existencias

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STD18N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STD18N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5

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S/9.80

S/6.84

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Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

15 A

198 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

ACEPACK SMIT-9
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
H2PAK-2
H2PAK-3
H2PAK-6
H2PAK-7
HU3PAK-7
I2PAK-3
IPAK-3
ISOTOP-4
Max247-3
PowerFLAT-2x2-6
PowerFLAT-3.3x3.3-8
PowerFLAT-3.3x3.3-HV-8
PowerFLAT-4
PowerFLAT-5
PowerFLAT-5x5-12
PowerFLAT-5x6-4
PowerFLAT5x6-8

20 V
24 V
30 V
33 V
40 V
45 V
55 V
60 V
65 V
68 V
70 V
75 V
80 V
100 V
120 V
200 V
250 V
300 V
330 V
400 V

250 mA
300 mA
400 mA
430 mA
500 mA
600 mA
1 A
1.2 A
1.4 A
1.5 A
1.8 A
1.85 A
2 A
2.1 A
2.2 A
2.3 A
2.4 A
2.5 A
2.6 A
2.7 A

800 uOhms
1 mOhms
1.1 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.27 mOhms
1.3 mOhms
1.6 mOhms
1.68 mOhms
1.7 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.15 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms

700 mV
800 mV
1 V
1.5 V
1.7 V
2 V
2.25 V
2.3 V
2.5 V
3 V
3.2 V
3.25 V
3.5 V
3.75 V
3.8 V
4 V
4.2 V
4.5 V
4.75 V
5 V

900 pC
2.63 nC
3 nC
3.4 nC
3.6 nC
3.7 nC
4 nC
4.5 nC
4.6 nC
4.8 nC
4.9 nC
5 nC
5.3 nC
5.4 nC
5.7 nC
6 nC
6.2 nC
6.4 nC
6.5 nC
6.9 nC

321 mW
350 mW
1.6 W
2 W
2.4 W
2.5 W
2.6 W
2.7 W
2.8 W
2.9 W
3 W
3.1 W
3.2 W
3.3 W
4.8 W
5 W
6 W
20 W
21 W
22 W